Zamienniki dla IGLD60R190D1

IGLD60R190D1 (Infineon Technologies)

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: LSON-8-1(8X8)
Wymiary: 8 × 8 × 1 mm

Brakuje danych: pinout, Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (1)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`IGLD60R190D1` Infineon Technologies ↓ Twoj uklad	N	LSON-8-1(8X8) 8×8mm	600V	10A	260mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	3.2nC	1.6V	150°C	PDF →
`IGLD60R070D1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (LSON-8-1(8X8)) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (5.8nC vs 3.2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	LSON-8-1(8X8) 8×8mm	600V	15A	100mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5.8nC	1.6V	150°C	PDF →