Zamienniki dla DMNH6065SPDWQ-13

DMNH6065SPDWQ-13 (Diodes Incorporated)

Typ ukladu: Dual MOSFET (2× N-channel)
Obudowa: DFN-8
Wymiary: 5 × 6 × 1 mm

Brakuje danych: pinout, Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (4)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`DMNH6065SPDWQ-13` Diodes Incorporated ↓ Twoj uklad	dual-N	DFN-8 5×6mm	60V	27A	53mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.6nC	1V	175°C	PDF →
`NVMFD5C674NLT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN-8 4.9×5.9mm	60V	35.2A	14.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.7nC	1.22V	175°C	PDF →
`NVMFD6H846NLWFT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (17nC vs 4.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN-8 4.9×5.9mm	80V	31A	12.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	17nC	1.22V	175°C	PDF →
`DMTH6010LPDQ-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20.3nC vs 4.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN-8	60V	47.6A	8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20.3nC	1V	175°C	PDF →
`NVMFD5873NLWFT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (16.5nC vs 4.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN-8	60V	58A	10.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	16.5nC	1.52V	175°C	PDF →