FDU6644onsemi ↓ Twoj uklad | N | TO-251 | 30V | 67A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 25nC | 1.5V | 175°C | PDF → |
FDU6682onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.5V vs 7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 30V | 75A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6.5nC | 7V | 175°C | PDF → |
FDU6682_NLonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.5V vs 7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 30V | 75A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6.5nC | 7V | 175°C | PDF → |
FDU6688onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.5V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 30V | 84A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 5V | 175°C | PDF → |
DMT6009LJ3Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 60V | 74.5A | 8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15.6nC | 0.7V | 150°C | PDF → |
NCE3080IAWuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (51nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 30V | 80A | 7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 51nC | 1.1V | 175°C | PDF → |
FDU6676ASonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (46nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 30V | 90A | 7.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 46nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
MOT100N03MCMOT Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 30V | 100A | 3.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 1V | 175°C | PDF → |
VBFB1405VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.5V vs 8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (85nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 40V | 85A | 5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 85nC | 8V | 175°C | PDF → |
VBFB1303VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.5V vs 7.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (100nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 30V | 100A | 4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 100nC | 7.5V | 175°C | PDF → |
SIHU6N80AE-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: wymiary
| N | TO-251 | 800V | 100A | 950mΩ Vgs=0V, 125°C | 22.5nC | 2V | 150°C | PDF → |
VBZFB80N03VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.5V vs 7.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (170nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 30V | 100A | 4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 170nC | 7.5V | 175°C | PDF → |
NCE40H12IWuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (75nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 40V | 120A | 5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 75nC | 1.8V | 175°C | PDF → |
AUIRFU8401Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (42nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 150V | 100A | 4.25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 42nC | 2.2V | 175°C | PDF → |
AUIRFU8403Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.5V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (66nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 150V | 100A | 3.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 66nC | 3V | 175°C | PDF → |
IRFU3707ZPBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Id 56A < 67A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 30V | 56A | 9.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 14nC | 2.25V | 175°C | PDF → |
FDU6692onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Id 54A < 67A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 30V | 54A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 18nC | 1.6V | 175°C | PDF → |
VBFB1410VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Id 55A < 67A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 40V | 55A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 25nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
NCE4060IWuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Id 60A < 67A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 40V | 60A | 15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 29nC | 1.6V | 175°C | PDF → |
G50N03JGOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Id 65A < 67A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 30V | 65A | 65mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 1.45V | — | PDF → |
VBFB1615VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Id 55A < 67A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 60V | 55A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5nC | 1V | 175°C | PDF → |
AGMH12N10IAGM-Semi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.5V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 65A < 67A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 100V | 65A | 9.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 1nC | 3V | 150°C | PDF → |
AUIRFU8405Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.5V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (103nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 150V | 100A | 1.98mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 103nC | 3V | 175°C | PDF → |
IRFU7440PBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.5V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (89nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 150V | 180A | 2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 89nC | 3V | 175°C | PDF → |
SIHU2N80AE-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (710.5nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
| N | TO-251 | 800V | 100A | 2900mΩ Vgs=0V, 125°C | 710.5nC | 2V | 150°C | PDF → |