Zamienniki dla FDC6561AN
FDC6561AN (onsemi)
- Typ ukladu
- Dual MOSFET (2× N-channel)
- Obudowa
- TSOT-26
- Wymiary
- —
Brakuje danych: wymiary, pinout, Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.
Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →
Kandydaci do weryfikacji (2)
Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.
| MPN | Polar. | Obudowa | Vds | Id | Rds(on) | Qg | Vgs(th) | Tj max | Datasheet |
|---|
FDC6561ANonsemi ↓ Twoj uklad | dual-N | TSOT-26 | 30V | 2.5A | 2500mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 2.33nC | 4V | 150°C | PDF → |
DMN3061SVT-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9)- brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4V vs 1.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (3.5nC vs 2.33nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | TSOT-26 | 30V | 3.4A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3.5nC | 1.3V | 150°C | PDF → |
DMN3135LVT-7Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9)- brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4V vs 1.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (4.1nC vs 2.33nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | TSOT-26 | 30V | 3.5A | 60mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.1nC | 1.8V | 150°C | PDF → |