AP4409AGEMAPEC(Advanced Power Elec) ↓ Twoj uklad | P | SO-8 4.9×3.9mm | 35V | 14.5A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 2nC | 1V | 150°C | PDF → |
AO4485&-20-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (16.1nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 16.1A | 1000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 16.1nC | 5V | 150°C | PDF → |
AP9563M-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (16.1nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 16.1A | 1000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 16.1nC | 5V | 150°C | PDF → |
FDS4141-NL-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (16.1nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 16.1A | 1000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 16.1nC | 5V | 150°C | PDF → |
MDS3754ARH-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (16.1nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 16.1A | 1000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 16.1nC | 5V | 150°C | PDF → |
RSS070P05TB-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (16.1nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 16.1A | 1000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 16.1nC | 5V | 150°C | PDF → |
SI4401BDY-T1-E3-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (16.1nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 16.1A | 1000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 16.1nC | 5V | 150°C | PDF → |
TPC8110-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (16.1nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 16.1A | 1000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 16.1nC | 5V | 150°C | PDF → |
RS3G160ATTB1ROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (20nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 16A | 5.06mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20nC | 1V | 150°C | PDF → |
SQ4401EY-T1_BE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (20nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 17.3A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20nC | 2V | 175°C | PDF → |
SQ4401EY-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (20nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 17.3A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20nC | 2V | 175°C | PDF → |
SI7463DP-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (140nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 18.6A | 9.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 140nC | 1V | 150°C | PDF → |
SI7463DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (140nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 18.6A | 9.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 140nC | 1V | 150°C | PDF → |
PJL9415_R2_00001PANJIT International Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 12A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 2nC | 1.6V | 150°C | PDF → |
SL12P03SSlkor(SLKORMICRO Elec.) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 12A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 2nC | — | 150°C | PDF → |
STP4407STANSON Tech. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 20A | 20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 1nC | 1V | 150°C | PDF → |
VBZA4425VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 13.5A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (3.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13.5A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3.5nC | 1.4V | 150°C | PDF → |
4485HL Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 13A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 13A | 40mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.2V | — | PDF → |
RU30L15HShenzhen ruichips Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 14.5A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 1.8V | 150°C | PDF → |
SM4407APRLSPS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | — | Szukaj PDF → |
AP4409SALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- UWAGA: Id 12A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 12A | 7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | — | PDF → |
DMG4413LSS-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (4.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 5.88mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
DMP3015LSS-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (4.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 5.88mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
FDS6673BZ-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (4.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 5.88mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
FDS6679AZ-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (4.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 5.88mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
IRF9321PBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (4.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 5.88mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
IRF9388PBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (4.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 5.88mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
SI4427BDY-T1-E3-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (4.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 5.88mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
TPC8126-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (4.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 5.88mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
WSP4409AWinsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (4.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1V | 150°C | PDF → |
MT8103-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 13.5A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13.5A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | — | PDF → |
HSM3115HUASHUO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 14A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (4.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 14A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
AO4468-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 13A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | — | PDF → |
WSP4409Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (4.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 17.6A | 5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.8V | 150°C | PDF → |
DMG4407SSS-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (4.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 5.88mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
WSP4407Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 13A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (4.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 9.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 2V | 150°C | PDF → |
AO4728-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (6nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 6V | 150°C | PDF → |
VBA2420VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 14.1A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (8nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 14.1A | 15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8nC | 4.6V | 150°C | PDF → |
AO4354-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (6nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 6V | 150°C | PDF → |
AO4430-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (6nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 6V | 150°C | PDF → |
AO4726-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (6nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 6V | 150°C | PDF → |
SI4430BDY-T1-E3-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (6nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 6V | 150°C | PDF → |
SI4466DY-T1-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (6nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 6V | 150°C | PDF → |
CJQ13P04Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 13A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (8.2nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 13A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8.2nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
FDS6673BZonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (8nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 14.5A | 7.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8nC | 1.9V | 150°C | PDF → |
AO4406A-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 13A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (6nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.4V | 150°C | PDF → |
SI4410DYPBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 13A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (6nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.4V | 150°C | PDF → |
AP4439GMAPEC(Advanced Power Elec) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 13.3A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (6.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13.3A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6.5nC | 1V | 150°C | PDF → |
AO4413Alpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (9nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
BRCS070P03SCFoshan Blue Rocket Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (10nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 16A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
ME8107-GMATSUKI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 14A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (24nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 35V | 14A | 5.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 24nC | 1V | 150°C | PDF → |
4409KUU Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (12nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
AO4410-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (12.6nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 1.5V | — | PDF → |
AO4410-MSMSKSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (12.617nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.617nC | 1.52V | 150°C | PDF → |
AO4480Alpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 14A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (22nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 14A | 11.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 0.71V | 150°C | PDF → |
AO4480-MSMSKSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- UWAGA: Id 14A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (22nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 14A | 810mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | — | 125°C | PDF → |
FDS6673AZonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (14.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 14.5A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 14.5nC | 1.6V | 175°C | PDF → |
SI4825DDY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (14.9nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 14.9A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 14.9nC | 5.3V | 150°C | PDF → |
SI4401FDY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 14A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (31nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 14A | 14.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 31nC | 4.7V | 150°C | PDF → |
AO4425Alpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 14A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (63nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 38V | 14A | 20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 63nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
FDS6679AZonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 13A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (10nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 7.79mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 1.9V | 150°C | PDF → |
AO4409Alpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (18nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 18nC | 1.9V | 150°C | PDF → |
SQ4425EY-T1_BE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (11nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 2V | 175°C | PDF → |
DMP3036SSS-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (8.8nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 19.5A | 16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8.8nC | 1.7V | 150°C | PDF → |
VBA2309VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 13.5A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (13.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13.5A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13.5nC | 1.4V | 150°C | PDF → |
VBZA30P15VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 13.5A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (13.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13.5A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13.5nC | 1.4V | 150°C | PDF → |
VBZA6679VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 13.5A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (13.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13.5A | 9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13.5nC | 1.4V | 150°C | PDF → |
AO4492Alpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 14A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (18nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 14A | 9.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 18nC | 2.2V | 150°C | PDF → |
AO4430-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (12.6nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 1.2V | — | PDF → |
SI4420DYPBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (12.6nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 1.2V | — | PDF → |
AO4404-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 13A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (13nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
AO4406-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 13A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (13nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
AO4406A-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 13A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (13nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
AO4408-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 13A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (13nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
AO4420-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 13A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (13nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
AO4492-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 13A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (13nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
AO4724-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 13A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (13nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
SI4410DY-T1-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 13A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (13nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
SI4420BDY-T1-E3-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 13A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (13nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
AO4443-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 13A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (35nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 13A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 35nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
DMP4050SSS-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 13A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (35nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 13A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 35nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
FDS4685-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 13A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (35nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 13A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 35nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
IRF7241PBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 13A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (35nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 13A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 35nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
SI4447DY-T1-E3-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 13A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (35nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 13A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 35nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
SM4485PRL-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 13A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (35nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 13A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 35nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
STP9527-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 13A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (35nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 13A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 35nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
AO4566Alpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 12A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (9.7nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9.7nC | 1.31V | — | PDF → |
G13P04SGOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 13A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (40nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 13A | 15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 40nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
NCE40P13SWuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 13A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (40nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 13A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 40nC | 2V | 150°C | PDF → |
4407AHL Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 12A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (10nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 1.6V | — | PDF → |
IRF9317TRSlkor(SLKORMICRO Elec.) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (35nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 35nC | 1.6V | 150°C | PDF → |
G16P03SGOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (35nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 16A | 16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 35nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
SQ4435EY-T1_BE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (38.358nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 38.358nC | 2V | 175°C | PDF → |
AO4476Alpha & Omega Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (25nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 20A | 7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 25nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
NCE30P15SWuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (48nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 48nC | 5V | 150°C | PDF → |
AO4884-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- UWAGA: Id 12A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (22.9nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 12A | 18.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22.9nC | 1.5V | — | PDF → |
SI4442DY-T1-E3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 3.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 0.61V | 150°C | PDF → |
SI4442DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 3.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 0.61V | 150°C | PDF → |
AOSP21357Alpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 16A | 8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 1.75V | 150°C | PDF → |
AP20P30SALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (55nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 55nC | 1V | 150°C | PDF → |
G18P03SGOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (58nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 8.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 58nC | 1.6V | 150°C | PDF → |
SI4430BDY-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 14A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (36nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 14A | 3.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 36nC | 1.03V | 150°C | PDF → |
SI4430BDY-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 14A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (36nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 14A | 3.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 36nC | 1.03V | 150°C | PDF → |
FDS7779Zonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (70nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 16A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 70nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
BSO080P03NS3 GInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (81nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 14.8A | 8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 81nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
IRF9317TRPBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (92nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 16A | 6.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 92nC | 2.4V | 150°C | PDF → |
DMP3004SSS-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (73nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 16.2A | 3.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 73nC | 1V | 150°C | PDF → |
AO4409-MSMSKSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (100nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 100nC | 1.4V | 150°C | PDF → |
AO4480-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 12.4A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 12.4A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 6V | 150°C | PDF → |
SI4410BDY-T1-E3-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 12A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (13nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
SI4416DY-T1-E3-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 12A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (13nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
SM4447APRLSPS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 2.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (54nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 17A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 54nC | 2.6V | 150°C | PDF → |
RRH140P03TB1ROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3.9V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 14A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (80nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 14A | 7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 80nC | 3.9V | 150°C | PDF → |
AO4423LAlpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (57nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 17A | 6.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 57nC | 2.1V | — | PDF → |
FDS4435Tokmas Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 12A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (15nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 1V | 150°C | PDF → |
DMP3020LSS-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 12A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (15.3nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15.3nC | 1V | 150°C | PDF → |
SI4435FDY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 12.6A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (21nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12.6A | 19mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 21nC | 4.5V | 150°C | PDF → |
SI4483ADY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (19.2nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 19.2A | 8.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 19.2nC | 5.3V | 150°C | PDF → |
RRH140P03GZETBROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3.9V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 14A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (150nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 14A | 7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 150nC | 3.9V | 150°C | PDF → |
DMP3015LSS-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 13A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (30nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 2V | 150°C | PDF → |
DMP3015LSSQ-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 13A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (30nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 2V | 150°C | PDF → |
AO4447AAlpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (130nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 17A | 5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 130nC | 1.2V | 150°C | Szukaj PDF → |
WPM3021-8/TRWILLSEMI(Will Semicon) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 13A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (38nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 38nC | 1V | 150°C | PDF → |
SI4835DDY-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 13A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (65nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 65nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
SI4425FDY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 12.7A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (41nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12.7A | 9.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 41nC | 5V | 150°C | PDF → |
APM4301KC-TRL-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (84nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 84nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
FDS6681Z-NL-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (84nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 84nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
HAT1048RJ-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (84nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 84nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
SM4301PSKC-TRG-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (84nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 84nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
FDS6679Zonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 13A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (71nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 71nC | 1.6V | 175°C | PDF → |
NCE30P12SWuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 12A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (24nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 24nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
RS3E130ATTB1ROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 13A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (83nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 83nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
FDS6679onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 13A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (100nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 100nC | 3V | 175°C | PDF → |
SI4420DYTRPBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 12.5A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (52nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12.5A | 9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 52nC | 1V | 150°C | PDF → |
SI4420DYonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 12.5A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (53nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12.5A | 9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 53nC | 1V | 150°C | PDF → |
SI4420DYPBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 12.5A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (78nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12.5A | 9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 78nC | 1V | 150°C | PDF → |
BR4407Foshan Blue Rocket Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 12A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (37.2nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 37.2nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
ME4411-GMATSUKI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 12.5A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (83.2nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12.5A | 8.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 83.2nC | 1V | 150°C | PDF → |
AO4407AAlpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 12A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (39nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 39nC | 3V | 150°C | PDF → |
AO4407ALAlpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 12A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (39nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 39nC | 3V | 150°C | PDF → |
SL4407ASlkor(SLKORMICRO Elec.) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 12A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (40.1nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 40.1nC | 1.7V | 150°C | PDF → |
BSO080P03SHXUMA1Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 12.6A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (136nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12.6A | 8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 136nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
BSO301SPHXUMA1Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 12.6A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (136nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12.6A | 8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 136nC | 2V | 150°C | PDF → |
AO4407-MSMSKSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 12A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (45nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 45nC | 1V | 150°C | PDF → |
AO4407ElecSuper Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 12A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (46nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 46nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
AP4407ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 12A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (45nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 45nC | 1V | 150°C | PDF → |
DMG4413LSS-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 12A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (46nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 46nC | 1.6V | 150°C | PDF → |
BLM4407BL(Shanghai Belling) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 12A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (55.3nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 11.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 55.3nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
IRF9328TRPBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 12A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (52nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 11.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 52nC | 2.4V | 150°C | PDF → |
AP4407CALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 12A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (60nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 19mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 60nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
SI4425DDY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.9V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (80nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 19.7A | 9.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 80nC | 4.9V | 150°C | PDF → |
BSO080P03NS3GInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 12A < 14.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (81nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 81nC | 3.1V | 150°C | PDF → |
IRF9310TRPBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (165nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 20A | 4.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 165nC | 2.4V | 150°C | PDF → |
FDS6681Zonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (185nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 20A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 185nC | 1.8V | 150°C | PDF → |
SI4459BDY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (84nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 20.5A | 4.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 84nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
SQ4483EY-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (113nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 22A | 7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 113nC | 2V | 175°C | PDF → |
SIR403EDP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (153nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 21.9A | 6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 153nC | 6V | 150°C | PDF → |
SI7149ADP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 30V < 35V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 23.1A | 5.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 4.1V | 150°C | PDF → |