Zamienniki dla BRCS9435SC

BRCS9435SC (Foshan Blue Rocket Elec)auto

Typ ukladu: MOSFET P-channel
Obudowa: SO-8
Wymiary: 4.9 × 3.9 × 1.5 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (17)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`BRCS9435SC` Foshan Blue Rocket Elec ↓ Twoj uklad	P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	50A	42mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.7V	175°C	PDF →
`TDM3415` Techcode Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	70A	17.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.8V	150°C	PDF →
`SIRA01DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.7V vs 5.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (27nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	4.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	27nC	5.5V	150°C	PDF →
`SM4309PSKP` Sinopower Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.7V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	P	SO-8	30V	100A	3.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`SI7145DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.7V vs 5.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (60nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	2.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	5.1V	150°C	PDF →
`SIR167DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (111nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	5.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	111nC	2.5V	150°C	PDF →
`SI7135DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.7V vs 6.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (250nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	3.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	250nC	6.5V	150°C	PDF →
`SQJ407EP-T1_BE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (260nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	4.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	260nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJ407EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (260nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	4.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	260nC	2.5V	150°C	PDF →
`SQJ433EP-T1_BE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (108nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	75A	8.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	108nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJ433EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (108nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	75A	8.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	108nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJ409EP-T1_BE3` SQJ409EP-T1_BE3 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (260nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	40V	60A	5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	260nC	2V	175°C	PDF →
`SQJ409EP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (260nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	40V	60A	7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	260nC	2V	175°C	PDF →
`NTMFS002P03P8ZT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (23nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	263A	1.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	23nC	1V	150°C	PDF →
`SI4413DDY-T1-GE3` Vishay / Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.7V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Id Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	—	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	Szukaj PDF →
`SM4307PSKPC-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.7V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 47.3A < 50A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (60nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	47.3A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	6V	150°C	PDF →
`SI7139DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.7V vs 5.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 40A < 50A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (40nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	40A	5.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	40nC	5.2V	150°C	PDF →
`SIRA99DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.7V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 47.9A < 50A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (260nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	47.9A	1.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	260nC	6V	150°C	PDF →