Zamienniki dla AP50P20K

AP50P20K (ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor))auto

Typ ukladu: Dual MOSFET (2× N-channel)
Obudowa: TO-252
Wymiary: 6.5 × 6.1 × 2.3 mm

Brakuje danych: pinout, Vgs pomiaru Rds(on), Vgs(th) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (2)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`AP50P20K` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) ↓ Twoj uklad	dual-N	TO-252 6.5×6.1mm	20V	50A	6.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	46nC	—	150°C	PDF →
`ITD50N04S4L07ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	TO-252 6.5×6.1mm	40V	50A	7.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.21V	175°C	PDF →
`SQD40030E_GE3` SQD40030E_GE3 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (10) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vds Brak danych: Id Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	dual-N	TO-252 6.5×6.1mm	—	—	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	175°C	PDF →