Zamienniki dla BSC109N10NS3 G

BSC109N10NS3 G (Infineon Technologies)auto

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: DFN-8
Wymiary: —

Brakuje danych: wymiary, Rds(on), Vgs(th) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (74)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet	Sklep KolegaInformatyk
`BSC109N10NS3 G` Infineon Technologies ↓ Twoj uklad	N	DFN-8	100V	63A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →	—
`BSC159N10LSF G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8 5×6mm	100V	63A	15.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →	—
`BSC118N10NS G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8 5×6mm	100V	71A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →	—
`BSC123N10LS G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8 5×6mm	100V	71A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →	—
`BSC123N10LSGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	100V	71A	12.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	68nC	2.4V	150°C	PDF →	—
`BSC0303LSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	120V	68A	12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.21V	150°C	PDF →	—
`BSC0805LSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	100V	79A	7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	2.3V	150°C	PDF →	—
`NCEP068N10AG` Wuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5.8×4.9mm	100V	85A	8.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	76nC	1.8V	150°C	PDF →	—
`BSC040N10NS5` BSC040N10NS5 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5.1×5.9mm	100V	86A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.23V	—	PDF →	—
`BSC060N10NS3 G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8	100V	90A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →	—
`BSC060N10NS3GATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	100V	90A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	68nC	3.5V	150°C	PDF →	—
`BSC070N10NS3 G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8	100V	90A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	5V	—	PDF →	—
`BSC070N10NS3GATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 6×5mm	100V	90A	7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	55nC	3.5V	150°C	PDF →	—
`BSC070N10NS5ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 6×5mm	100V	90A	7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.23V	150°C	PDF →	—
`BSC100N10NSF G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	100V	90A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	33nC	4V	150°C	PDF →	—
`AONS62922` Alpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5.2×5.6mm	120V	85A	7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	65nC	1.41V	100°C	PDF →	—
`DMT12H007LPS-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	120V	90A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	49nC	1.3V	150°C	PDF →	—
`BSC110N15NS5ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	150V	76A	150mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	6V	150°C	PDF →	—
`BSC110N15NS5SCATMA1` BSC110N15NS5SCATMA1 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	150V	76A	11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	35nC	6V	150°C	PDF →	—
`BSC0402NSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	150V	80A	9.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	33nC	4.6V	150°C	PDF →	—
`BSC079N10NS G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	100V	100A	7.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	87nC	2V	150°C	PDF →	—
`BSC082N10LS G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8 5×6mm	100V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →	—
`CSD19532Q5B` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	100V	100A	4.65mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9.5nC	2.6V	150°C	PDF →	—
`CSD19533Q5A` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	100V	100A	7.89mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5.7nC	2.8V	150°C	PDF →	—
`IAUC100N10S5L040ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	100V	100A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	78nC	1.21V	100°C	PDF →	—
`IAUC100N10S5N040ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	100V	100A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	78nC	2.23V	100°C	PDF →	—
`IAUC100N10S5L054ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	100V	101A	5.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	53nC	1.21V	175°C	PDF →	—
`STL115N10F7AG` STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	100V	107A	5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	72.5nC	2.5V	175°C	PDF →	—
`BSC077N12NS3GATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5.9×5.2mm	120V	98A	6.67mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	88nC	1V	150°C	PDF →	—
`NTMFSC4D2N10MC` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5.1×6.2mm	100V	116A	4.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	27nC	2.04V	175°C	PDF →	—
`BSC040N10NS5SCATMA1` BSC040N10NS5SCATMA1 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	100V	140A	5.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.23V	—	PDF →	—
`BSC030N10NS5SCATMA1` BSC030N10NS5SCATMA1 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	100V	171A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	70nC	2.23V	175°C	PDF →	—
`NTMTSC4D2N10GTXG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 8.3×8.4mm	100V	178A	4.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	159nC	2.04V	175°C	PDF →	—
`BSC074N15NS5` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	150V	114A	7.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	52nC	3.03V	175°C	PDF →	—
`IRL7472L1TRPBF` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	150V	375A	0.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	220nC	1.7V	125°C	PDF →	—
`BSC040N10NS5SC` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	100V	—	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.23V	—	PDF →	—
`BSC070N10NS5SC` BSC070N10NS5SC Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Id Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8 5×6mm	100V	—	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →	—
`BSC118N10NSG` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8	100V	—	1011.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →	—
`BSC098N10NS5ATMA1` BSC098N10NS5ATMA1 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 60A < 63A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	100V	60A	9.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.23V	150°C	PDF →	—
`IAUC60N10S5L110ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 60A < 63A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	100V	60A	11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	1.21V	175°C	PDF →	—
`BSC105N10LSF G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 57A < 63A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	100V	57A	10.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	53nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`KNY3406C` KIA Semicon Tech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 92.5V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5.8×4.9mm	92.5V	80A	7.08mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	55nC	1.3V	150°C	PDF →	—
`CRSM053N08N` CRMICRO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 85V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas UWAGA: Id 60A < 63A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×5.8mm	85V	60A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	55nC	4.75V	150°C	PDF →	—
`IAUC64N08S5L075ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	80V	64A	7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	25nC	1.21V	175°C	PDF →	—
`NTTFS6H850NLTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	80V	64A	7.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	26nC	1.21V	175°C	PDF →	—
`NVTFS6H850NLWFTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	80V	64A	8.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	26nC	1.21V	175°C	PDF →	—
`IAUC70N08S5N074ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	80V	70A	9.11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	2.233V	175°C	PDF →	—
`NVTFS007N08HLTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	80V	71A	7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15.9nC	1.01V	175°C	PDF →	—
`BSC072N08NS5ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	80V	74A	7.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.23V	150°C	PDF →	—
`BSC123N08NS3 G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas UWAGA: Id 55A < 63A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8	80V	55A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →	—
`BSC123N08NS3GATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas UWAGA: Id 55A < 63A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	80V	55A	12.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	25nC	3.5V	150°C	PDF →	—
`BSC061N08NS5ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	80V	82A	6.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	33nC	3.8V	150°C	PDF →	—
`BSC160N15NS5ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 56A < 63A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	150V	56A	16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	23.1nC	4.6V	150°C	PDF →	—
`BSC160N15NS5SCATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 56A < 63A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	150V	56A	16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	23.1nC	4.6V	150°C	PDF →	—
`DMTH8012LPSW-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas UWAGA: Id 53.7A < 63A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 4.9×5.8mm	80V	53.7A	80mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1V	175°C	PDF →	—
`BSC025N08LS5` BSC025N08LS5 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Id Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8 6×5mm	80V	—	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	Szukaj PDF →	—
`BSC052N08NS5ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	80V	95A	5.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.23V	150°C	PDF →	—
`BSC025N08LS5ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	80V	100A	2.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.11V	150°C	PDF →	—
`BSC026N08NS5ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	80V	100A	2.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.233V	150°C	PDF →	—
`BSC030N08NS5ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	80V	100A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.233V	150°C	PDF →	—
`BSC037N08NS5` BSC037N08NS5 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	80V	100A	3.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.233V	150°C	PDF →	—
`BSC037N08NS5ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	80V	100A	3.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	58nC	2.233V	175°C	PDF →	—
`BSC040N08NS5` BSC040N08NS5 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	80V	100A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.23V	—	PDF →	—
`BSC040N08NS5ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 6×5mm	80V	100A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.23V	150°C	PDF →	—
`BSC047N08NS3 G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	80V	100A	80mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	5V	100°C	PDF →	—
`BSC047N08NS3GATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	80V	100A	4.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	69nC	3.5V	150°C	PDF →	—
`BSC057N08NS3 G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8	80V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →	—
`BSC057N08NS3GATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	80V	100A	5.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	56nC	3.5V	150°C	PDF →	—
`DMTH8003SPS-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	80V	100A	3.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	124.3nC	2V	175°C	PDF →	—
`IAUC100N08S5N031ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	80V	100A	3.54mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	76nC	2.23V	175°C	PDF →	—
`IAUC100N08S5N043ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	80V	100A	5.06mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	56nC	2.23V	175°C	PDF →	—
`MDU1931` MGCHIP Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8	80V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →	Zobacz ofertę →
`IAUC100N08S5N034ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	80V	132A	3.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	50nC	2.23V	175°C	PDF →	—
`BSC023N08NS5SCATMA1` BSC023N08NS5SCATMA1 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	80V	202A	2.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.233V	175°C	PDF →	—
`DMTH8001STLWQ-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 1×1.2mm	80V	270A	1.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	138nC	2V	175°C	PDF →	—

Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (3)

CSD19534Q5A: id-too-low
BSC196N10NS G: id-too-low
BSC160N10NS3 G: id-too-low