Zamienniki dla FDMC8097AC

FDMC8097AC (onsemi)auto

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: DFN-8
Wymiary: —

Brakuje danych: wymiary, Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (51)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`FDMC8097AC` onsemi ↓ Twoj uklad	N	DFN-8	150V	2.4A	212mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6.2nC	4V	150°C	PDF →
`BSC22DN20NS3 G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	200V	7A	5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5.6nC	4V	150°C	PDF →
`BSC22DN20NS3GATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	200V	7A	5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5.6nC	4V	150°C	PDF →
`FDMC86240` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4V vs 2.02V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	150V	4.6A	51mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.02V	150°C	PDF →
`FDMC86260` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	150V	5.4A	34mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	4V	150°C	PDF →
`FDMS86200DC` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4V vs 2.03V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5.2×6.2mm	150V	9.3A	17mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.03V	150°C	PDF →
`FDMS86200` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4V vs 2.02V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 4.9×5.8mm	150V	9.6A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.02V	150°C	PDF →
`BSC12DN20NS3GATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	200V	11.3A	125mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8.7nC	4V	150°C	PDF →
`BSZ12DN20NS3GATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	200V	11.3A	125mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8.7nC	4V	150°C	PDF →
`BSZ300N15NS5` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	150V	32A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	3.03V	—	PDF →
`AON7254` Alpha & Omega Semiconductor Inc. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	150V	5.5A	54mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	2.7V	150°C	PDF →
`BSC110N15NS5ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	150V	76A	150mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	6V	150°C	PDF →
`BSC520N15NS3GATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (12nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	150V	21A	52mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12nC	4V	150°C	PDF →
`BSZ520N15NS3GATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (12nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	150V	21A	52mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12nC	4V	150°C	PDF →
`BSC360N15NS3 G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	150V	33A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	4V	—	PDF →
`BSC12DN20NS3 G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8 5×6mm	200V	11.3A	5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`BSC900N20NS3 G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11.6nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	200V	15.2A	1001mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11.6nC	4V	150°C	PDF →
`BSC900N20NS3GATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11.6nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	200V	15.2A	90mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11.6nC	4V	150°C	PDF →
`BSC16DN25NS3GATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (11.4nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	250V	10.9A	165mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11.4nC	4V	150°C	PDF →
`BSC500N20NS3GATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (15nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	200V	24A	50mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	4V	150°C	PDF →
`DMT15H017LPS-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4V vs 1.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (50nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	150V	9.4A	14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	50nC	1.3V	150°C	PDF →
`BSC160N15NS5ATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (23.1nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	150V	56A	16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	23.1nC	4.6V	150°C	PDF →
`BSC160N15NS5SCATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (23.1nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	150V	56A	16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	23.1nC	4.6V	150°C	PDF →
`RJK2076DPA-00#J5A` RENESAS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (19nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8	200V	20A	85mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	19nC	—	—	PDF →
`FDMC2610` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem UWAGA: Id 2.2A < 2.4A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (18nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	200V	2.2A	200mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	18nC	4V	150°C	PDF →
`BSC120N12LSGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4V vs 1.21V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 120V < 150V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	120V	10A	12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.21V	150°C	PDF →
`BSC080N12LSGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4V vs 1.21V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 120V < 150V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	120V	12A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.21V	150°C	PDF →
`BSC0303LSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4V vs 1.21V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 120V < 150V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	120V	68A	12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.21V	150°C	PDF →
`NTTFS5820NLTAG-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 123V < 150V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	123V	15A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`BSC190N12NS3GATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 120V < 150V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (34nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	120V	8.6A	19mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	34nC	4V	150°C	PDF →
`BSC190N15NS3GATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (31nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 6×5mm	150V	50A	19mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	31nC	4V	150°C	PDF →
`BSC430N25NSFDATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	250V	36A	3443mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1V	—	PDF →
`BSC0402NSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (33nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	150V	80A	9.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	33nC	4.6V	150°C	PDF →
`BSC110N15NS5SCATMA1` BSC110N15NS5SCATMA1 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (35nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	150V	76A	11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	35nC	6V	150°C	PDF →
`KNY3404C` KIA Semicon Tech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5.8×4.9mm	252V	80A	5.06mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	5.84V	—	PDF →
`NVMTSC4D3N15MC` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (79nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 8.3×8.4mm	150V	23A	4.45mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	79nC	3.64V	175°C	PDF →
`IRFH8201TRPBF` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4V vs 1.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (56nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	150V	49A	0.95mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	56nC	1.8V	150°C	PDF →
`BSC320N20NS3GATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (29nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	200V	36A	32mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	29nC	4V	150°C	PDF →
`BSC350N20NSFDATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	200V	35A	200mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	1V	175°C	PDF →
`BSC074N15NS5` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (52nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	150V	114A	7.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	52nC	3.03V	175°C	PDF →
`BSC240N12NS3G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 120V < 150V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (27nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	120V	37A	24mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	27nC	4V	150°C	PDF →
`BSZ240N12NS3 G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 120V < 150V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (27nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	120V	37A	24mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	27nC	4V	150°C	PDF →
`BSC190N12NS3 G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem UWAGA: Vds 120V < 150V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (34nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	120V	44A	19mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	34nC	4V	150°C	PDF →
`BSC220N20NSFD` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (43nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	200V	52A	17.722mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	43nC	1V	175°C	PDF →
`IRL7472L1TRPBF` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4V vs 1.7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (220nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	150V	375A	0.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	220nC	1.7V	125°C	PDF →
`FDMS4D0N12C` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4V vs 2.04V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 120V < 150V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (82nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5.2×6.2mm	120V	18.5A	3.34mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	82nC	2.04V	150°C	PDF →
`DMT12H007LPS-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4V vs 1.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 120V < 150V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (49nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×6mm	120V	90A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	49nC	1.3V	150°C	PDF →
`BSC600N25NS3GATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (29nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	250V	25A	250mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	29nC	1V	150°C	PDF →
`BSC670N25NSFDATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	250V	24A	67mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	4V	175°C	PDF →
`BSC077N12NS3GATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 120V < 150V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (88nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5.9×5.2mm	120V	98A	6.67mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	88nC	1V	150°C	PDF →
`HYG200N12NS1C2` HUAYI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (33.4nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 5×5.8mm	234V	60A	14.718mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	33.4nC	3V	125°C	PDF →
`IRFH5025TRPBF` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (37nC vs 6.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	250V	25A	200mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	37nC	3V	150°C	PDF →