Zamienniki dla AP5N10S

AP5N10S (ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor))auto

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: SOT-23-3
Wymiary: 2.9 × 1.6 × 1.1 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (6)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`AP5N10S` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) ↓ Twoj uklad	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	100V	5A	115mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.8V	150°C	PDF →
`5N10-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	100V	5A	89mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	1.5V	—	PDF →
`HXY5N10MI` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	100V	5A	89mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	1.5V	—	PDF →
`PJM10H10NSC` PJSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.8V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (12nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	100V	10A	110mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12nC	3V	150°C	PDF →
`SI2392DS-T1-GE3-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.8V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 4.3A < 5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	100V	4.3A	100mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	5V	150°C	PDF →
`BSS126H6327` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	600V	—	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2.1nC	2V	150°C	PDF →
`BSS126 H6906` BSS126 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	600V	—	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	2V	—	PDF →

Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (9)

AO3442-HXY: id-too-low
DO3N10SA: id-too-low
FDN8601: id-too-low
GT1003A: id-too-low
HSS3N10: id-too-low
NCE0103Y: id-too-low
PJM10H03NSC: id-too-low
SI2328DS-T1-BE3: id-too-low
ST1002: id-too-low