Zamienniki dla FDMA2002NZ

FDMA2002NZ (onsemi)

Typ ukladu: Dual MOSFET (2× N-channel)
Obudowa: DFN-6
Wymiary: 2 × 2 × 1 mm

Brakuje danych: pinout, Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (8)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`FDMA2002NZ` onsemi ↓ Twoj uklad	dual-N	DFN-6 2×2mm	30V	2.9A	123mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2.4nC	1V	150°C	PDF →
`CSD87502Q2` Texas Instruments Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN-6 2×2mm	30V	4A	42mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	0.5nC	1.6V	185°C	PDF →
`NTLJD4116NT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (5.46nC vs 2.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN-6 2×2mm	30V	3.7A	70mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5.46nC	0.4V	150°C	PDF →
`DMN3032LFDB-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (5nC vs 2.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN-6	30V	6.2A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5nC	1.5V	150°C	PDF →
`DMN3032LFDBQ-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (5nC vs 2.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN-6	30V	6.2A	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5nC	1.5V	150°C	PDF →
`IRLHS6376TRPBF-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 2.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN-6 2×2mm	30V	5A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	5V	150°C	PDF →
`DMT3020LFDB-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) brak potwierdzonych wymiarow po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (7nC vs 2.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN-6	30V	7.7A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	7nC	3V	150°C	PDF →
`SIA906EDJ-T1-GE3-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 2.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN-6 2×2mm	30V	5.8A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	5V	150°C	PDF →
`NCE30D0808J` Wuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (12nC vs 2.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	DFN-6 2×2mm	30V	7.7A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12nC	1.5V	150°C	PDF →