Zamienniki dla 20P02D

20P02D (HL)auto

Typ ukladu: MOSFET P-channel
Obudowa: DFN-8
Wymiary: 3.3 × 3.3 × 1 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (95)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet	Sklep KolegaInformatyk
`20P02D` HL ↓ Twoj uklad	P	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	20A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	—	PDF →	—
`HXY30P02DF` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	30A	15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	0.4V	150°C	PDF →	—
`SIS407DN-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	30A	15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	0.4V	150°C	PDF →	—
`DMP3036SFV-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	25A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`SI7121DN-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	25A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`SI7619DN-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	25A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`STL6P3LLH6-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	25A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`FDMC510P-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	48A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	0.4V	150°C	PDF →	—
`SI7123DN-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	48A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	0.4V	150°C	PDF →	—
`SI7613DN-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	48A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	0.4V	150°C	PDF →	—
`SI7615CDN-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	48A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	0.4V	150°C	PDF →	—
`HSCE2631` HUASHUO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	50A	3.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	0.5V	150°C	PDF →	—
`HXY50P02DF` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	50A	13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	0.7V	150°C	PDF →	—
`WSD20L50DN33` Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	50A	9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	0.5V	150°C	PDF →	—
`FDMC510P-MS` MSKSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	0.7V	150°C	PDF →	—
`HXY20P06DF` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	20A	85mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`NVTFS5116PL-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	20A	85mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`NVTFS5116PL-MS` MSKSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	20A	85mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`SI7309DN-T1-E3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	20A	60mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`SI7415DN-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	20A	65mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`WSD30L40DN` Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	40A	11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.8V	—	PDF →	—
`PE507BA` NIKO Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	42A	14.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2nC	1.5V	150°C	PDF →	—
`NTTFS5116PLTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	20A	52mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5nC	1V	100°C	PDF →	—
`AP18P30Q` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	20A	10.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →	—
`WSD30L68DN` Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	68A	5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.8V	—	PDF →	—
`DMP3036SFV-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (8.8nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	30A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8.8nC	1V	150°C	PDF →	—
`NVTFWS014P04M8LTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	49A	18.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	175°C	PDF →	—
`HXY3419DF` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (12.5nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	32A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12.5nC	1.95V	—	PDF →	—
`NVTFS9D6P04M8LTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	64A	7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	100°C	PDF →	—
`NVTFWS9D6P04M8LTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	64A	9.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	100°C	PDF →	—
`AGM30P05AP` AGM-Semi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	60A	5.57mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1.6V	150°C	PDF →	—
`G45P02D3` GOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	45A	45mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	0.65V	150°C	PDF →	—
`G18P03D3` GOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	28A	50mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1.5V	150°C	PDF →	—
`BLM12P03-R` BL(Shanghai Belling) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (36nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	20A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	36nC	1.5V	150°C	PDF →	—
`BSZ088N03LS G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (7.5nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	7.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	7.5nC	2.2V	150°C	PDF →	—
`ASDM30P30CTD` ASDsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.1×3.1mm	30V	30A	15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	2.5V	—	Szukaj PDF →	—
`AP40P04Q` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	30A	7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →	—
`JSM7409B` JSMSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	25A	4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	4.5V	150°C	PDF →	—
`DMG7401SFG-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (12.5nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	50A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12.5nC	1.95V	—	PDF →	—
`AGM40P55AP` AGM-Semi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (8nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	31A	2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8nC	1.6V	150°C	PDF →	—
`MDV3604URH-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (12.5nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	32A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12.5nC	1.95V	—	PDF →	—
`AON7403-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (22nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	40A	1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	22nC	2V	—	PDF →	—
`DMP3008SFG-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (22nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	40A	1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	22nC	2V	—	PDF →	—
`DMP3036SFG-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (22nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	40A	1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	22nC	2V	—	PDF →	—
`IRFHM9331PBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (22nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	40A	1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	22nC	1.6V	—	PDF →	—
`IRFHM9331TRPBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (22nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	40A	1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	22nC	6V	—	PDF →	—
`MDV3605URH-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (22nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	40A	1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	22nC	1.6V	—	PDF →	—
`PXP012-30QLJ-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (22nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	40A	1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	22nC	2V	—	PDF →	—
`SI7121ADN-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (22nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	40A	1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	22nC	2V	—	PDF →	—
`SI7423DN-T1-E3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (22nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	40A	1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	22nC	2V	—	PDF →	—
`DOZ30P03` DOINGTER Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (26.3nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	30A	15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	26.3nC	1.5V	150°C	PDF →	—
`VS3P07C` VSS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (28nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	37A	100mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	28nC	1V	150°C	PDF →	—
`ESN4485` ElecSuper Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (42nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	34A	13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	42nC	1.6V	—	PDF →	—
`BSC030P03NS3GAUMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (186nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8	30V	25.4A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	186nC	3.1V	150°C	PDF →	—
`DMP3013SFV-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (16.2nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	35A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	16.2nC	1V	150°C	PDF →	—
`WSD30L30DN33` Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	32A	15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	1.8V	150°C	PDF →	—
`ESN7403` ElecSuper Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (26.4nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	31A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	26.4nC	1.5V	—	PDF →	—
`DOZ40P02` DOINGTER Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (53nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	40A	9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	53nC	0.65V	150°C	PDF →	—
`RU30L30M-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (14.4nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	45A	4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14.4nC	5V	150°C	PDF →	—
`SSPS7333P-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (14.4nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	45A	4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14.4nC	5V	150°C	PDF →	—
`VBQF2309` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (14.4nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	45A	4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14.4nC	5V	150°C	PDF →	—
`VBZQF50P03` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (14.4nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	45A	4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14.4nC	5V	150°C	PDF →	—
`JSM7409` JSMSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (27nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	32A	15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	27nC	1.8V	150°C	PDF →	—
`NP75P04YLG-E1-AY` RENESAS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (91nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8	20V	37.5A	7.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	91nC	1.7V	—	PDF →	—
`CSD25404Q3` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (14.1nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	104A	6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14.1nC	1.15V	150°C	PDF →	—
`DMP26M7UFG-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (75nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	40A	4.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	75nC	0.4V	150°C	PDF →	—
`FDMC6683PZ` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (74nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	40A	5.98mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	74nC	1.5V	150°C	PDF →	—
`HN6373` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`HXY50P03DF` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`ME7839S-G` MATSUKI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (27.6nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.1×3.2mm	30V	36.1A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	27.6nC	1V	150°C	PDF →	—
`NP75P03YDG-E1-AY` RENESAS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (94nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8	25V	37.5A	4.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	94nC	1.6V	—	PDF →	—
`SM3303PSQGC-TRG` Sinopower Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (17.1nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	17.1nC	1.8V	—	PDF →	—
`SKQ55P02AD` Shikues Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (45nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	55A	6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	45nC	0.62V	150°C	PDF →	—
`RJJ0315DPA-00#J5A` RENESAS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (48nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8	30V	35A	2.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	48nC	2.5V	—	PDF →	—
`AP60P20Q` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (55nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	60A	5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	55nC	3V	150°C	PDF →	—
`DOZ40P03` DOINGTER Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (45nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	40A	11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	45nC	1.5V	150°C	PDF →	—
`WSD20L75DN33` Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (55nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	75A	4.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	55nC	0.6V	—	PDF →	—
`WSD20L70DN33` Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (70nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	70A	6.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	70nC	0.6V	150°C	PDF →	—
`TTG90P03ATC` WUXI UNIGROUP MICRO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	90A	6.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1.7V	175°C	PDF →	—
`DMP3007SCGQ-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (31.2nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8	30V	50A	5.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	31.2nC	1V	150°C	PDF →	—
`DMP2005UFG-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (55nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	89A	3.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	55nC	0.7V	150°C	PDF →	—
`DMP3013SFV-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	55A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	1.5V	150°C	PDF →	—
`DMP3017SFGQ-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	55A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	1.5V	150°C	PDF →	—
`SIS413DN-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	55A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	1.5V	150°C	PDF →	—
`CSD25402Q3A-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vds Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	—	48A	60mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	0.4V	150°C	PDF →	—
`DMP2007UFG-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 18A < 20A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (39nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	18A	4.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	39nC	0.4V	150°C	PDF →	—
`DMP3011SFVWQ-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 19.8A < 20A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (25nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	19.8A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	25nC	1V	150°C	PDF →	—
`G16P03D3` GOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 16A < 20A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	16A	45mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1.7V	150°C	PDF →	—
`BSC060P03NS3EGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 17.7A < 20A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (81nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8	30V	17.7A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	81nC	3.1V	150°C	PDF →	—
`NVTFS015P03P8ZTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 17A < 20A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (105nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	17A	7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	105nC	3V	175°C	PDF →	—
`AO21357` Alpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (13) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vds Brak danych: Id Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	P	DFN-8	—	—	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	Szukaj PDF →	Zobacz ofertę →
`NCE20P45Q` Wuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 19V < 20V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (55nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	19V	45A	9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	55nC	0.6V	150°C	PDF →	—
`AP90P03Q` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (45nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	60A	7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	45nC	1V	150°C	PDF →	—
`ASDM30P11TD-R` ASDsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (61nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	55A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	61nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`BSC084P03NS3GATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (58nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8	30V	78.6A	8.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	58nC	3.1V	150°C	PDF →	—
`NVTFWS015P03P8ZTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vds Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	—	88.6A	7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1V	100°C	PDF →	—

Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (1)

NP20P06YLG-E1-AY: id-too-low