Zamienniki dla FDT4N50NZU
Kandydaci do weryfikacji (4)
Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.
| MPN | Polar. | Obudowa | Vds | Id | Rds(on) | Qg | Vgs(th) | Tj max | Datasheet |
|---|
FDT4N50NZUonsemi ↓ Twoj uklad | N | SOT-223-4 | 500V | 2A | 3000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4nC | 3.55V | 150°C | PDF → |
2N60GUMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SOT-223-4) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-223-4 | 600V | 2A | 4500mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3nC | 4V | 155°C | PDF → |
IPN60R600PFD7SATMA1Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SOT-223-4) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (8.5nC vs 4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-223-4 | 650V | 6A | 1219mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8.5nC | 3.544V | 150°C | PDF → |
IRFM120Aonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SOT-223-4) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (22nC vs 4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vds
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-223-4 | — | 2.3A | 200mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 4V | 150°C | PDF → |
FL014N-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SOT-223-4) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (33nC vs 4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vds
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-223-4 | — | 4.5A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 33nC | 4V | 150°C | PDF → |
Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (2)
- BSP324 H6327: id-too-low
- FDT3N40TF: id-too-low