HSM24P03HUASHUO ↓ Twoj uklad | P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 24A | 3.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 1.6V | 150°C | PDF → |
AP4953GMAPEC(Advanced Power Elec) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 25A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 2nC | 1V | — | PDF → |
BRCS9435SCFoshan Blue Rocket Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 50A | 42mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 1.7V | 175°C | PDF → |
TDM3415Techcode Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 70A | 17.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 1.8V | 150°C | PDF → |
SI4459ADY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.6V vs 5.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (29nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 29A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 29nC | 5.3V | 150°C | PDF → |
NCE30P25SWuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (65nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 25A | 8.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 65nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
SI7143DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.6V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (35nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 35A | 8.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 35nC | 5V | 150°C | PDF → |
SI4491EDY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.6V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (66nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 29A | 6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 66nC | 6V | 150°C | PDF → |
SI4497DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.6V vs 5.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (36nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 36A | 2.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 36nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
SI4456DY-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.6V vs 7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (33nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 40V | 33A | 3.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 33nC | 7V | 150°C | PDF → |
SQJA37EP-T1_BE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (100nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 9.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 100nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SQJA37EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (100nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 9.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 100nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SQJ403EP-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (109nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 109nC | 2V | 175°C | PDF → |
SQ4483EY-T1_BE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (113nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 113nC | 2V | 175°C | PDF → |
SM4309PSKPSinopower Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.6V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| P | SO-8 | 30V | 100A | 3.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | — | PDF → |
SQJ403BEEP-T1_BE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (164nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 164nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SQJ403BEEP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (164nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 164nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SI7139DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.6V vs 5.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (40nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 5.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 40nC | 5.2V | 150°C | PDF → |
SIRA01DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.6V vs 5.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (27nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 60A | 4.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 27nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
SM4307PSKPC-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.6V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (60nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 47.3A | 8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 60nC | 6V | 150°C | PDF → |
NTMFS002P03P8ZT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (23nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 263A | 1.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 23nC | 1V | 150°C | PDF → |
SI7145DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.6V vs 5.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (60nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 60A | 2.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 60nC | 5.1V | 150°C | PDF → |
SIRA99DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.6V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (260nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 47.9A | 1.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 260nC | 6V | 150°C | PDF → |
SIR167DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (111nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 60A | 5.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 111nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
SI7135DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.6V vs 6.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (250nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 60A | 3.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 250nC | 6.5V | 150°C | PDF → |
SQJ407EP-T1_BE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (260nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 60A | 4.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 260nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SQJ407EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (260nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 60A | 4.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 260nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
SQJ433EP-T1_BE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (108nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 75A | 8.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 108nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SQJ433EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (108nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 75A | 8.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 108nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
STP4407STANSON Tech. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 20A < 24A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 20A | 20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 1nC | 1V | 150°C | PDF → |
DMP3036SSS-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 19.5A < 24A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 19.5A | 16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8.8nC | 1.7V | 150°C | PDF → |
SI4413DDY-T1-GE3Vishay / Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.6V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Id
- Brak danych: Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | — | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | — | Szukaj PDF → |
AO4476Alpha & Omega Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 20A < 24A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (25nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 20A | 7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 25nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
SI7149DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.6V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 23.7A < 24A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 23.7A | 4.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 6V | 150°C | PDF → |
SI7149ADP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.6V vs 4.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 23.1A < 24A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 23.1A | 5.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 4.1V | 150°C | PDF → |
SQ4483EY-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 22A < 24A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (113nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 22A | 7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 113nC | 2V | 175°C | PDF → |
SI4459BDY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.6V vs 5.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 20.5A < 24A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (84nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 20.5A | 4.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 84nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
SIR403EDP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.6V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 21.9A < 24A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (153nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 21.9A | 6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 153nC | 6V | 150°C | PDF → |
SI4425DDY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.6V vs 4.9V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 19.7A < 24A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (80nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 19.7A | 9.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 80nC | 4.9V | 150°C | PDF → |
IRF9310TRPBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 20A < 24A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (165nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 20A | 4.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 165nC | 2.4V | 150°C | PDF → |
FDS6681Zonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 20A < 24A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (185nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 20A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 185nC | 1.8V | 150°C | PDF → |