Zamienniki dla FDG6335N
FDG6335N (onsemi)
- Typ ukladu
- Dual MOSFET (2× N-channel)
- Obudowa
- SC-70-6(SOT-363)
- Wymiary
- —
Brakuje danych: wymiary, pinout, Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.
Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →
Kandydaci do weryfikacji (4)
Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.
| MPN | Polar. | Obudowa | Vds | Id | Rds(on) | Qg | Vgs(th) | Tj max | Datasheet |
|---|
FDG6335Nonsemi ↓ Twoj uklad | dual-N | SC-70-6(SOT-363) | 20V | 0.7A | 20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 1.11nC | 0.61V | 150°C | PDF → |
DMN3190LDW-7Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SC-70-6(SOT-363) | 30V | 1A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 0.9nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
BSD840NH6327Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9)- brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- oryginal to logic-level (Vgs(th) 0.61V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| dual-N | SC-70-6(SOT-363) | 20V | 0.88A | 400mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | — | PDF → |
SI1922EDH-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (2.5nC vs 1.11nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SC-70-6(SOT-363) | 20V | 1.3A | 300mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 2.5nC | 2.3V | 150°C | PDF → |
SI1900DL-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- UWAGA: Id 0.63A < 0.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | SC-70-6(SOT-363) | 30V | 0.63A | 410mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 1.4nC | 1.03V | 150°C | PDF → |