Zamienniki dla HSM4P10D

HSM4P10D (HUASHUO)auto

Typ ukladu: Dual MOSFET (2× P-channel)
Obudowa: SO-8
Wymiary: 4.9 × 3.9 × 1.5 mm

Brakuje danych: pinout, Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (1)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`HSM4P10D` HUASHUO ↓ Twoj uklad	dual-P	SO-8 4.9×3.9mm	100V	4A	105mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	17nC	1.8V	150°C	PDF →
`APM4953` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vds Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-P	SO-8 4.9×3.9mm	—	5.3A	35mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.6V	150°C	PDF →