Zamienniki dla AP30H80Q

AP30H80Q (ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor))auto

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: DFN-8
Wymiary: 3.3 × 3.3 × 1 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (78)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`AP30H80Q` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) ↓ Twoj uklad	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	70A	12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	33.7nC	1.5V	150°C	PDF →
`DMT35M7LFV-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	76A	3.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	21nC	1V	150°C	PDF →
`NTTFSC4937NTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	75A	3.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15.7nC	1.6V	150°C	PDF →
`BSZ058N03LS G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	71A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	1V	150°C	PDF →
`AON7422E-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	80A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	2.5V	150°C	PDF →
`CSD17304Q3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	80A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	2.5V	150°C	PDF →
`HXY80N03DF` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	80A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	2.5V	150°C	PDF →
`IRFHM8329PBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	80A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	2.5V	150°C	PDF →
`NTTFS4821N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	80A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	2.5V	150°C	PDF →
`NTTFS4928N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	80A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	2.5V	150°C	PDF →
`NTTFS4C10N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	80A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	2.5V	150°C	PDF →
`NVTFS4C10N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	80A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	2.5V	150°C	PDF →
`SED3080M` SINO-IC Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.5V vs 4.56V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	80A	4.56mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2nC	4.56V	175°C	PDF →
`SED3081M` SINO-IC Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.5V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	80A	5.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2nC	5V	175°C	PDF →
`SIS402DN-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	80A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	2.5V	150°C	PDF →
`ME7114S-G` MATSUKI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	71A	5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	37nC	1V	150°C	PDF →
`IPC70N04S54R6ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	70A	4.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.22V	175°C	PDF →
`NVTFS5C460NLTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	74A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	1.22V	175°C	PDF →
`NVTFWS004N04CTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	77A	4.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	18nC	2.5V	175°C	PDF →
`IAUC80N04S6N036ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	80A	3.68mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9nC	2.22V	175°C	PDF →
`BSC0902NSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	100A	2.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	26nC	2.2V	150°C	PDF →
`BSZ0502NSI` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	100A	2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9nC	2V	150°C	Szukaj PDF →
`DMT32M5LFG-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	100A	1.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	34nC	1.4V	150°C	PDF →
`G48N03D3` GOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	75A	75mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1.11V	—	PDF →
`AON7418-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.5V vs 5.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	80A	2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	5.5V	150°C	PDF →
`AP90N03Q` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (60nC vs 33.7nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	90A	7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	1.5V	150°C	PDF →
`BSC030N03LSGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (55nC vs 33.7nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	100A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	55nC	1V	150°C	PDF →
`IRFH8303TRPBF` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (58nC vs 33.7nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	100A	1.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	58nC	1.7V	150°C	PDF →
`BSC883N03LS G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.5V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8	34V	98A	3.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	Szukaj PDF →
`AP30H150Q` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.5V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	105A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`BSC011N03LSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (72nC vs 33.7nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	100A	1.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	72nC	2.2V	175°C	PDF →
`BSC030N03MSGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (73nC vs 33.7nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	100A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	73nC	2V	150°C	PDF →
`BSC020N03MSGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (124nC vs 33.7nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	100A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	124nC	1V	150°C	PDF →
`BSC014N03LSGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (131nC vs 33.7nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	100A	1.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	131nC	2.2V	150°C	PDF →
`AON7522` Alpha & Omega Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 60A < 70A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	60A	3.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	22nC	1.5V	150°C	PDF →
`TSM060N03PQ33 RGG` Taiwan Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 62A < 70A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	62A	4.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	25.4nC	1.6V	150°C	PDF →
`DMN3009LFVW-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 60A < 70A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	60A	3.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	1V	150°C	PDF →
`DMN3009LFVWQ-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 60A < 70A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	60A	3.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	1V	150°C	PDF →
`DMT3006LFV-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 60A < 70A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	60A	5.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8.4nC	1V	150°C	PDF →
`FDMC2514SDC-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.5V vs 5.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 60A < 70A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	60A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	5.6V	150°C	PDF →
`WSD3060DN33` Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 60A < 70A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	60A	4.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	1.8V	—	PDF →
`NVTFWS005N04CTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 69A < 70A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	69A	4.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	16nC	2.5V	175°C	PDF →
`WSD4070DN33` Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 68A < 70A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	68A	4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	1.9V	150°C	PDF →
`CSD17304Q3` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 56A < 70A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	56A	6.98mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	0.9nC	1.3V	150°C	PDF →
`DMT2004UFG-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Vds 24V < 30V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	24V	70A	3.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	29.6nC	0.55V	150°C	PDF →
`MOT3150J` MOT Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 65A < 70A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	65A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	38.4nC	2.5V	150°C	PDF →
`BSC032NE2LSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 25V < 30V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	25V	84A	4.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	150°C	PDF →
`IAUC60N04S6L039ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 60A < 70A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	60A	4.02mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.21V	175°C	PDF →
`IAUC60N04S6N044ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 60A < 70A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	60A	4.52mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.22V	175°C	PDF →
`NTTFS5C466NL-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 60A < 70A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	60A	8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.35V	—	PDF →
`NTTFS5C471NL-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 60A < 70A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	60A	8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.35V	—	PDF →
`NTTFS5C478NL-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 60A < 70A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	60A	8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.35V	—	PDF →
`NVTFS008N04C-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 60A < 70A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	60A	8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.35V	—	PDF →
`NVTFS015N04C-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 60A < 70A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	60A	8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.35V	—	PDF →
`NVTFS5C466NL-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 60A < 70A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	60A	8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.35V	—	PDF →
`NVTFS5C471NL-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 60A < 70A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	60A	8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.35V	—	PDF →
`NVTFS5C478NL-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 60A < 70A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	60A	8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.35V	—	PDF →
`NVTFWS008N04C-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 60A < 70A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	60A	8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.35V	—	PDF →
`NVTFWS015N04C-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 60A < 70A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	60A	8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.35V	—	PDF →
`SED4060GM` SINO-IC Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 60A < 70A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	60A	7.59mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14.5nC	1.01V	175°C	PDF →
`CSD16327Q3` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem UWAGA: Vds 25V < 30V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas UWAGA: Id 60A < 70A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	25V	60A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8.4nC	1.4V	150°C	PDF →
`CSD16340Q3` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 25V < 30V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas UWAGA: Id 60A < 70A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	25V	60A	4.35mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1nC	0.6V	150°C	PDF →
`DMN3008SFG-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 62A < 70A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	62A	3.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	41nC	1V	150°C	PDF →
`BSC050NE2LSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 25V < 30V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas UWAGA: Id 58A < 70A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	25V	58A	7.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	150°C	PDF →
`BSC009NE2LSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 25V < 30V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	25V	100A	1.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1V	150°C	PDF →
`BSC014NE2LSIATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 25V < 30V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	25V	100A	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	150°C	PDF →
`BSC882N03LSGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	34V	—	4.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	46nC	2.2V	150°C	PDF →
`NP60N03QR` NATLINEAR Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 60A < 70A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	60A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	42.3nC	1.6V	150°C	PDF →
`BSC016N03LSG` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.5V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Id Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8	30V	—	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`BSC025N03MSG` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.5V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Id Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8	30V	—	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`BSC030N03MSG` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.5V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Id Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8	30V	—	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`BSC080N03MSG` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.5V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Id Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8	30V	—	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`BSC100N03LSG` BSC100N03LSG Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.5V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Id Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8	30V	—	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`BSC882N03LSG` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.5V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Id Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8	30V	—	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`BSC883N03LSG` BSC883N03LSG Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.5V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Id Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8	30V	—	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	Szukaj PDF →
`BSC8899N03MS` BSC8899N03MS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.5V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Id Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8	30V	—	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`BSC886N03LS G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.5V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) UWAGA: Id 65A < 70A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8	30V	65A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	Szukaj PDF →
`S60N03D` HL Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Id 62A < 70A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	62A	5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	2V	—	PDF →
`BSC010NE2LSIATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 25V < 30V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (59nC vs 33.7nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	25V	100A	1.05mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	59nC	2V	—	PDF →