Zamienniki dla DMP6050SFG-13

DMP6050SFG-13 (Diodes Incorporated)auto

Typ ukladu: MOSFET P-channel
Obudowa: DFN-8
Wymiary: 3.3 × 3.3 × 1 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (10)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet	Sklep KolegaInformatyk
`DMP6050SFG-13` Diodes Incorporated ↓ Twoj uklad	P	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	4.8A	36mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11.9nC	1V	150°C	PDF →	—
`HXY20P06DF` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	20A	85mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`NVTFS5116PL-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	20A	85mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`NVTFS5116PL-MS` MSKSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	20A	85mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`SI7309DN-T1-E3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	20A	60mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`SI7415DN-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	20A	65mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`DMP6023LFG-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (26.5nC vs 11.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	7.7A	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	26.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`DMP6023LFG-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (26.5nC vs 11.9nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	7.7A	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	26.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`FDMC86139P` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 4.4A < 4.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	100V	4.4A	67mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.4nC	3V	150°C	PDF →	—
`AO21357` Alpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (13) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vds Brak danych: Id Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	P	DFN-8	—	—	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	Szukaj PDF →	Zobacz ofertę →
`CSD25402Q3A-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vds Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	—	48A	60mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	0.4V	150°C	PDF →	—