AP20P30QALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) ↓ Twoj uklad | P | DFN-8 3×3.3mm | 30V | 20A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 45nC | — | 175°C | PDF → | — |
ASDM30P30CTDASDsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | DFN-8 3.1×3.1mm | 30V | 30A | 15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 2.5V | — | Szukaj PDF → | — |
ME7839S-GMATSUKI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | DFN-8 3.1×3.2mm | 30V | 36.1A | 8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 27.6nC | 1V | 150°C | PDF → | — |
RJJ0315DPA-00#J5ARENESAS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | DFN-8 | 30V | 35A | 2.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 48nC | 2.5V | — | PDF → | — |
DMP3007SCGQ-7Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | DFN-8 | 30V | 50A | 5.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 31.2nC | 1V | 150°C | PDF → | — |
BSC084P03NS3GATMA1Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | DFN-8 | 30V | 78.6A | 8.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 58nC | 3.1V | 150°C | PDF → | — |
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (186nC vs 45nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | DFN-8 | 30V | 25.4A | 3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 186nC | 3.1V | 150°C | PDF → | — |
BSC060P03NS3EGATMA1Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Id 17.7A < 20A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (81nC vs 45nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | DFN-8 | 30V | 17.7A | 6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 81nC | 3.1V | 150°C | PDF → | — |
NP75P03YDG-E1-AYRENESAS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Vds 25V < 30V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (94nC vs 45nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | DFN-8 | 25V | 37.5A | 4.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 94nC | 1.6V | — | PDF → | — |
AO21357Alpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (12)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vds
- Brak danych: Id
- Brak danych: Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| P | DFN-8 | — | — | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | — | Szukaj PDF → | Zobacz ofertę → |