Zamienniki dla G2K2P10SE

G2K2P10SE (GOFORD)auto

Typ ukladu: MOSFET P-channel
Obudowa: SO-8
Wymiary: 4.9 × 3.9 × 1.5 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (32)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`G2K2P10SE` GOFORD ↓ Twoj uklad	P	SO-8 4.9×3.9mm	100V	3.5A	3.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	50nC	1.6V	150°C	PDF →
`AO4286` Alpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	100V	4A	68mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1.72V	150°C	PDF →
`AO4892` Alpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	100V	4A	68mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12nC	1.72V	150°C	PDF →
`AO4486` Alpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.6V vs 2.7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	100V	4.2A	79mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	2.7V	150°C	PDF →
`MCQ05P10Y-TP` MCC(Micro Commercial Components) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	100V	4.5A	120mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	1.8V	150°C	PDF →
`SI4488DY-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	150V	3.5A	150mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	36nC	2V	150°C	PDF →
`SI4488DY-T1-E3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	150V	5A	150mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	36nC	2V	150°C	PDF →
`AO4286-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	100V	6.4A	200mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5nC	1.03V	150°C	PDF →
`AO4292E` Alpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	100V	8A	23mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	25nC	1.62V	150°C	PDF →
`HSM8P10` HUASHUO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	100V	8A	110mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	19.8nC	1.8V	150°C	PDF →
`AO4454-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	100V	9A	200mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5nC	1.03V	150°C	PDF →
`AO4406A` Alpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	100V	13A	11.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	17nC	1.51V	150°C	PDF →
`AO4406AL` Alpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	100V	13A	11.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	16nC	1.51V	150°C	PDF →
`SQJ570EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	100V	15A	45mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	2.5V	175°C	PDF →
`SI4472DY-T1-E3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.6V vs 2.54V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	150V	7.7A	36mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	7.7nC	2.54V	150°C	PDF →
`SI7489DP-T1-E3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.6V vs 5.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	100V	28A	41mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	28nC	5.5V	150°C	PDF →
`SI7489DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.6V vs 5.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	100V	28A	41mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	28nC	5.5V	150°C	PDF →
`SI7439DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (88nC vs 50nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	150V	5.2A	90mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	88nC	2V	150°C	PDF →
`G6K8P15SE` GOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.6V vs 2.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	150V	6A	6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	75nC	2.6V	—	PDF →
`SIR873DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.6V vs 6.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	150V	29A	47.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	31.8nC	6.8V	150°C	PDF →
`SQJ211ELP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	100V	33.6A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	68nC	2V	175°C	PDF →
`SIR871DP-T1-GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.6V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (90nC vs 50nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	100V	48A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	90nC	5V	150°C	PDF →
`NCE01P03S` Wuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 3A < 3.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	100V	3A	200mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	25nC	1.9V	150°C	PDF →
`GT700P08S` GOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.6V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	80V	3.5A	6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	40nC	3V	—	PDF →
`SQJ469EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	80V	—	21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10.2nC	2V	—	PDF →
`AO4498` Alpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 82.5V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	82.5V	18A	5.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	44.5nC	1.31V	150°C	PDF →
`SQJ481EP-T1_BE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	80V	16A	80mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	50nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJ481EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	80V	16A	80mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	50nC	2.5V	175°C	PDF →
`SI7469ADP-T1-RE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.6V vs 4.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	80V	7.4A	19.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	65nC	4.1V	150°C	PDF →
`SI7469DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.6V vs 5.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	80V	28A	21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	28nC	5.3V	150°C	PDF →
`SI7439DP-T1-E3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 3A < 3.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (135nC vs 50nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	150V	3A	90mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	135nC	2V	150°C	PDF →
`SQJA81EP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (80nC vs 50nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	80V	46A	14.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	80nC	2V	175°C	PDF →
`SQJ479EP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (150nC vs 50nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	80V	32A	33mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	150nC	2V	175°C	PDF →

Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (1)

VBA2102M: id-too-low