Zamienniki dla DMN2016LHAB-7

Sprawdzamy dane ukladu DMN2016LHAB-7...

Trwa uzupelnianie parametrow. Strona odswiezy sie automatycznie. Proba 0/36.

DMN2016LHAB-7 (Diodes Incorporated)

Typ ukladu: Dual MOSFET (2× N-channel)
Obudowa: DFN
Wymiary: —

Brakuje danych: wymiary, pinout, Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (19)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`DMN2016LHAB-7` Diodes Incorporated ↓ Twoj uklad	dual-N	DFN	20V	7.5A	13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8.4nC	1.1V	150°C	PDF →
`DMN2014LHAB-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	dual-N	DFN	20V	9A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8.4nC	—	150°C	PDF →
`CJCD2007` Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 8.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN	20V	8A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1V	150°C	PDF →
`DMT6018LDR-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN	60V	8.8A	17mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6.2nC	1V	150°C	PDF →
`CJCD2004` Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (17nC vs 8.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN	20V	10A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	17nC	1V	150°C	PDF →
`CJBM3020` Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN 3.3×3.3mm	30V	20A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	3nC	1V	150°C	PDF →
`WSD3020DN33` Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN 3.3×3.3mm	30V	21A	17mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5.9nC	1.5V	—	PDF →
`ASDM30DN30E-R` ASDsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN 3.3×3.3mm	30V	30A	16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`AGM1075MBP` AGM-Semi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN 3.3×3.3mm	100V	12A	965mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1nC	1.6V	150°C	PDF →
`DMN2011UFX-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (24nC vs 8.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN	20V	12.2A	9.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	24nC	0.3V	150°C	PDF →
`DMT3009LDT-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (13.8nC vs 8.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN	30V	30A	7.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13.8nC	3V	150°C	PDF →
`AGM306MBP` AGM-Semi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (12.8nC vs 8.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN 3.3×3.3mm	30V	46A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12.8nC	1.4V	150°C	PDF →
`ASDM30DN40E-R` ASDsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (23nC vs 8.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN	20V	30A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	23nC	1.5V	150°C	PDF →
`G33N03D3` GOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 8.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN 3.3×3.3mm	30V	33A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1.01V	—	PDF →
`YJQ3622A` Yangzhou Yangjie Elec Tech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (23.6nC vs 8.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN	30V	30A	7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	23.6nC	1.5V	175°C	PDF →
`IPG20N10S4-36A` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN	100V	20A	36mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12nC	2.02V	175°C	PDF →
`SED8830A` SINO-IC Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in UWAGA: Id 7A < 7.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN 2×5mm	20V	7A	14.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	0.8V	150°C	PDF →
`DMG5802LFX-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in UWAGA: Id 6.5A < 7.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (14.5nC vs 8.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN 5×2mm	24V	6.5A	24mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14.5nC	0.9V	150°C	PDF →
`PJQ5866A_R2_00001` PANJIT International Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in UWAGA: Id 7A < 7.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN	60V	7A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2nC	1.7V	150°C	PDF →
`IPG20N04S4L-08A` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (39nC vs 8.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN	40V	20A	8.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	39nC	1.21V	175°C	PDF →