Zamienniki dla AGM614MN
AGM614MN (AGM-Semi)auto
- Typ ukladu
- Dual MOSFET (2× N-channel)
- Obudowa
- SO-8
- Wymiary
- 4.9 × 3.9 × 1.5 mm
Brakuje danych: pinout, Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.
Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →
Kandydaci do weryfikacji (4)
Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.
| MPN | Polar. | Obudowa | Vds | Id | Rds(on) | Qg | Vgs(th) | Tj max | Datasheet |
|---|
AGM614MNAGM-Semi ↓ Twoj uklad | dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 68A | 14.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3nC | 1.6V | 150°C | PDF → |
SQJ200EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.6V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Id
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 111.52V | — | 7.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 1nC | — | 175°C | PDF → |
SQJB68EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (4.78nC vs 3nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Id
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | — | 76.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.78nC | 1.52V | — | PDF → |
SQJ202EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.6V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Id
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 1212V | — | 5.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 1nC | — | — | PDF → |
SQJB70EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.6V vs 2.53V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (47nC vs 3nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Id
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | — | 78mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 47nC | 2.53V | — | PDF → |