Zamienniki dla FDS2672

FDS2672 (onsemi)auto

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: SO-8
Wymiary: 4.9 × 3.9 × 1.5 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (19)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`FDS2672` onsemi ↓ Twoj uklad	N	SO-8 4.9×3.9mm	200V	3.9A	150mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	4V	150°C	PDF →
`SI7172ADP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (19.5nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	200V	5.3A	50mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	19.5nC	6.7V	150°C	PDF →
`SI7190ADP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (22.4nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	250V	4.3A	102mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	22.4nC	7V	150°C	PDF →
`SIR624DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (18.6nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	200V	5.7A	60mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	18.6nC	6.7V	150°C	PDF →
`AGM628S` AGM-Semi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4V vs 1.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	262.2V	4A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	1.6V	150°C	PDF →
`SI7450DP-T1-E3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (34nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	200V	5.3A	80mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	34nC	2V	150°C	PDF →
`SIR616DP-T1-GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20.2nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	200V	20.2A	50.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20.2nC	6.8V	150°C	PDF →
`SIR610DP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	200V	35.4A	31.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	7.1V	150°C	PDF →
`SIR690DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (23.8nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	200V	34.4A	35mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	23.8nC	7.3V	150°C	PDF →
`SQJA20EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (27nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	200V	22.5A	50mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	27nC	3.5V	175°C	PDF →
`SIR692DP-T1-RE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	250V	24.2A	63mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	7.5V	150°C	PDF →
`SQJ454EP-T1_BE3` SQJ454EP-T1_BE3 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4V vs 1.52V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (85nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	200V	13A	118mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	85nC	1.52V	175°C	PDF →
`SQJ454EP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (85nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	200V	13A	145mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	85nC	2.5V	175°C	PDF →
`SIR690DP-T1-RE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (48nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	200V	34.4A	35mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	48nC	7.3V	150°C	PDF →
`AUIRF7484QTR` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (69nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	250V	14A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	69nC	1V	150°C	PDF →
`SI7172DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (77nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	200V	25A	70mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	77nC	2V	150°C	PDF →
`SQJA20EP-T1_BE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (17.627nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	200V	—	41mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	17.627nC	2.53V	—	PDF →
`SI7434ADP-T1-RE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 3.7A < 3.9A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (16.5nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	250V	3.7A	150mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	16.5nC	6.9V	150°C	PDF →
`SI7450DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 3.2A < 3.9A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (42nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	200V	3.2A	80mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	42nC	4.5V	150°C	PDF →
`SI7190DP-T1-GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (72nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	250V	18.4A	98mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	72nC	4V	150°C	PDF →

Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (12)

AM4392N-T1-VB: id-too-low
FDS2170N3: id-too-low
FDS2170N7: id-too-low
FDS2670: id-too-low
IRF7450PBF: id-too-low
SI4464DY-T1-E3: polarity-mismatch (N vs P), id-too-low
SI4464DY-T1-GE3: polarity-mismatch (N vs P), id-too-low
SI4488DY-T1-GE3: polarity-mismatch (N vs P), vds-too-low
SI4490DY-T1-E3: polarity-mismatch (N vs P)
SI7464DP-T1-E3: id-too-low
SI7464DP-T1-GE3: id-too-low
VBA1203M: id-too-low