Zamienniki dla AGM30P110A
AGM30P110A (AGM-Semi)auto
- Typ ukladu
- MOSFET P-channel
- Obudowa
- DFN-5x6
- Wymiary
- 5 × 6 × 1 mm
Brakuje danych: pinout, Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.
Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →
Kandydaci do weryfikacji (4)
Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.
| MPN | Polar. | Obudowa | Vds | Id | Rds(on) | Qg | Vgs(th) | Tj max | Datasheet |
|---|
AGM30P110AAGM-Semi ↓ Twoj uklad | P | DFN-5x6 5×6mm | 30V | 138A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 150nC | 4V | 150°C | PDF → |
NTMFS005P03P8ZST1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-5x6) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | DFN-5x6 5×6mm | 30V | 164A | 2.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 1V | 150°C | PDF → |
HM50P03D-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-5x6) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- UWAGA: Id 120A < 138A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | DFN-5x6 5×6mm | 30V | 120A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 120nC | 6.5V | 150°C | PDF → |
WSD30L120DN56Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-5x6) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4V vs 1.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 120A < 138A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | DFN-5x6 5×6mm | 30V | 120A | 2.93mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
AGM40P100AAGM-Semi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-5x6) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4V vs 1.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Id
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | DFN-5x6 5×6mm | 40V | — | 5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 106nC | 1.2V | 175°C | PDF → |
Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (8)
- AON6407-HXY: polarity-mismatch (P vs N), id-too-low
- AONS21303C: polarity-mismatch (P vs N)
- BSC030P03NS3G-HXY: id-too-low
- E030P4P0HL1: id-too-low, tj-max-too-low
- HXY100P03NF: id-too-low
- IRFH9310TRPBF-HXY: id-too-low
- VBQA2305: id-too-low
- VBZQA50P03: id-too-low