FDS86267Ponsemi ↓ Twoj uklad | P | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 2.2A | 255mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 3V | 150°C | PDF → |
SI4472DY-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 7.7A | 36mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 7.7nC | 2.54V | 150°C | PDF → |
IRF6216TRPBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (33nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 2.2A | 240mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 33nC | 3V | — | PDF → |
IRF6216PBF-IRInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (49nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 2.2A | 240mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 49nC | 5V | 150°C | Szukaj PDF → |
SI4434ADY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (16.5nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 250V | 2.8A | 150mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 16.5nC | 6.9V | 150°C | PDF → |
SI4490DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (42nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 200V | 2.85A | 65mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 42nC | 2V | 150°C | PDF → |
SI4488DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (36nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 3.5A | 150mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 36nC | 2V | 150°C | PDF → |
SI7431DP-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (135nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 200V | 2.2A | 174mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 135nC | 4V | 150°C | PDF → |
SI7439DP-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (135nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 3A | 90mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 135nC | 2V | 150°C | PDF → |
SI4488DY-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (36nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 5A | 150mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 36nC | 2V | 150°C | PDF → |
SI4490DY-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (42nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 200V | 4A | 65mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 42nC | 2V | 150°C | PDF → |
SI7439DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (88nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 5.2A | 90mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 88nC | 2V | 150°C | PDF → |
G6K8P15SEGOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (75nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 6A | 6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 75nC | 2.6V | — | PDF → |
SIR873DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (31.8nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 29A | 47.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 31.8nC | 6.8V | 150°C | PDF → |
SI4455DY-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 2A < 2.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 2A | 600mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8.9nC | 6.6V | 150°C | PDF → |
SI4455DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 2A < 2.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 2A | 600mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8.9nC | 6.6V | 150°C | PDF → |
SI4434DY-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.04V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 2.1A < 2.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 250V | 2.1A | 129mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 2.04V | 150°C | PDF → |
SQJ431AEP-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (85nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 200V | 9.4A | 254mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 85nC | 3V | 175°C | PDF → |
SQJ431EP-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (100nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 200V | 12A | 3800mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 100nC | 3V | 175°C | PDF → |
SQJ431EP-T2_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (100nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 200V | 12A | 3800mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 100nC | 3V | 175°C | PDF → |