Zamienniki dla DMN1150UFL3-7

Sprawdzamy dane ukladu DMN1150UFL3-7...

Trwa uzupelnianie parametrow. Strona odswiezy sie automatycznie. Proba 0/36.

DMN1150UFL3-7 (Diodes Incorporated)

Typ ukladu: Dual MOSFET (2× N-channel)
Obudowa: DFN
Wymiary: —

Brakuje danych: wymiary, pinout, Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (26)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`DMN1150UFL3-7` Diodes Incorporated ↓ Twoj uklad	dual-N	DFN	12V	2A	119mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1.4nC	1V	150°C	PDF →
`DMN2300UFL4-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	dual-N	DFN	20V	2.11A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1.6nC	—	150°C	PDF →
`PMDPB95XNE2X` Nexperia Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (2.94nC vs 1.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN 2×2mm	30V	2.8A	77mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2.94nC	0.751V	150°C	PDF →
`AGM1075MBP` AGM-Semi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN 3.3×3.3mm	100V	12A	965mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1nC	1.6V	150°C	PDF →
`PMDPB30XN,115` Nexperia Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (14.421nC vs 1.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN 2×2mm	20V	3A	80mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14.421nC	0.4V	150°C	PDF →
`DMN1025UFDB-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (12.6nC vs 1.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN	12V	6.9A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12.6nC	0.4V	150°C	PDF →
`PJM05DN20DFA` PJSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (4nC vs 1.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN 2×2mm	20V	5.5A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4nC	3V	150°C	PDF →
`PJQ5866A_R2_00001` PANJIT International Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN	60V	7A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2nC	1.7V	150°C	PDF →
`PJQ5850_R2_00001` PANJIT International Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (3nC vs 1.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN	40V	5A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	3nC	1.8V	150°C	PDF →
`CJBM3020` Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (3nC vs 1.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN 3.3×3.3mm	30V	20A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	3nC	1V	150°C	PDF →
`DMN2016LHAB-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (8.4nC vs 1.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN	20V	7.5A	13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8.4nC	1.1V	150°C	PDF →
`SED8830A` SINO-IC Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11nC vs 1.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN 2×5mm	20V	7A	14.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	0.8V	150°C	PDF →
`DMN2014LHAB-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (10) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (8.4nC vs 1.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	dual-N	DFN	20V	9A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8.4nC	—	150°C	PDF →
`CJCD2007` Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 1.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN	20V	8A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1V	150°C	PDF →
`DMG5802LFX-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (14.5nC vs 1.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN 5×2mm	24V	6.5A	24mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14.5nC	0.9V	150°C	PDF →
`CJCD2004` Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (17nC vs 1.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN	20V	10A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	17nC	1V	150°C	PDF →
`ASDM30DN30E-R` ASDsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (4.5nC vs 1.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN 3.3×3.3mm	30V	30A	16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`UT6KC5TCR` ROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 1.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN	60V	3.5A	95mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	1V	150°C	PDF →
`WSD3020DN33` Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (5.9nC vs 1.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN 3.3×3.3mm	30V	21A	17mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5.9nC	1.5V	—	PDF →
`ASDM30DN40E-R` ASDsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (23nC vs 1.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN	20V	30A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	23nC	1.5V	150°C	PDF →
`DMT6018LDR-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (6.2nC vs 1.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN	60V	8.8A	17mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6.2nC	1V	150°C	PDF →
`DMT3009LDT-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13.8nC vs 1.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN	30V	30A	7.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13.8nC	3V	150°C	PDF →
`AGM306MBP` AGM-Semi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (12.8nC vs 1.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN 3.3×3.3mm	30V	46A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12.8nC	1.4V	150°C	PDF →
`G33N03D3` GOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 1.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN 3.3×3.3mm	30V	33A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1.01V	—	PDF →
`YJQ3622A` Yangzhou Yangjie Elec Tech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (23.6nC vs 1.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN	30V	30A	7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	23.6nC	1.5V	175°C	PDF →
`IPG20N04S4L-08A` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (39nC vs 1.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN	40V	20A	8.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	39nC	1.21V	175°C	PDF →
`IPG20N10S4-36A` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (12nC vs 1.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN	100V	20A	36mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12nC	2.02V	175°C	PDF →