Zamienniki dla DMP3035SFG-7

DMP3035SFG-7 (Diodes Incorporated)auto

Typ ukladu: MOSFET P-channel
Obudowa: DFN-8
Wymiary: 3.3 × 3.3 × 1 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (93)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet	Sklep KolegaInformatyk
`DMP3035SFG-7` Diodes Incorporated ↓ Twoj uklad	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	8.5A	15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	17nC	1.7V	150°C	PDF →	—
`AON7401-MS` MSKSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	9A	2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`DMP3036SFG-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	8.7A	13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8.8nC	2V	150°C	PDF →	—
`FDMC4435BZ` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	8.5A	125mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1.8V	150°C	PDF →	—
`FDMC4435BZ-F127-L701` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	8.5A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1.8V	150°C	PDF →	—
`SE30P09D` SINO-IC Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	9A	2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2nC	1.5V	150°C	PDF →	—
`MOT3728J` MOT Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	9A	22mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.5V	150°C	PDF →	—
`DMP3021SFVWQ-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	11A	10.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	17.4nC	1V	150°C	PDF →	—
`FDMC6679AZ` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	11.5A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1.8V	150°C	PDF →	—
`DMP3013SFV-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	12A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	16.2nC	1V	150°C	PDF →	—
`G12P03D3` GOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	12A	12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1.5V	150°C	PDF →	—
`SE30P12D` SINO-IC Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	12A	2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2nC	1.5V	150°C	PDF →	—
`DMG7401SFG-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	9.8A	9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20.5nC	1.7V	150°C	PDF →	—
`DMG7401SFGQ-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	9.8A	9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20.5nC	1.7V	150°C	PDF →	—
`DMP3017SFG-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	11.5A	8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`DMP3017SFGQ-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	11.5A	8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`FDMC013P030Z` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8	30V	14A	7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.6V	150°C	PDF →	—
`G16P03D3` GOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	16A	45mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1.7V	150°C	PDF →	—
`BSZ180P03NS3EGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.7V vs 3.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 17nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8	30V	9A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	3.1V	150°C	PDF →	—
`DMP3018SFV-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (28nC vs 17nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	11A	12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	28nC	1V	150°C	PDF →	—
`DMP3036SFV-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	25A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`SI7121DN-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	25A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`SI7619DN-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	25A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`STL6P3LLH6-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	25A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`G18P03D3` GOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	28A	50mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1.5V	150°C	PDF →	—
`ASDM30P30CTD` ASDsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.1×3.1mm	30V	30A	15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	2.5V	—	Szukaj PDF →	—
`DMP3036SFV-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	30A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8.8nC	1V	150°C	PDF →	—
`MDV3604URH-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	32A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12.5nC	1.95V	—	PDF →	—
`NVTFS014P04M8LTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (26.5nC vs 17nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	11.3A	13.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	26.5nC	2.4V	175°C	PDF →	—
`DMP3013SFV-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	35A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	16.2nC	1V	150°C	PDF →	—
`WSD30L40DN` Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	40A	11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.8V	—	PDF →	—
`DMP3008SFG-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (47nC vs 17nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	8.6A	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	47nC	1.6V	150°C	PDF →	—
`DMP3008SFGQ-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (47nC vs 17nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	8.6A	12.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	47nC	1.6V	150°C	PDF →	—
`PE507BA` NIKO Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	42A	14.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2nC	1.5V	150°C	PDF →	—
`RU30L30M-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.7V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	45A	4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14.4nC	5V	150°C	PDF →	—
`SSPS7333P-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.7V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	45A	4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14.4nC	5V	150°C	PDF →	—
`VBQF2309` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.7V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	45A	4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14.4nC	5V	150°C	PDF →	—
`VBZQF50P03` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.7V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	45A	4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14.4nC	5V	150°C	PDF →	—
`DMP4013LFG-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (32.5nC vs 17nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	10.3A	9.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	32.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`DMP4013LFGQ-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (32.5nC vs 17nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	10.3A	9.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	32.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`BSZ088N03LS G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	7.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	7.5nC	2.2V	150°C	PDF →	—
`HN6373` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`HXY50P03DF` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`SM3303PSQGC-TRG` Sinopower Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	17.1nC	1.8V	—	PDF →	—
`BSC200P03LSG` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (48.5nC vs 17nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8	30V	9.9A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	48.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`AGM30P05AP` AGM-Semi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	60A	5.57mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1.6V	150°C	PDF →	—
`WSD30L68DN` Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	68A	5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.8V	—	PDF →	—
`AGM40P55AP` AGM-Semi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	31A	2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8nC	1.6V	150°C	PDF →	—
`AON7401` Alpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.7V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (39nC vs 17nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	12A	14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	39nC	3V	150°C	PDF →	—
`TTG90P03ATC` WUXI UNIGROUP MICRO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	90A	6.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1.7V	175°C	PDF →	—
`WSD30L30DN33` Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	32A	15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	1.8V	150°C	PDF →	—
`DMP3011SFVWQ-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	19.8A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	25nC	1V	150°C	PDF →	—
`NVTFWS014P04M8LTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	49A	18.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	175°C	PDF →	—
`HXY20P06DF` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	20A	85mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`NVTFS5116PL-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	20A	85mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`NVTFS5116PL-MS` MSKSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	20A	85mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`SI7309DN-T1-E3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	20A	60mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`SI7415DN-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	20A	65mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`AP15P03Q` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (60nC vs 17nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	12A	35mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	1V	150°C	PDF →	—
`DOZ30P03` DOINGTER Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (26.3nC vs 17nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	30A	15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	26.3nC	1.5V	150°C	PDF →	—
`ESN7403` ElecSuper Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (26.4nC vs 17nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	31A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	26.4nC	1.5V	—	PDF →	—
`AP18P30Q` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.7V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	20A	10.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →	—
`JSM7409` JSMSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (27nC vs 17nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	32A	15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	27nC	1.8V	150°C	PDF →	—
`JSM7409B` JSMSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.7V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 17nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	25A	4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	4.5V	150°C	PDF →	—
`BLM12P03-R` BL(Shanghai Belling) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (36nC vs 17nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	20A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	36nC	1.5V	150°C	PDF →	—
`ME7839S-G` MATSUKI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (27.6nC vs 17nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.1×3.2mm	30V	36.1A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	27.6nC	1V	150°C	PDF →	—
`BSZ086P03NS3EGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.7V vs 3.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (57.5nC vs 17nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8	30V	13.5A	8.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	57.5nC	3.1V	150°C	PDF →	—
`BSZ086P03NS3GATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (57.5nC vs 17nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8	30V	13.5A	8.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	57.5nC	2.5V	150°C	PDF →	—
`BSC084P03NS3EGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.7V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (57.7nC vs 17nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8	30V	14.9A	8.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	57.7nC	3V	150°C	PDF →	—
`DMP3013SFV-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 17nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	55A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	1.5V	150°C	PDF →	—
`DMP3017SFGQ-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 17nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	55A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	1.5V	150°C	PDF →	—
`SIS413DN-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 17nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	55A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	1.5V	150°C	PDF →	—
`DMP3007SCGQ-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (31.2nC vs 17nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8	30V	50A	5.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	31.2nC	1V	150°C	PDF →	—
`AP40P04Q` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.7V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	30A	7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →	—
`BSC060P03NS3EGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.7V vs 3.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (81nC vs 17nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8	30V	17.7A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	81nC	3.1V	150°C	PDF →	—
`NVTFS015P03P8ZTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.7V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (105nC vs 17nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	17A	7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	105nC	3V	175°C	PDF →	—
`RJJ0315DPA-00#J5A` RENESAS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (48nC vs 17nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8	30V	35A	2.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	48nC	2.5V	—	PDF →	—
`DOZ40P03` DOINGTER Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (45nC vs 17nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	40A	11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	45nC	1.5V	150°C	PDF →	—
`AP90P03Q` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (45nC vs 17nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	60A	7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	45nC	1V	150°C	PDF →	—
`ASDM30P11TD-R` ASDsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (61nC vs 17nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	55A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	61nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`BSC084P03NS3GATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.7V vs 3.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (58nC vs 17nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8	30V	78.6A	8.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	58nC	3.1V	150°C	PDF →	—
`BSC030P03NS3GAUMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.7V vs 3.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (186nC vs 17nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8	30V	25.4A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	186nC	3.1V	150°C	PDF →	—
`AGM30P25MBP` AGM-Semi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 8A < 8.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	8A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2.9nC	1.5V	150°C	PDF →	—
`DMPH4029LFG-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 8A < 8.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	8A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	17nC	1V	175°C	PDF →	—
`DMPH4029LFGQ-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 8A < 8.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	8A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	17nC	1V	175°C	PDF →	—
`AGM40P65AP` AGM-Semi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 7.5A < 8.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	7.5A	65mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2nC	1.65V	150°C	PDF →	—
`DMP4025SFG-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 7.2A < 8.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	7.2A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.3V	150°C	PDF →	—
`DMG7401SFG-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 7A < 8.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	7A	9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20.5nC	1.7V	150°C	PDF →	—
`AON7403L` Alpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.7V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 8A < 8.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8	30V	8A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	24nC	3V	150°C	Szukaj PDF →	Zobacz ofertę →
`DMP6023LFG-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 7.7A < 8.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (26.5nC vs 17nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	7.7A	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	26.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`DMP6023LFG-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 7.7A < 8.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (26.5nC vs 17nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	7.7A	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	26.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`AO21357` Alpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (13) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.7V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vds Brak danych: Id Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	P	DFN-8	—	—	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	Szukaj PDF →	Zobacz ofertę →
`CSD25402Q3A-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vds Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	—	48A	60mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	0.4V	150°C	PDF →	—
`NP75P03YDG-E1-AY` RENESAS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 25V < 30V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (94nC vs 17nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8	25V	37.5A	4.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	94nC	1.6V	—	PDF →	—

Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (1)

WSD2209DN33: vds-too-low