DMP4013LFG-7Diodes Incorporated ↓ Twoj uklad | P | DFN-8 3.3×3.3mm | 40V | 10.3A | 9.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 32.5nC | 1V | 150°C | PDF → | — |
DMP4013LFGQ-7Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | DFN-8 3.3×3.3mm | 40V | 10.3A | 9.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 32.5nC | 1V | 150°C | PDF → | — |
NVTFS014P04M8LTAGonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | DFN-8 3.3×3.3mm | 40V | 11.3A | 13.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 26.5nC | 2.4V | 175°C | PDF → | — |
AGM40P55APAGM-Semi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | DFN-8 3.3×3.3mm | 40V | 31A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8nC | 1.6V | 150°C | PDF → | — |
HXY20P06DFHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | DFN-8 3.3×3.3mm | 60V | 20A | 85mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | 150°C | PDF → | — |
NVTFS5116PL-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | DFN-8 3.3×3.3mm | 60V | 20A | 85mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | 150°C | PDF → | — |
NVTFS5116PL-MSMSKSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | DFN-8 3.3×3.3mm | 60V | 20A | 85mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | 150°C | PDF → | — |
SI7309DN-T1-E3-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | DFN-8 3.3×3.3mm | 60V | 20A | 60mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | 150°C | PDF → | — |
SI7415DN-T1-GE3-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | DFN-8 3.3×3.3mm | 60V | 20A | 65mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | 150°C | PDF → | — |
NVTFWS014P04M8LTAGonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | DFN-8 3.3×3.3mm | 40V | 49A | 18.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1V | 175°C | PDF → | — |
AP40P04QALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| P | DFN-8 3.3×3.3mm | 40V | 30A | 7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | — | PDF → | — |
CSD25402Q3A-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vds
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | DFN-8 3.3×3.3mm | — | 48A | 60mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 0.4V | 150°C | PDF → | — |
AO21357Alpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (13)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vds
- Brak danych: Id
- Brak danych: Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| P | DFN-8 | — | — | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | — | Szukaj PDF → | Zobacz ofertę → |