FQB6N90TMonsemi ↓ Twoj uklad | N | TO-263 10×8.4mm | 900V | 5.8A | 1900mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8.5nC | 3V | 150°C | PDF → |
STB20N95K5STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 950V | 17.5A | 275mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5nC | 4V | 150°C | PDF → |
FQB8N90CTMFQB8N90CTM Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (45nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 900V | 6.3A | 1900mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 45nC | 5V | 150°C | PDF → |
STB6NK90ZT4STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (46.56nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 900V | 5.8A | 1560mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 46.56nC | 5V | 150°C | PDF → |
IXFA7N100PLittelfuse/IXYS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (47nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 1000V | 7A | 1900mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 47nC | 3V | 150°C | PDF → |
IXFA7N100P-TRLLittelfuse/IXYS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (47nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 1000V | 7A | 1900mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 47nC | 3V | 150°C | PDF → |
NVBG060N090SC1onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.82V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (88nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 900V | 5.8A | 43mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 88nC | 1.82V | 175°C | PDF → |
STB10N95K5STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (760nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 950V | 8A | 5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 760nC | 5V | 150°C | PDF → |
BUK9C10-55BIT/A,11BUK9C10-55BIT/A,11 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (51nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 945V | 10A | 17mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 51nC | 2.3V | 175°C | PDF → |
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (18nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 1200V | 18A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 18nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
SCT3105KW7TLROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (18nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 1200V | 23A | 105mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 18nC | 2V | 175°C | PDF → |
NTBG020N120SC1onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.82V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (220nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 1200V | 8.6A | 20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 220nC | 1.82V | 175°C | PDF → |
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (18nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 1200V | 26A | 26mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 18nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
NTBG020N090SC1onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.82V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (200nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 900V | 9.8A | 16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 200nC | 1.82V | 175°C | PDF → |
G3R160MT12JGeneSiC Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (23nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 1200V | 19A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 23nC | 1.8V | 175°C | PDF → |
IMBG120R030M1HXTMA1Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (18nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 1200V | 56A | 56mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 18nC | 4.5V | 175°C | PDF → |
TPB120R800AWUXI UNIGROUP MICRO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (60nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 1200V | 12A | 620mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 60nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
NTBG160N120SC1onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.834V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (33.8nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 1200V | 19.5A | 160mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 33.8nC | 1.834V | 175°C | PDF → |
NVBG160N120SC1onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.834V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (33.8nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 1200V | 19.5A | 160mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 33.8nC | 1.834V | 175°C | PDF → |
SCT3160KW7TLROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (42nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 1200V | 17A | 208mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 42nC | 5.6V | — | Szukaj PDF → |
STB10LN80K5STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 800V | 8A | 550mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8nC | 4V | 150°C | PDF → |
STB23N80K5STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 800V | 16A | 230mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 4V | 150°C | PDF → |
STB13N80K5STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 800V | 12A | 370mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 4V | 150°C | PDF → |
AOB600A70FLAlpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (14.5nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 800V | 8.5A | 530mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 14.5nC | 3.444V | 150°C | PDF → |
STB30N80K5STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 800V | 24A | 150mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4nC | 4V | 150°C | PDF → |
AOB600A70LAlpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (15.5nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 800V | 8.5A | 510mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15.5nC | 2.93V | 150°C | PDF → |
ASB80R750EANHI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 850V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (18.5nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 850V | 8.5A | 620mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 18.5nC | 2.8V | 150°C | PDF → |
FCB290N80onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 800V | 17A | 259mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
R8005ANJFRGTLROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 5A < 5.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (20nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 800V | 5A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20nC | 3V | 150°C | PDF → |
R8005ANJGTLROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 5A < 5.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (20nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 800V | 5A | 2100mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20nC | 5V | — | Szukaj PDF → |
STB16N90K5STB16N90K5 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 720V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 720V | 15A | 900mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 5V | 150°C | PDF → |
FQB6N80TMonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (31nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 800V | 5.8A | 1950mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 31nC | 5V | 150°C | PDF → |
STB12NK80ZT4STB12NK80ZT4 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (14nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 800V | 10.5A | 750mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 14nC | 5V | 150°C | PDF → |
FQB5N90TMonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 5.4A < 5.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (40nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 900V | 5.4A | 2300mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 40nC | 5V | 150°C | PDF → |
IXFA5N100P-TRLLittelfuse/IXYS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 5A < 5.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (33.4nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 1000V | 5A | 1000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 33.4nC | 3V | 150°C | PDF → |
IXFA7N80P-TRLLittelfuse/IXYS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (32nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 800V | 7A | 1440mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 32nC | 3V | 150°C | PDF → |
FQB7N80TMonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (52nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 800V | 6.6A | 1500mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 52nC | 5V | 150°C | PDF → |
STB17N80K5STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (14nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 800V | 14A | 290mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 14nC | 4V | 150°C | PDF → |
STB18NM80STB18NM80 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (13nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 800V | 17A | 295mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 5V | 150°C | PDF → |
R8008ANJGTLROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (38nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 800V | 8A | 1030mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 38nC | 5V | — | Szukaj PDF → |
STB7NK80ZT4STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 5.2A < 5.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (56nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 800V | 5.2A | 1800mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 56nC | 4.5V | 150°C | PDF → |
TPB70R600MWUXI UNIGROUP MICRO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 750V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (520nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 750V | 7A | 530mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 520nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
IXFA10N80P-TRLLittelfuse/IXYS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (40nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 800V | 10A | 1100mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 40nC | 3V | 150°C | PDF → |
STB11NM80T4STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (43.6nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 800V | 11A | 400mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 43.6nC | 5V | 150°C | PDF → |
SIHB5N80AE-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (16.5nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
| N | TO-263 10×8.4mm | 800V | 100A | 1350mΩ Vgs=0V, 125°C | 16.5nC | 2V | 150°C | PDF → |
IXFA20N85XHVLittelfuse/IXYS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 850V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (63nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 850V | 20A | 330mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 63nC | 3.5V | 150°C | PDF → |
TPB80R300CWUXI UNIGROUP MICRO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 850V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (640nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 850V | 15A | 260mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 640nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
NTBG060N090SC1onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.82V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (88nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 900V | 44A | 84mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 88nC | 1.82V | 175°C | PDF → |
NTBG080N120SC1onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.834V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (56nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 1200V | 30A | 80mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 56nC | 1.834V | 175°C | PDF → |
NVBG080N120SC1onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.834V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (56nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 1200V | 30A | 80mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 56nC | 1.834V | 175°C | PDF → |
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (46nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 1200V | 47A | 63mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 46nC | 5.7V | 175°C | PDF → |
STB25N80K5STB25N80K5 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (640nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 800V | 19.5A | 5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 640nC | 5V | 150°C | PDF → |
SIHB15N80AE-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (53nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
| N | TO-263 10×8.4mm | 800V | 100A | 350mΩ Vgs=0V, 125°C | 53nC | 2V | 150°C | PDF → |
NVBG020N090SC1onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.82V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (200nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 900V | 112A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 200nC | 1.82V | 175°C | PDF → |
SIHB24N80AE-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (89nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 800V | 100A | 184mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 89nC | 2V | 150°C | PDF → |
SCT3080KW7TLROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (600nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 1200V | 30A | 80mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 600nC | 2V | 175°C | PDF → |
SCT3040KW7TLROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (107nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 1200V | 56A | 40mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 107nC | 2V | 175°C | PDF → |
C3M0040120J1Wolfspeed, Inc. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-263) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (94nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 | 1200V | 64A | 53.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 94nC | 3.6V | 150°C | PDF → |
C3M0040120J1-TRWolfspeed, Inc. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-263) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (94nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 | 1200V | 64A | 53.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 94nC | 3.6V | 150°C | PDF → |
NTBG040N120SC1onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.834V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (106nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 1200V | 60A | 40mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 106nC | 1.834V | 175°C | PDF → |
NVBG040N120SC1onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.834V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (106nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 1200V | 60A | 56mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 106nC | 1.834V | 175°C | PDF → |
SIHB17N80E-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (122nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
| N | TO-263 10×8.4mm | 800V | 100A | 290mΩ Vgs=0V, 125°C | 122nC | 2V | 150°C | PDF → |
G3R40MT12JGeneSiC Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (106nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 1200V | 75A | 48mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 106nC | 2.7V | 175°C | PDF → |
G3R30MT12JGeneSiC Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (155nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 1200V | 96A | 45mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 155nC | 1.8V | 175°C | PDF → |
C3M0021120J2-TRWolfspeed, Inc. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-263) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (169nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 | 1200V | 114A | 29mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 169nC | 3.8V | 175°C | PDF → |
NVBG020N120SC1onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.82V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (220nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 1200V | 98A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 220nC | 1.82V | 175°C | PDF → |
NTBG014N120M3Ponsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (337nC vs 8.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 1200V | 104A | 20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 337nC | 4.63V | 175°C | PDF → |