Zamienniki dla CSD86356Q5DT
CSD86356Q5DT (Texas Instruments)auto
- Typ ukladu
- Dual MOSFET (2× N-channel)
- Obudowa
- DFN-5x6
- Wymiary
- 5 × 6 × 1 mm
Brakuje danych: pinout, Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.
Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →
Kandydaci do weryfikacji (4)
Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.
| MPN | Polar. | Obudowa | Vds | Id | Rds(on) | Qg | Vgs(th) | Tj max | Datasheet |
|---|
CSD86356Q5DTTexas Instruments ↓ Twoj uklad | dual-N | DFN-5x6 5×6mm | 25V | 88A | 4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 1.2nC | 0.951V | 150°C | PDF → |
AP90N03GDALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- UWAGA: Id 80A < 88A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (60nC vs 1.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | DFN-5x6 5×6mm | 30V | 80A | 5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 60nC | 1V | 150°C | PDF → |
IPG20N06S2L-50A-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (22nC vs 1.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | DFN-5x6 5×6mm | 20V | 180A | 3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 2V | 175°C | PDF → |
NVMFD5485NL-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (22nC vs 1.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | DFN-5x6 5×6mm | 20V | 180A | 3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 2V | 175°C | PDF → |
NVMFD5875NL-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (22nC vs 1.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | DFN-5x6 5×6mm | 20V | 180A | 3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 2V | 175°C | PDF → |