Zamienniki dla FDMC86261P

FDMC86261P (onsemi)auto

Typ ukladu: MOSFET P-channel
Obudowa: DFN-8
Wymiary: 3.3 × 3.3 × 1 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (4)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet	Sklep KolegaInformatyk
`FDMC86261P` onsemi ↓ Twoj uklad	P	DFN-8 3.3×3.3mm	150V	2.4A	160mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	3V	150°C	PDF →	—
`FDMC86259P` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8	150V	3A	107mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.8V	150°C	PDF →	—
`FDMC86262P` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 2A < 2.4A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (75nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	150V	2A	307mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	75nC	2.9V	150°C	PDF →	—
`AO21357` Alpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (12) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vds Brak danych: Id Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	P	DFN-8	—	—	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	Szukaj PDF →	Zobacz ofertę →
`CSD25402Q3A-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 0.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vds Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	—	48A	60mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	0.4V	150°C	PDF →	—