FDA15N65onsemi ↓ Twoj uklad | N | TO-3P | 650V | 9.6A | 440mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5nC | 3V | 150°C | PDF → |
FQA10N80onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-3P) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- Brak danych: wymiary
| N | TO-3P | 800V | 9.8A | 1050mΩ Vgs=10V, temperatura nieznana | 4nC | 3V | 150°C | PDF → |
FQA10N80Consemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-3P) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-3P | 800V | 10A | 1100mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4nC | 3V | 150°C | PDF → |
FQA10N80C-F109FQA10N80C-F109 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-3P) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-3P | 800V | 10A | 1100mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4nC | 3V | 150°C | PDF → |
FQA13N80FQA13N80 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-3P) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- Brak danych: wymiary
| N | TO-3P | 800V | 13A | 750mΩ Vgs=10V, temperatura nieznana | 4nC | 3V | 150°C | PDF → |
FQA11N90C-F109onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-3P) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (13nC vs 5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-3P | 900V | 11A | 1100mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 3V | 150°C | PDF → |
FQA15N70onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-3P) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (90nC vs 5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-3P | 700V | 15A | 560mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 90nC | 5V | 150°C | PDF → |
IXTQ34N65X2MLittelfuse/IXYS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-3P) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (54nC vs 5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-3P | 650V | 34A | 96mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 54nC | 3V | 150°C | PDF → |
FQA10N60CFQA10N60C Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-3P) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 600V < 650V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- Brak danych: wymiary
| N | TO-3P | 600V | 10A | 730mΩ Vgs=10V, temperatura nieznana | 4nC | 2V | 150°C | PDF → |
FQA8N80onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-3P) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Id 8.4A < 9.6A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-3P | 800V | 8.4A | 1200mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4nC | 3V | 150°C | PDF → |
FQA8N90Consemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-3P) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Id 8A < 9.6A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-3P | 900V | 8A | 1900mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4nC | 3V | 150°C | PDF → |
FCA35N60onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-3P) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Vds 600V < 650V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-3P | 600V | 35A | 79mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4nC | 3V | 150°C | PDF → |
FQA19N60FQA19N60 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-3P) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Vds 600V < 650V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 9.3A < 9.6A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (17nC vs 5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-3P | 600V | 9.3A | 380mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 17nC | 3V | 150°C | PDF → |
RJK60S5DPK-M0#T0RENESAS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-3P) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Vds 600V < 650V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (27nC vs 5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| N | TO-3P | 600V | 10A | 178mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 27nC | — | — | PDF → |
IXFQ8N85XLittelfuse/IXYS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-3P) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Id 8A < 9.6A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (17nC vs 5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-3P | 850V | 8A | 850mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 17nC | 3V | 150°C | PDF → |
FQA12N60onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-3P) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Vds 600V < 650V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (54nC vs 5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-3P | 600V | 12A | 700mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 54nC | 5V | 150°C | PDF → |
IXTQ14N60PLittelfuse/IXYS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-3P) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Vds 600V < 650V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (36nC vs 5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-3P | 600V | 14A | 550mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 36nC | 3V | 150°C | PDF → |
MD9N90Minos Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-3P) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Id 9A < 9.6A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (60nC vs 5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-3P | 900V | 9A | 1.15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 60nC | 3.03V | — | PDF → |
FQA9N90-F109onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-3P) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Id 8.6A < 9.6A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (72nC vs 5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-3P | 900V | 8.6A | 1300mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 72nC | 5V | 150°C | PDF → |
CS9N90ANHDCRMICRO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-3P) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 9A < 9.6A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (450nC vs 5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-3P | 900V | 9A | 950mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 450nC | 2V | 150°C | PDF → |
IXTQ22N60PLittelfuse/IXYS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-3P) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Vds 600V < 650V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (62nC vs 5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-3P | 600V | 22A | 25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 62nC | 3.05V | 150°C | PDF → |
IXTQ48N65X2MLittelfuse/IXYS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-3P) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (76nC vs 5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-3P | 650V | 48A | 65mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 76nC | 5V | 150°C | Szukaj PDF → |
IXFQ50N60P3Littelfuse/IXYS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-3P) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Vds 600V < 650V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (94nC vs 5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-3P | 600V | 50A | 1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 94nC | 3V | 150°C | PDF → |
FQA28N15onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-3P) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (12nC vs 5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vds
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-3P | — | 33A | 90mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12nC | 2V | 175°C | PDF → |
KNH7650AKIA Semicon Tech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-3P) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (76nC vs 5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vds
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-3P | — | 25A | 170mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 76nC | 2V | 150°C | PDF → |
KNH3725AKIA Semicon Tech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-3P) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (75nC vs 5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vds
| N | TO-3P | — | 50A | 4560mΩ Vgs=20V, temperatura nieznana | 75nC | 4V | 150°C | PDF → |
FQA170N06onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-3P) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vds
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-3P | — | 85A | 60mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 2V | 175°C | PDF → |