Zamienniki dla AP30H150KA

AP30H150KA (ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor))auto

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: TO-252
Wymiary: 6.5 × 6.1 × 2.3 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (36)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`AP30H150KA` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) ↓ Twoj uklad	N	TO-252 6.5×6.1mm	30V	150A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	70nC	1V	175°C	PDF →
`AP30H150K` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	30V	150A	3.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	54nC	1.2V	150°C	PDF →
`HSU150N03` HUASHUO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	30V	150A	2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →
`NCE30H15K` Wuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	30V	150A	4.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	38nC	1.7V	175°C	PDF →
`SE30150B` SINO-IC Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	30V	150A	2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2nC	2V	150°C	PDF →
`MOT130N03D` MOT Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	30V	240A	2.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1V	150°C	PDF →
`KND2803A` KIA Semicon Tech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Qg wyzsze (110nC vs 70nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	32V	150A	1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	110nC	2V	175°C	PDF →
`AOD210-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	30V	160A	2.24mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1.22V	150°C	PDF →
`AOD508-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	30V	160A	2.24mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1.22V	150°C	PDF →
`DMN3009SK3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	30V	160A	2.24mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1.22V	150°C	PDF →
`IPD90N03S4L-03-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	30V	160A	2.24mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1.22V	150°C	PDF →
`IRFR8314PBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	30V	160A	2.24mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1.22V	150°C	PDF →
`SP30N02AGTH` Siliup Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	30V	150A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1.01V	—	PDF →
`HYG025N04LQ1D` HUAYI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (151nC vs 70nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	40V	150A	2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	151nC	1.7V	175°C	Szukaj PDF →
`BUK6209-30C,118` BUK6209-30C,118 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	30V	—	2040mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30.5nC	1.82V	175°C	PDF →
`FDD8444` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 145A < 150A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	40V	145A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1nC	4V	175°C	PDF →
`DC004NG-Y` DOINGTER Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 120A < 150A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	30V	120A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	3nC	1.5V	175°C	PDF →
`DMTH3004LK3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 120A < 150A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	30V	120A	3.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20.6nC	1.7V	150°C	PDF →
`DOD120N03` DOINGTER Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 120A < 150A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	30V	120A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	3nC	1.5V	175°C	PDF →
`FDD8870-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 120A < 150A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	30V	120A	3.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20.6nC	1.7V	150°C	PDF →
`NTD4804N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 120A < 150A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	30V	120A	3.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20.6nC	1.7V	150°C	PDF →
`NTD4904N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 120A < 150A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	30V	120A	3.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20.6nC	1.7V	150°C	PDF →
`PSMN3R4-30BLE-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 120A < 150A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	30V	120A	3.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20.6nC	1.7V	150°C	PDF →
`NCE30H14K` Wuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 140A < 150A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	30V	140A	2.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	80nC	1.6V	175°C	PDF →
`NCE30H12K` Wuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 120A < 150A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	30V	120A	3.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	79nC	1.6V	175°C	PDF →
`WSF40130` Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 120A < 150A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	40V	120A	2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9.8nC	1.31V	150°C	PDF →
`YJD120N04A` Yangzhou Yangjie Elec Tech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 120A < 150A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	40V	120A	2.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.5V	150°C	PDF →
`SK120N03B` Shikues Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 120A < 150A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	30V	120A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	81nC	1.7V	150°C	PDF →
`NCE40H12K` Wuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 120A < 150A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	40V	120A	5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	75nC	1.8V	175°C	PDF →
`BUK6213-30C,118` BUK6213-30C,118 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Id Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	TO-252 6.5×6.1mm	30V	—	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	Szukaj PDF →
`BUK6213-30C,118-NEX` BUK6213-30C,118-NEX Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Id Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	TO-252 6.5×6.1mm	30V	—	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	Szukaj PDF →
`JMTK060N06A` Jiangsu JieJie Microelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 25V < 30V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas UWAGA: Id 120A < 150A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	25V	120A	4.55mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	103nC	3V	175°C	PDF →
`SP40N01GTH` Siliup Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) UWAGA: Id 140A < 150A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	TO-252 6.5×6.1mm	40V	140A	40mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`SP40N02GTH` Siliup Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) UWAGA: Id 130A < 150A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	TO-252 6.5×6.1mm	40V	130A	40mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	150°C	PDF →
`IRLR8743TRPBF-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 7.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 120A < 150A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (257nC vs 70nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	30V	120A	2.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	257nC	7.5V	—	PDF →
`LR7833-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 7.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 120A < 150A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (257nC vs 70nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	30V	120A	2.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	257nC	7.5V	—	PDF →
`LR7843-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 7.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 120A < 150A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (257nC vs 70nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-252 6.5×6.1mm	30V	120A	2.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	257nC	7.5V	—	PDF →

Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (2)

HYG025N04NA1D: vds-too-low, tj-max-too-low
HYG035N06LS1D: vds-too-low, tj-max-too-low