Zamienniki dla AP90N03GD

AP90N03GD (ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor))auto

Typ ukladu: Dual MOSFET (2× N-channel)
Obudowa: DFN-5x6
Wymiary: 5 × 6 × 1 mm

Brakuje danych: pinout, Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (2)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`AP90N03GD` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) ↓ Twoj uklad	dual-N	DFN-5x6 5×6mm	30V	80A	5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	1V	150°C	PDF →
`CSD86356Q5DT` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in UWAGA: Vds 25V < 30V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN-5x6 5×6mm	25V	88A	4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1.2nC	0.951V	150°C	PDF →
`AGM609MNA` AGM-Semi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in UWAGA: Id 70A < 80A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN-5x6 5×6mm	60V	70A	5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	26nC	1.6V	150°C	PDF →