Zamienniki dla DMT5012LFVW-7

DMT5012LFVW-7 (Diodes Incorporated)auto

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: DFN-8
Wymiary: 3.3 × 3.3 × 1 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (177)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`DMT5012LFVW-7` Diodes Incorporated ↓ Twoj uklad	N	DFN-8 3.3×3.3mm	50V	11.7A	9.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10.5nC	1.2V	150°C	PDF →
`ISC0703NLSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	60V	13A	6.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.11V	175°C	PDF →
`ISZ0703NLSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	60V	13A	7.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.11V	175°C	PDF →
`FDMC86520L` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.2V vs 7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	60V	13.5A	6.57mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	7V	150°C	PDF →
`BSZ042N06NSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	60V	17A	4.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.12V	150°C	PDF →
`FDMC86520DC` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.2V vs 2.53V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	17A	5.16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.53V	150°C	PDF →
`ISZ0702NLSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	60V	17A	4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.11V	175°C	PDF →
`BSZ037N06LS5ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	60V	18A	3.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.11V	150°C	PDF →
`BSZ039N06NSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	60V	18A	3.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.12V	150°C	PDF →
`DMN6069SFGQ-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	18A	39mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6.4nC	1V	150°C	PDF →
`NTTFS030N06CTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	19A	24.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.7nC	2.04V	175°C	PDF →
`20N06D` HL Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	20A	60mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2.5nC	2.5V	—	PDF →
`NVTFS5C680NLTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	20A	26.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2.9nC	1.22V	175°C	PDF →
`ISC0702NLSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	60V	23A	2.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.11V	175°C	PDF →
`NVTFS024N06CTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	24A	18.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5.7nC	2.04V	175°C	PDF →
`NTTFS020N06CTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	27A	20.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5.8nC	2.04V	175°C	PDF →
`BSC014N06NSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	60V	30A	1.45mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.12V	150°C	PDF →
`NTTFS5826NL-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	30A	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →
`STL8N6LF6AG` STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	60V	32A	21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1V	175°C	PDF →
`DMT6008LFG-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (22.4nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	13A	5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	22.4nC	0.7V	150°C	PDF →
`CSD18543Q3AT` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	35A	60mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2nC	2V	150°C	PDF →
`ISC011N06LM5ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	60V	37A	1.15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.1V	175°C	PDF →
`DMT6007LFG-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (19.3nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	15A	4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	19.3nC	0.8V	150°C	PDF →
`BSZ068N06NSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	60V	40A	6.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.12V	150°C	PDF →
`IAUZ40N06S5N050ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	60V	40A	5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4nC	2.22V	175°C	PDF →
`DMTH6016LFVWQ-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	41A	12.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	7.3nC	1V	175°C	PDF →
`IAUC41N06S5L100ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	60V	41A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.21V	175°C	PDF →
`ISC009N06LM5ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	60V	41A	0.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.1V	175°C	PDF →
`BSC097N06NSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	60V	46A	9.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.12V	150°C	PDF →
`BSC094N06LS5ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	60V	47A	9.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.11V	150°C	PDF →
`NVTFS5C673NLTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	50A	9.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.22V	175°C	PDF →
`NVTFS5C673NLWFTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	50A	9.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.22V	175°C	PDF →
`BSC065N06LS5ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	60V	64A	6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.11V	150°C	PDF →
`NTTFS5CS70NLTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	70A	5.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9nC	1.22V	175°C	PDF →
`NVTFS5C670NLTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	70A	6.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9nC	1.22V	175°C	PDF →
`BSC019N06NSATMA1` BSC019N06NSATMA1 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	60V	100A	1.95mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.12V	—	PDF →
`BSC028N06NSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	60V	132A	2.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.12V	150°C	PDF →
`BSC016N06NSSCATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	60V	234A	1.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.12V	175°C	PDF →
`BUK7M33-60EX-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20.3nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	20A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20.3nC	1.6V	175°C	PDF →
`BUK9M42-60EX-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20.3nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	20A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20.3nC	1.6V	175°C	PDF →
`BUK9M53-60EX-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20.3nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	20A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20.3nC	1.6V	175°C	PDF →
`BUK9M85-60EX-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20.3nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	20A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20.3nC	1.6V	175°C	PDF →
`SI7308DN-T1-E3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20.3nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	20A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20.3nC	1.6V	175°C	PDF →
`NTTFS5C658NLTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	109A	4.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12nC	1.22V	175°C	PDF →
`NVTFS5C658NLTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	109A	4.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12nC	1.22V	175°C	PDF →
`DMT6009LFG-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	34A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15.6nC	0.7V	150°C	PDF →
`BSZ100N06NSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.2V vs 3.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	60V	40A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	3.3V	150°C	PDF →
`NVTFS5824NLTWG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (16nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	37A	20.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	16nC	2.5V	175°C	PDF →
`BSZ067N06LS3GATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (67nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	60V	14A	6.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	67nC	2.2V	150°C	PDF →
`NTTFS5826NLTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (25nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	20A	24mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	25nC	1.53V	175°C	PDF →
`IAUZ40N06S5N105ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (16.3nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	60V	40A	10.712mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	16.3nC	2.22V	175°C	PDF →
`BSC067N06LS3` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (67nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	60V	15A	12.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	67nC	1.21V	150°C	PDF →
`IAUC41N06S5N102ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (16.3nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	60V	47A	9.811mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	16.3nC	2.22V	175°C	PDF →
`HXY30N06DF` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20.3nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	30A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20.3nC	1.6V	175°C	PDF →
`DMT6010LFG-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (19.3nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	34A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	19.3nC	0.8V	150°C	PDF →
`NTTFS030N06C-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (26nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	30A	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	26nC	1.21V	150°C	PDF →
`NVTFS5826NL-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (26nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	30A	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	26nC	1.21V	150°C	PDF →
`NVTFS5C680NL-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (26nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	30A	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	26nC	1.21V	150°C	PDF →
`SI7414DN-T1-E3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (26nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	30A	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	26nC	1.21V	150°C	PDF →
`SQ7414AEN-T1_GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (26nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	30A	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	26nC	1.21V	150°C	PDF →
`IAUC60N06S5N074ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	60V	60A	7.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	2.22V	175°C	PDF →
`DMT6007LFG-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (19.3nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	80A	4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	19.3nC	0.8V	150°C	PDF →
`BSC066N06NSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.2V vs 3.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (21nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	64A	6.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	21nC	3.3V	150°C	PDF →
`CJAE35SN06` Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (28nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	35A	10.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	28nC	1.01V	150°C	PDF →
`DMT6008LFG-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (22.4nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	60A	5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	22.4nC	0.7V	150°C	PDF →
`DMT69M8LFV-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (33.5nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	45A	7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	33.5nC	1V	150°C	PDF →
`DMT68M8LFV-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	54.1A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	1V	150°C	PDF →
`BSC110N06NS3GATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.2V vs 4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (33nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	60V	50A	11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	33nC	4V	150°C	PDF →
`DOZ35N06` DOINGTER Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.2V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (48nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	35A	15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	48nC	5V	150°C	PDF →
`BSC039N06NSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.2V vs 2.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (27nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	60V	100A	3.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	27nC	2.8V	150°C	PDF →
`WSD6036DN` Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (42nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	50A	14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	42nC	1.6V	—	PDF →
`IAUZ40N06S5L050ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (36.7nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	60V	90A	5.36mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	36.7nC	1.21V	175°C	PDF →
`BSC067N06LS3GATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (67nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	60V	50A	12.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	67nC	1.21V	150°C	PDF →
`BSZ063N04LS6ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	15A	6.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9.5nC	2.3V	175°C	PDF →
`IPC50N04S55R8ATMA1` IPC50N04S55R8ATMA1 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane Brak danych: wymiary Brak danych: Id	N	DFN-8	40V	—	7.2mΩ Vgs=20V, 125°C	4nC	2.22V	—	PDF →
`IPC70N04S5L4R2ATMA1` IPC70N04S5L4R2ATMA1 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane Brak danych: wymiary Brak danych: Id	N	DFN-8	40V	—	6.1mΩ Vgs=16V, 125°C	10nC	1.21V	—	PDF →
`IPC90N04S5-3R6` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane Brak danych: wymiary Brak danych: Id	N	DFN-8	40V	—	4.4mΩ Vgs=20V, 125°C	10nC	2.22V	—	PDF →
`IPC90N04S53R6ATMA1` IPC90N04S53R6ATMA1 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane Brak danych: wymiary Brak danych: Id	N	DFN-8	40V	—	4.4mΩ Vgs=20V, 125°C	10nC	2.22V	—	PDF →
`DMT47M2SFVW-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	15.4A	5.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12.1nC	2.5V	150°C	PDF →
`DMT47M2SFVWQ-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	15.4A	5.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12.1nC	2.5V	150°C	PDF →
`DMT6009LFG-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Id 11A < 11.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	11A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15.6nC	0.7V	150°C	PDF →
`BSZ028N04LSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	21A	2.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	150°C	PDF →
`BSZ025N04LSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	22A	3.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	150°C	PDF →
`NTTFS5C478NLTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	26A	11.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	3.8nC	1.22V	175°C	PDF →
`NVTFS5C478NLTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	26A	14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	3.8nC	1.2V	175°C	PDF →
`BSZ018N04LS6ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	27A	1.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.3V	175°C	PDF →
`FDMC8327L-L701` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	12A	7.49mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	1.01V	150°C	PDF →
`DMT4011LFG-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	30A	9.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	7nC	1V	150°C	PDF →
`DMT4011LFG-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	30A	9.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	7nC	1V	150°C	PDF →
`DOZ22N04` DOINGTER Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.2V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	22A	2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12nC	5V	150°C	PDF →
`BSC093N04LSGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (24nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	13A	9.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	24nC	2V	150°C	PDF →
`IPZ40N04S58R4ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	40A	8.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.22V	175°C	PDF →
`IPZ40N04S5L7R4ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	40A	7.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.21V	175°C	PDF →
`NVTFS5811NLTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	40A	2.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2.5nC	1.52V	175°C	PDF →
`NTTFS5C471NLTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	41A	7.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5.5nC	1.21V	175°C	PDF →
`DMN6013LFG-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 10.3A < 11.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (26.6nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	10.3A	9.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	26.6nC	1.8V	150°C	PDF →
`DMN6013LFGQ-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 10.3A < 11.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (26.6nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	60V	10.3A	9.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	26.6nC	1.8V	150°C	PDF →
`NVTFWS008N04CTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.2V vs 2.53V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	48A	7.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.53V	175°C	PDF →
`IPC50N04S5L5R5ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	50A	5.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.21V	175°C	PDF →
`NTTFS5C466NLTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	51A	6.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	7nC	1.22V	175°C	PDF →
`AP2716QD` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.2V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	16A	44mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`IAUC60N04S6L039ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	60A	4.02mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.21V	175°C	PDF →
`IAUC60N04S6N044ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	60A	4.52mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.22V	175°C	PDF →
`NTTFS5C466NL-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	60A	8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.35V	—	PDF →
`NTTFS5C471NL-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	60A	8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.35V	—	PDF →
`NTTFS5C478NL-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	60A	8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.35V	—	PDF →
`NVTFS008N04C-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	60A	8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.35V	—	PDF →
`NVTFS015N04C-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	60A	8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.35V	—	PDF →
`NVTFS5C466NL-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	60A	8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.35V	—	PDF →
`NVTFS5C471NL-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	60A	8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.35V	—	PDF →
`NVTFS5C478NL-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	60A	8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.35V	—	PDF →
`NVTFWS008N04C-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	60A	8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.35V	—	PDF →
`NVTFWS015N04C-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	60A	8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.35V	—	PDF →
`IPC100N04S5-1R9` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	—	300mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	2.22V	—	PDF →
`IPC70N04S54R6ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	70A	4.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.22V	175°C	PDF →
`IAUC80N04S6N036ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	80A	3.68mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9nC	2.22V	175°C	PDF →
`IPC90N04S5L3R3ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	90A	3.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.21V	175°C	PDF →
`BSC014N04LS` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	100A	1.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	—	PDF →
`BSC014N04LSI` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	100A	2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	—	PDF →
`BSC019N04LS` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	100A	1.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	—	PDF →
`IAUC100N04S6L020ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	100A	2.04mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.21V	175°C	PDF →
`IAUC100N04S6L025ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	100A	2.56mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.21V	175°C	PDF →
`IAUC100N04S6N015ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	100A	1.55mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9nC	2.22V	175°C	PDF →
`IAUC100N04S6N022ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	100A	2.26mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.22V	175°C	PDF →
`IAUC100N04S6N028ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	100A	2.86mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9nC	2.22V	175°C	PDF →
`IPC100N04S5L2R6ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	100A	2.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.21V	175°C	PDF →
`NVTFS5C460NLTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	74A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	1.22V	175°C	PDF →
`IAUC120N04S6L005ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	120A	0.55mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.21V	175°C	PDF →
`IAUC120N04S6L012ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	120A	1.21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.21V	175°C	PDF →
`IAUC120N04S6N006ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	120A	0.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.22V	175°C	PDF →
`IAUC120N04S6N010ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	150A	1.03mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.22V	175°C	PDF →
`BSC009N04LSSCATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	301A	1.24mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	175°C	PDF →
`BSC007N04LS6ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	381A	0.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.3V	175°C	PDF →
`FDMC8462` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.2V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (43nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	14A	5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	43nC	3V	150°C	PDF →
`BSC059N04LSGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (40nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	16A	5.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	40nC	2V	150°C	PDF →
`LNND04R120` LONTEN Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (25nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	20A	12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	25nC	2V	125°C	PDF →
`SED4060GM` SINO-IC Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	60A	7.59mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14.5nC	1.01V	175°C	PDF →
`BSC032N04LSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (25nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	21A	3.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	25nC	2V	150°C	PDF →
`NCEP4040Q` Wuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (17.6nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.1×3.2mm	40V	40A	11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	17.6nC	1.6V	150°C	PDF →
`G30N04D3` GOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.2V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	30A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	5V	—	PDF →
`GT100N04D3` GOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	35A	35mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	1.01V	—	PDF →
`NVTFWS005N04CTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (16nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	69A	4.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	16nC	2.5V	175°C	PDF →
`WSD4038DN33` Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	38A	10.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	1.8V	150°C	PDF →
`GT095N04D3` GOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	47A	47mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	1.01V	—	PDF →
`NVTFWS004N04CTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (18nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	77A	4.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	18nC	2.5V	175°C	PDF →
`GT060N04D3` GOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	56A	56mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	1.01V	150°C	PDF →
`WSD4070DN33` Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	68A	4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	1.9V	150°C	PDF →
`DMTH43M8LFG-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (40.1nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	24A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	40.1nC	1.5V	175°C	PDF →
`AON7242` Alpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (32nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	30A	3.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	32nC	2.3V	150°C	PDF →
`IRLH7134TRPBF` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (39nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	26A	3.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	39nC	1V	150°C	PDF →
`APG035N04Q` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.2V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20.3nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	100A	2.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20.3nC	3V	150°C	PDF →
`BSC035N04LSGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (64nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	21A	3.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	64nC	2V	150°C	PDF →
`IPC100N04S5-1R2` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	100A	1.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	2.22V	175°C	PDF →
`IPC100N04S5-2R8` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	100A	3.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	2.22V	175°C	PDF →
`IPC100N04S5L-1R5` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	100A	2.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1.21V	175°C	PDF →
`NVTFS003N04CTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.2V vs 2.53V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (23nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	103A	2.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	23nC	2.53V	175°C	PDF →
`NVTFWS003N04CTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.2V vs 2.53V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (23nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	103A	2.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	23nC	2.53V	175°C	PDF →
`IPZ40N04S53R9ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (25nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	89A	4.04mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	25nC	2.22V	175°C	PDF →
`IPZ40N04S5L3R6ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (32.8nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	87A	3.84mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	32.8nC	1.21V	175°C	PDF →
`NVTFS5C453NLTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (35nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	107A	3.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	35nC	1.22V	175°C	PDF →
`NVTFS5C453NLWFTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (35nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.1×3.1mm	40V	107A	3.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	35nC	1.22V	—	PDF →
`IAUC120N06S5L032ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (51.5nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	60V	120A	3.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	51.5nC	1.21V	175°C	PDF →
`BSC018N04LSGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (150nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	30A	40mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	150nC	1.2V	150°C	PDF →
`NVTFWS002N04CTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.2V vs 2.53V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (34nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	136A	2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	34nC	2.53V	175°C	PDF →
`DMT43M8LFV-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (44.4nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	87A	3.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	44.4nC	1.6V	150°C	PDF →
`DMT43M8LFV-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (44.4nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	87A	3.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	44.4nC	1.6V	150°C	PDF →
`STL120N4F6AG` STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.2V vs 4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (63nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	55A	3.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	63nC	4V	175°C	PDF →
`IAUC120N06S5N017ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (95.9nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	60V	120A	1.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	95.9nC	2.22V	175°C	PDF →
`NVTFS002N04CLTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (49nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	142A	1.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	49nC	1.22V	175°C	PDF →
`IPC100N04S5L1R9ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (60nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	100A	1.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	1.21V	175°C	PDF →
`IAUC120N04S6N013ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (60nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	120A	1.34mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	2.22V	175°C	PDF →
`BSC014N06NSSCATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.2V vs 3.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (104nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	60V	261A	1.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	104nC	3.3V	175°C	PDF →
`IAUC120N04S6N009ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (80nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	120A	0.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	80nC	2.22V	175°C	PDF →
`IPC100N04S5L1R5ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (95nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	100A	1.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	95nC	2V	175°C	PDF →
`IPC100N04S51R2ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (131nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	100A	1.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	131nC	2.22V	175°C	PDF →
`IPC100N04S5L1R1ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (140nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	100A	1.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	140nC	1.21V	175°C	PDF →
`BSC016N04LSGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (150nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	100A	40mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	150nC	1.2V	150°C	PDF →
`IAUC120N04S6L009ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 40V < 50V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (128nC vs 10.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	40V	150A	81.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	128nC	2V	175°C	PDF →

Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (2)

AGM420MAP: id-too-low
FDMC8015L-L701: id-too-low