AUIRF7343QTRInfineon Technologies ↓ Twoj uklad | N | SO-8 4.9×3.9mm | 55V | 4.7A | 50mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 24nC | 1V | 150°C | PDF → |
AP4946SALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 5A | 35mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11.5nC | 3V | 150°C | PDF → |
G08N06SGOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 5A | 5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
MS4559MSKSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 4.8A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
SI4559ADY-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 5.3A | 58mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20nC | 6V | 150°C | PDF → |
SI4559ADY-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 5.3A | 58mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20nC | 6V | 150°C | PDF → |
VBA5638VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 5.3A | 26mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5.3nC | 6V | 150°C | PDF → |
VBZA4611VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 5.3A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1V | 150°C | PDF → |
AM4599C-T1-PF-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 5.3A | 4300mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5.3nC | 6V | 150°C | PDF → |
AP4575GM-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 5.3A | 4300mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5.3nC | 6V | 150°C | PDF → |
CEM6659-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 5.3A | 4300mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5.3nC | 6V | 150°C | PDF → |
FDS4559-NL-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 5.3A | 4300mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5.3nC | 6V | 150°C | PDF → |
FDS4897A-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 5.3A | 4300mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5.3nC | 6V | 150°C | PDF → |
IRF7343TRPBF-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 5.3A | 4300mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5.3nC | 6V | 150°C | PDF → |
SH8M24TB-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 5.3A | 4300mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5.3nC | 6V | 150°C | PDF → |
SI4559EY-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 5.3A | 4300mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5.3nC | 6V | 150°C | PDF → |
ZXMC4559DN8TA-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 5.3A | 4300mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5.3nC | 6V | 150°C | PDF → |
DMN6040SSS-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 5.5A | 90mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22.4nC | 1V | 150°C | PDF → |
FSS275-TL-Eonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6A | 1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 21nC | — | — | PDF → |
G06NP06S2GOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6A | 6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
PJM06C60PAPJSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6A | 3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 14nC | 3V | 150°C | PDF → |
STN4826STANSON Tech. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6A | 8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5.3nC | 0.8V | 150°C | PDF → |
FDS5351onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6.1A | 125mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 1.02V | 150°C | PDF → |
SI4534DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6.2A | 29mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 4.8V | 150°C | PDF → |
NCE603SWuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6A | 26mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 25nC | 1.6V | 150°C | PDF → |
RSS065N06HZGTBROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6.5A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 16nC | 1V | 150°C | PDF → |
SH8MC5TB1ROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6.5A | 32mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 7.6nC | 2.5V | — | Szukaj PDF → |
WSP6064Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6.8A | 33mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 14nC | 1V | 150°C | PDF → |
FDS5690onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.9V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7A | 50mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4nC | 5.9V | 150°C | PDF → |
SI4850EY-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 27nC | 3V | 175°C | PDF → |
SI4850EY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 27nC | 3V | 175°C | PDF → |
SI7850DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6.2A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 27nC | 3V | 150°C | PDF → |
UP9971G-S08-RUTC(Unisonic Tech) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 5A | 60mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 32.5nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
PJL9436A_R2_00001PANJIT International Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7.5A | 7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 2nC | 1.73V | 150°C | PDF → |
STS7NF60LSTMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7.5A | 19.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 7nC | 1V | 150°C | PDF → |
VBA1630VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 7.6A | 25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 7.6nC | 6.3V | 150°C | PDF → |
FDS3590onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 80V | 6.5A | 80mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 6V | 150°C | PDF → |
FDS5680onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 8A | 32mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8.5nC | 4V | 150°C | PDF → |
VBZA4850VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 8A | 27mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8nC | 6.3V | 150°C | PDF → |
IRF7343TRPBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 55V | 4.7A | 2000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 36nC | 1V | 150°C | PDF → |
SI4850BDY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 8.4A | 19.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 17nC | 4.8V | 150°C | PDF → |
FDS4559-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 8.5A | 3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20.3nC | 1.01V | 150°C | PDF → |
HXY4559SHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 8.5A | 3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20.3nC | 1.01V | 150°C | PDF → |
HXY4612SHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 8.5A | 60mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.75V | 150°C | PDF → |
DMT6015LSS-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 9.2A | 12.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8.9nC | 0.5V | 150°C | PDF → |
DMT6016LSS-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 9.2A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8.4nC | 1V | 150°C | PDF → |
BRCS4266SCFoshan Blue Rocket Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 10A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 21nC | 1.8V | 150°C | PDF → |
FDS5670onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 10A | 27mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9nC | 6.8V | 150°C | PDF → |
SIR4606DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 7.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 10.5A | 14.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13.5nC | 7.1V | 150°C | PDF → |
STN4900STANSON Tech. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 11A | 5.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 0.5V | 150°C | PDF → |
SI7850ADP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 12A | 19.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5.2nC | 4.8V | 150°C | PDF → |
WNM6007-8/TRWILLSEMI(Will Semicon) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 12A | 9.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 16nC | 1.4V | 150°C | PDF → |
YJS12G06DYangzhou Yangjie Elec Tech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 12A | 6.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 1.7V | 150°C | PDF → |
SP6038CP8Siliup Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 5A | 60mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 1.01V | — | PDF → |
STS5NF60LSTMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (48nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 5A | 55mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 48nC | 5V | 150°C | PDF → |
VBZA5670VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 12.6A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 6.3V | 150°C | PDF → |
SVT13N06SAHangzhou Silan Microelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 13A | 9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5nC | 1.4V | 150°C | PDF → |
SIR4608DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 13.1A | 9.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 18nC | 5.7V | 150°C | PDF → |
SIR4608LDP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 13.3A | 9.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 23nC | 4.1V | 150°C | PDF → |
ET4410ETERNAL Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 72.2V | 10A | 9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8nC | 1.01V | 150°C | PDF → |
WSP6024Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 15A | 8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 1V | 150°C | PDF → |
SIR4604DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 7.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 15.1A | 7.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 7.1V | 150°C | PDF → |
AP4688SALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6A | 52mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | — | PDF → |
FDS86540onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 18A | 3.74mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 3.1V | 150°C | PDF → |
HSM6056HUASHUO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 23A | 7.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
SQJ168ELP-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 24A | 29mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20nC | 1.52V | 175°C | PDF → |
AP9474GM-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 25A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 6.3V | 150°C | PDF → |
BUK9Y8R8-60ELXBUK9Y8R8-60ELX Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 25A | 3.14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 0.5V | 175°C | PDF → |
NTMFS5C682NLT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 25A | 21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 2.5nC | 1.22V | 175°C | PDF → |
NVMFS5C682NLWFAFT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 25A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 2.5nC | 1.22V | 175°C | PDF → |
STN4438STANSON Tech. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (48nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6.6A | 8.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 48nC | 1V | 150°C | PDF → |
NVMFS5826NLT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 26A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9.1nC | 1.52V | 175°C | PDF → |
BSO615NG-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6.5A | 34mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | — | — | PDF → |
DMN6040SSD-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6.5A | 34mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 1.4V | — | PDF → |
DMN6066SSD-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6.5A | 34mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 1.4V | — | PDF → |
DMN6070SSD-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6.5A | 34mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 1.4V | — | PDF → |
DMNH6042SSDQ-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6.5A | 34mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 1.4V | — | PDF → |
FDS9945-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6.5A | 34mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 1.4V | — | PDF → |
IRF7103PBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6.5A | 34mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 1.4V | — | PDF → |
IRF7341PBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6.5A | 34mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 1.4V | — | PDF → |
SI4946BEY-T1-E3-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6.5A | 34mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 1.4V | — | PDF → |
SQ4946AEY-T1_GE3-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6.5A | 34mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 1.4V | — | PDF → |
SQ9945BEY-T1_GE3-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6.5A | 34mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 1.4V | — | PDF → |
STN4828-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6.5A | 34mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 1.4V | — | PDF → |
STS4DNF60L-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6.5A | 34mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 1.4V | — | PDF → |
ZXMN6A11DN8-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6.5A | 34mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 1.4V | — | PDF → |
ZXMN6A25DN8TA-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6.5A | 34mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 1.4V | — | PDF → |
NVMFWS020N06CT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 28A | 16.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5.8nC | 2.04V | 175°C | PDF → |
SIR688DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 29.2A | 3.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20.5nC | 6V | 150°C | PDF → |
NTMFD016N06CT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 32A | 13.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6.9nC | 2.04V | 175°C | PDF → |
SQ4850EY-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 12A | 17mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 1.522V | 175°C | PDF → |
DMT69M8LSS-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 9.8A | 9.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 33.5nC | 0.7V | 150°C | PDF → |
SIR4604LDP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 15.6A | 7.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 28nC | 5.1V | 150°C | PDF → |
NCE6008ASWuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (38.5nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 8A | 20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 38.5nC | 1.6V | 150°C | PDF → |
NTMFS5H610NLT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 44A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13.7nC | 1.22V | 150°C | PDF → |
NVMFS5H610NLWFT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 48A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13.7nC | 1.22V | 175°C | PDF → |
SIR4602LDP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 15.2A | 7.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 29nC | 4.7V | 150°C | PDF → |
GT110N06SGOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 14A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 4V | 150°C | PDF → |
DMT6009LSS-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 10.8A | 7.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 33.5nC | 0.7V | 150°C | PDF → |
SQJ170ELP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 63A | 16.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SI4896DY-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (41nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 80V | 6.7A | 13.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 41nC | 2V | 150°C | PDF → |
NTMFS5C670NLT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 71A | 6.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9nC | 1.22V | 175°C | PDF → |
UTT4850G-S08-RUTC(Unisonic Tech) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (70nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 6A | 22mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 70nC | 1V | 175°C | PDF → |
SIJ462ADP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 15.8A | 5.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 4.7V | 150°C | PDF → |
CS16N06AE-GWuxi China Resources Huajing Microelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 16A | 6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 1V | 150°C | PDF → |
BUK9Y7R0-60ELXBUK9Y7R0-60ELX Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 125A | 2.53mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 16nC | 0.5V | 175°C | PDF → |
NTMFS5C628NLT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 150A | 2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 24nC | 1.22V | 175°C | PDF → |
NTMFS5C628NLT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 150A | 2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 24nC | 1.22V | 175°C | PDF → |
NVMFS5C628NLWFAFT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 150A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 24nC | 1.22V | 175°C | PDF → |
G06N06SGOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (46nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 8A | 8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 46nC | 2.4V | 150°C | PDF → |
SQJ158EP-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 23A | 33mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 1.52V | 175°C | PDF → |
SQJ850EP-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 24A | 19mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 1.52V | 175°C | PDF → |
SQJ850EP-T2_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 24A | 23mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
YJS4438AYangzhou Yangjie Elec Tech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (51nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 8.2A | 14.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 51nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
IRF7488TRPBFInfineon (ex-International Rectifier) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (57nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 80V | 6.3A | 2429mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 57nC | 2V | 150°C | PDF → |
SQJA60EP-T1_BE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 30A | 10.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 1.52V | 175°C | PDF → |
SQJA60EP-T1_GE3SQJA60EP-T1_GE3 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 30A | 10.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 1.52V | 175°C | PDF → |
SI7852DP-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (41nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 80V | 7.6A | 13.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 41nC | 2V | 150°C | PDF → |
DMT69M8LSS-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 10A | 5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | — | PDF → |
HXY4266SHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 10A | 11.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 1.8V | — | PDF → |
SQ4470EY-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 10A | 5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | — | PDF → |
STN4260STANSON Tech. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (40nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 14A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 40nC | 1V | 150°C | PDF → |
SI4062DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 32.1A | 4.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 32.1nC | 5.8V | 150°C | PDF → |
SI7148DP-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 75V | 28A | 9.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 28nC | 6V | 150°C | PDF → |
SI7148DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 75V | 28A | 9.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 28nC | 6V | 150°C | PDF → |
IRF7473PBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (61nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 80V | 6.9A | 2226mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 61nC | 3.5V | 150°C | PDF → |
FDS5672onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (45nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 12A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 45nC | 4V | 150°C | PDF → |
AP6009SALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (58nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 9A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 58nC | 1.8V | 150°C | PDF → |
NCE6009ASWuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (58nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 9A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 58nC | 1.8V | 150°C | PDF → |
SIR186DP-T1-RE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6.7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (37nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 23A | 3.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 37nC | 6.7V | 150°C | PDF → |
SQJA00EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 30A | 13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 35nC | 3.5V | 175°C | PDF → |
CS12N06AE-GWuxi China Resources Huajing Microelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50.7nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 12A | 10.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50.7nC | 1.4V | 150°C | PDF → |
GT090N06SGOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 14A | 6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 1.6V | — | PDF → |
CRTE120N06LCRMICRO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (45nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 16A | 60mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 45nC | 1.8V | 150°C | PDF → |
SIR184LDP-T1-RE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (41nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 21.5A | 4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 41nC | 4.3V | 150°C | PDF → |
SIR182DP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6.7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 117A | 2.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 33.8nC | 6.7V | 150°C | PDF → |
NTMFS5H630NLT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 120A | 3.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 35nC | 1.22V | 150°C | PDF → |
STS7NF60L-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (60nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 12A | 4600mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 60nC | 6.3V | 150°C | PDF → |
UTM6016G-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (60nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 12A | 4600mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 60nC | 6.3V | 150°C | PDF → |
VBA1615VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (60nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 12A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 60nC | 6.3V | 150°C | PDF → |
SM6128NSK-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (60nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 12.6A | 4600mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 60nC | 6.3V | 150°C | PDF → |
SQJ486EP-T1_BE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 75V | 30A | 26mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 34nC | 2.1V | 175°C | PDF → |
SQJ486EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 75V | 30A | 26mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 34nC | 2.1V | 175°C | PDF → |
SIR188DP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6.7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (44nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 25.5A | 3.85mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 44nC | 6.7V | 150°C | PDF → |
SQJ464EP-T1_BE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (44nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 32A | 17mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 44nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SQJ464EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (44nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 32A | 17mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 44nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SQJ464EP-T2_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (44nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 32A | 17mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 44nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SIR180DP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6.9V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (44nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 32.4A | 2.05mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 44nC | 6.9V | 150°C | PDF → |
SIR186LDP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (48nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 23.8A | 3.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 48nC | 5V | 150°C | PDF → |
AP6007SALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (77nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 12A | 17mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 77nC | 1.6V | 150°C | PDF → |
SIR188LDP-T1-RE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (52nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 25.8A | 3.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 52nC | 5.7V | 150°C | PDF → |
NTMFS5C612NLT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (41nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 235A | 1.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 41nC | 1.22V | 175°C | PDF → |
NVMFS5C612NLWFAFT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (41nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 250A | 1.13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 41nC | 1.22V | 175°C | PDF → |
SQJA06EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (45nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 57A | 8.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 45nC | 3.5V | 175°C | PDF → |
SQ4470EY-T1_BE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 2.53V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (68nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 16A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 68nC | 2.53V | 175°C | PDF → |
SI7460DP-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (100nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 11A | 8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 100nC | 1.03V | 150°C | PDF → |
SI7460DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (100nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 11A | 9.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 100nC | 3V | 150°C | PDF → |
NCE6012ASWuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (93nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 12A | 10.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 93nC | 1.3V | 150°C | PDF → |
AO4268Alpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (65nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 19A | 4.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 65nC | 2.3V | 150°C | PDF → |
SI7164DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 2.54V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (60nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 23.5A | 50mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 60nC | 2.54V | 150°C | PDF → |
SIR626DP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 7.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (52nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 42.8A | 1.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 52nC | 7.4V | 150°C | PDF → |
RU6085HShenzhen ruichips Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 80A | 20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 3V | 150°C | PDF → |
SQJA04EP-T1_BE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (55nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 75A | 6.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 55nC | 3.5V | 175°C | PDF → |
SQJA04EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (55nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 75A | 6.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 55nC | 3.5V | 175°C | PDF → |
ASDM65N18S/SOP8ASDsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (75nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 65V | 18A | 5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 75nC | 1.7V | 150°C | PDF → |
SQJ164ELP-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (57nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 75A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 57nC | 1.52V | 175°C | PDF → |
SIR664DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (60nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 60A | 6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 60nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
SIR180ADP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 7.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (70nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 35A | 2.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 70nC | 7.5V | 150°C | PDF → |
SIR670DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (63nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 60A | 4.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 63nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
SIR182LDP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (84nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 31.7A | 2.75mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 84nC | 4.6V | 150°C | PDF → |
SIR626ADP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 7.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (83nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 40.4A | 1.75mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 83nC | 7.8V | 150°C | PDF → |
SIRS4600DP-T1-RE3Vishay / Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (81nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 58A | 1.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 81nC | 2V | 150°C | PDF → |
SQJA02EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (80nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 60A | 4.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 80nC | 3.5V | 175°C | PDF → |
SQJ460AEP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (106nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 32A | 9.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 106nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SI7478DP-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (160nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 20A | 6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 160nC | 1.03V | 150°C | PDF → |
SI7174DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 2.54V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (60nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 75V | 60A | 50mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 60nC | 2.54V | 150°C | PDF → |
SQJ174EP-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 2.53V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (81nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 293A | 5000mΩ Vgs=10V, 175°C | 81nC | 2.53V | 175°C | PDF → |
SQJA16EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (84nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 278A | 3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 84nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SQJ460AEP-T1_BE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (106nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 58A | 8.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 106nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SQJ460AEP-T2_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (106nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 58A | 8.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 106nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SIDR626LDP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.9V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (135nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 45.6A | 1.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 135nC | 4.9V | 150°C | PDF → |
SIDR626LEP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.9V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (135nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 48.7A | 1.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 135nC | 4.9V | 150°C | PDF → |
SQJA64EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 2.53V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Id
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | — | 25.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 7.612nC | 2.53V | — | PDF → |
RS3L045GNGZETBROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 2.7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 4.5A < 4.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 4.5A | 59mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5.6nC | 2.7V | 150°C | PDF → |
SH8M31GZETBROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 4.5A < 4.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 4.5A | 46mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 7nC | 1V | 150°C | PDF → |
SP8M31HZGTBROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 4.5A < 4.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 4.5A | 1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 7nC | 1V | 150°C | PDF → |
TW4614SQ-XTWGMC Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 4.2A < 4.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 4.2A | 37mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 24.2nC | 1.6V | 150°C | PDF → |
ASDM4976S-RASDsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 4A < 4.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 4A | 50mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5.2nC | 1V | 150°C | PDF → |
DMC6040SSD-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 3.9A < 4.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 3.9A | 33mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20.8nC | 1V | 150°C | PDF → |
SP8M24FRATBROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 45V < 55V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 4.5A < 4.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 45V | 4.5A | 33mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9.6nC | 1V | 150°C | PDF → |
FDS5692Zonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 50V < 55V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 50V | 5.8A | 24mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 25nC | 3V | 150°C | PDF → |
SP8M21FRATBROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Vds 45V < 55V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 45V | 6A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 21.6nC | 1V | 150°C | PDF → |
RSH070N05TB1ROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Vds 45V < 55V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 45V | 7A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 16.8nC | 1V | 150°C | PDF → |
RSS070N05HZGTBROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Vds 45V < 55V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 45V | 7A | 25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 16.8nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
IRF7478TRPBFInfineon (ex-International Rectifier) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 48V < 55V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 48V | 7.6A | 4600mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 7.6nC | 1V | 150°C | PDF → |
FSS273-TL-Eonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- UWAGA: Vds 45V < 55V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (40nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 45V | 8A | 1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 40nC | — | — | PDF → |
SIR150DP-T1-RE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 45V < 55V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (70nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 45V | 30.9A | 2.71mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 70nC | 5.4V | 150°C | PDF → |
SQJ160EP-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (119nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 362A | 1.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 119nC | 2.22V | 175°C | PDF → |
SIJ450DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 45V < 55V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (114nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 45V | 36A | 1.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 114nC | 5.6V | 150°C | PDF → |
SIR450DP-T1-RE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 45V < 55V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (114nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 45V | 36A | 1.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 114nC | 5.6V | 150°C | PDF → |
SIDR608DP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 45V < 55V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (167nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 45V | 51A | 1.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 167nC | 5.8V | 150°C | PDF → |
SIDR608EP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 45V < 55V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (167nC vs 24nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 45V | 56A | 1.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 167nC | 5.8V | 175°C | PDF → |