IRF7451TRPBFInfineon Technologies ↓ Twoj uklad | N | SO-8 4.9×3.9mm | 120V | 3.6A | 90mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 41nC | 3V | 150°C | PDF → |
SI4848BDY-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 3.7A | 74.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9nC | 5.2V | 150°C | PDF → |
SI4848DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 3.7A | 68mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 21nC | 2V | 150°C | PDF → |
SI7846DP-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.04V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 4A | 41mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 36nC | 2.04V | 150°C | PDF → |
FDS2070N3onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 4.1A | 150mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8nC | 7V | 150°C | PDF → |
FDS2070N7onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 4.1A | 150mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8nC | 7V | 150°C | PDF → |
FDS2572onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 4.9A | 40mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 29nC | 2V | 150°C | PDF → |
PHK5NQ15T518Nexperia Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 5A | 9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3nC | 4V | 150°C | PDF → |
IRF7815TRPBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 5.1A | 43mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 38nC | 5V | 150°C | PDF → |
NCE1505SWuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 5.2A | 31mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 35.8nC | 3.2V | 150°C | PDF → |
FDS2582-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.22V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 5.4A | 80mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5.4nC | 1.22V | 150°C | PDF → |
VBA1158NVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.22V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 5.4A | 80mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5.4nC | 1.22V | 150°C | PDF → |
FDS2582-NL-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.22V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 5.4A | 5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5.4nC | 1.22V | 150°C | PDF → |
FDS86242-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.22V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 5.4A | 5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5.4nC | 1.22V | 150°C | PDF → |
IRF7815TRPBF-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.22V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 5.4A | 5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5.4nC | 1.22V | 150°C | PDF → |
SI4848DY-T1-E3&-100-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.22V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 5.4A | 5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5.4nC | 1.22V | 150°C | PDF → |
FDS2672onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 200V | 3.9A | 150mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 4V | 150°C | PDF → |
SI4848ADY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 5.5A | 84mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.4nC | 7.1V | 150°C | PDF → |
WSP05N15Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 6A | 150mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 23nC | 5.52V | 150°C | PDF → |
FDS2570onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (62nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 4A | 150mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 62nC | 7V | 150°C | PDF → |
SI7846DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.04V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 6.7A | 41mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 36nC | 2.04V | 150°C | PDF → |
FDS86240onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 7.5A | 17.319mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 4V | 150°C | PDF → |
SI7172ADP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 200V | 5.3A | 50mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 19.5nC | 6.7V | 150°C | PDF → |
SI7450DP-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 200V | 5.3A | 80mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 34nC | 2V | 150°C | PDF → |
SIR5710DP-T1-RE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 7.8A | 26mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 7.7V | 150°C | PDF → |
WSP08N15Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.21V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 8A | 150mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 24nC | 1.21V | 150°C | PDF → |
FDS86242onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (75nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 4.1A | 67mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 75nC | 3.5V | 150°C | PDF → |
TSM650N15CS RLGTaiwan Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 9A | 51mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 37nC | 2.7V | 150°C | PDF → |
SIR5708DP-T1-RE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 9.5A | 19mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20nC | 2V | 150°C | PDF → |
HSM10N15AHUASHUO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 10A | 35mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 23nC | 2V | 150°C | PDF → |
FDS86252onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (75nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 4.5A | 55mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 75nC | 2V | 150°C | PDF → |
SIR624DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 200V | 5.7A | 60mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 18.6nC | 6.7V | 150°C | PDF → |
SIR576DP-T1-RE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 11.1A | 13.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 38nC | 6.4V | 150°C | PDF → |
SIR622DP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 12.6A | 14.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 41nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
SQ4080EY-T1_GE3Vishay / Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 18A | 70mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 33nC | 4V | 175°C | PDF → |
SQJ872EP-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 24.5A | 35.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 3.5V | 175°C | PDF → |
SI7430DP-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 26A | 36mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 26nC | 2.54V | 150°C | PDF → |
SI7430DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 26A | 36mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 26nC | 2.54V | 150°C | PDF → |
SIR574DP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 12.1A | 11.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 48nC | 6.7V | 150°C | PDF → |
SIR578DP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 17.2A | 7.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 45nC | 7V | 150°C | PDF → |
SIR622DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 51.6A | 14.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 31nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
SIDR622DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 64.6A | 17.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 41nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
SIR572DP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 14.8A | 8.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 54nC | 6.7V | 150°C | PDF → |
SIR696DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 125V | 16.4A | 9.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 60nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
SIR872ADP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 53.7A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 47nC | 4.5V | 150°C | PDF → |
SIR872ADP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 45A | 23mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 53.7nC | 2.54V | 150°C | PDF → |
SIR872DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 53.7A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 53.7nC | 5.6V | 150°C | PDF → |
SIR570DP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (71nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 19A | 6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 71nC | 6.9V | 150°C | PDF → |
SI7738DP-T1-E3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (150nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 30A | 38mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 150nC | 4V | 150°C | PDF → |
SI7738DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (150nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 30A | 38mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 150nC | 4V | 150°C | PDF → |
FDS3612onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 3.4A < 3.6A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 3.4A | 100mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 14nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
NTMC083NP10M5Lonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.01V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 3.3A < 3.6A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 3.3A | 83mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3nC | 1.01V | 150°C | PDF → |
FDS3692onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 4.5A | 50mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 2V | 150°C | PDF → |
WSP06N10Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.52V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 4.5A | 100mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 1.52V | 150°C | PDF → |
SI7898DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.04V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 3A < 3.6A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 3A | 68mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 21nC | 2.04V | 150°C | PDF → |
SQJ474EP-T1_BE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.52V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Id
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | — | 22mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 14.53nC | 1.52V | — | PDF → |
MOT1585SGuangdong Inmark Electronics Co., Ltd. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 5A | 95mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 21.8nC | 2.5V | 150°C | Szukaj PDF → |
SI7454DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 5A | 34mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 4V | 150°C | PDF → |
AOL1482Alpha & Omega Semiconductor Inc. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 4.5A | 37mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 44nC | 2.7V | 175°C | PDF → |
FDS86106onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 3.4A < 3.6A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 3.4A | 105mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 4V | 150°C | PDF → |
IRF7452PBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 4.5A | 60mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
IRF7452TRPBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 4.5A | 60mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 3V | 150°C | PDF → |
SQJA70EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Id
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | — | 78mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 47nC | 2.53V | — | PDF → |
AM4492N-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.03V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 5.5A | 36mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6.4nC | 1.03V | 150°C | PDF → |
SI7450DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 3.2A < 3.6A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 200V | 3.2A | 80mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 42nC | 4.5V | 150°C | PDF → |
SI4056ADY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 5.9A | 29.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 29nC | 4.5V | 150°C | PDF → |
FDS3682onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 6A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 19nC | 2V | 150°C | PDF → |
FDS3682_NLonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 6A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 19nC | 2V | 150°C | PDF → |
STN1810STANSON Tech. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 6A | 155mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5nC | 1V | 150°C | PDF → |
AM4392N-T1-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 3A < 3.6A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 200V | 3A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 34nC | 4V | 175°C | PDF → |
FDS2170N3onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 3A < 3.6A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 200V | 3A | 200mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 7nC | 4.5V | 150°C | PDF → |
FDS2170N7onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 3A < 3.6A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 200V | 3A | 200mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 26nC | 4V | 150°C | PDF → |
FDS2670onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 3A < 3.6A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 200V | 3A | 200mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 7nC | 4.5V | 150°C | PDF → |
FDS3670onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 6.3A | 100mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 7.2V | 150°C | PDF → |
PSMN165-200K518Nexperia Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 2.9A < 3.6A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 200V | 2.9A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 40nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
APM8010KC-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.03V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 6.4A | 36mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6.4nC | 1.03V | 150°C | PDF → |
FDS3672-NL-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.03V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 6.4A | 200mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5nC | 1.03V | 150°C | PDF → |
STS4NF100-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.03V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 6.4A | 200mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5nC | 1.03V | 150°C | PDF → |
SI4100DY-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 6.8A | 51mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6.8nC | 4.5V | 150°C | PDF → |
SI4100DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 6.8A | 51mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6.8nC | 4.5V | 150°C | PDF → |
SISH892BDN-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 6.8A | 25.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 26.5nC | 4.6V | 150°C | PDF → |
CJQ07N10Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 7A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5.5nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
FDS86141onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 7A | 23mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11.816nC | 4V | 150°C | PDF → |
WSP08N10Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.03V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 7A | 100mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 2.03V | 150°C | PDF → |
WSP85N10Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 7A | 100mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 2.4nC | 2V | 150°C | PDF → |
SI7454FDP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 7.2A | 29.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 26.5nC | 4.6V | 150°C | PDF → |
FDS3672onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 7.5A | 19mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 28nC | 2V | 150°C | PDF → |
HSM0026HUASHUO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 7.5A | 16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
SI7454DP-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 7.8A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 4V | 150°C | PDF → |
DMT10H015LSS-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 8.3A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 33.3nC | 2.3V | 150°C | PDF → |
IRF7490TRPBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 5.4A | 3339mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 56nC | 2V | 150°C | PDF → |
NCE0108ASWuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 8A | 22mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 42nC | 1.8V | 150°C | PDF → |
AM4490N-T1-PF-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.03V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 9A | 200mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5nC | 1.03V | 150°C | PDF → |
IRF7452QTRPBF-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.03V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 9A | 200mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5nC | 1.03V | 150°C | PDF → |
IRF7473TRPBF-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.03V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 9A | 200mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5nC | 1.03V | 150°C | PDF → |
VBA1104NVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.03V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 9A | 200mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 28.543nC | 1.03V | 150°C | PDF → |
HM4454-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.54V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 10A | 5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10.4nC | 1.54V | 150°C | PDF → |
WSP10N10Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.52V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 10A | 100mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 1.52V | 150°C | PDF → |
VBA1203MVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 3A < 3.6A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 200V | 3A | 260mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 51nC | 4V | 175°C | PDF → |
SI4058DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 10.3A | 26mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10.3nC | 3.8V | 150°C | PDF → |
TWS1008SQTWGMC Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 10.5A | 9.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20nC | 2.2V | 150°C | PDF → |
SIR606BDP-T1-RE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 10.9A | 17.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 7.5V | 150°C | PDF → |
GT095N10SGOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.01V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 11A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 29.4nC | 1.01V | 150°C | PDF → |
SI4056DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 11.1A | 23mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9.7nC | 5V | 150°C | PDF → |
FDS86140onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 11.2A | 8.19mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 2.7V | 150°C | PDF → |
SI4090BDY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 3A < 3.6A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (70nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 3A | 8.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 70nC | 7.6V | 150°C | PDF → |
HSM0094HUASHUO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 11.5A | 9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
SI7456DP-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 9.3A | 21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 44nC | 2V | 150°C | PDF → |
SI7456DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 9.3A | 21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 44nC | 4V | 150°C | PDF → |
AOSP66923Alpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.62V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 12A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 35nC | 1.62V | 150°C | PDF → |
YJS12G10AYangzhou Yangjie Elec Tech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 12A | 14.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 16nC | 2.8V | 150°C | PDF → |
VBA5102MVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 3.3A < 3.6A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 3.3A | 240mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2V | 150°C | PDF → |
SIR5112DP-T1-RE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 12.6A | 14.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 16nC | 7V | 150°C | PDF → |
SIR108DP-T1-RE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 12.4A | 13.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 41.5nC | 7.4V | 150°C | PDF → |
SQJA68EP-T1_BE3SQJA68EP-T1_BE3 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.52V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 14A | 76.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.78nC | 1.52V | 175°C | PDF → |
SQJA68EP-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.52V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 14A | 76.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.78nC | 1.52V | 175°C | PDF → |
WSP14N10Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.01V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 14A | 100mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 1.01V | 150°C | PDF → |
IRF7495TRPBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 7.3A | 22mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 51nC | 4V | 150°C | PDF → |
SQJA70EP-T1_BE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 14.7A | 95mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 7nC | 3.5V | 175°C | PDF → |
HSM0048HUASHUO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 15A | 6.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
YJS15G10CYangzhou Yangjie Elec Tech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 15A | 8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 32nC | 2.8V | 150°C | PDF → |
WSP16N10Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.41V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 16A | 100mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 1.41V | 150°C | PDF → |
BRCS4292SCFoshan Blue Rocket Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 8A | 19mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 1.1V | 150°C | PDF → |
FDS3170N7onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 6.7A | 100mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 55nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
SIR516DP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 16.8A | 6.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 27nC | 6.9V | 150°C | PDF → |
SI4190ADY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 18.4A | 8.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 18.4nC | 5.8V | 150°C | PDF → |
SI4090DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 19.7A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 27.9nC | 6.4V | 150°C | PDF → |
PSMN012-100YSFXPSMN012-100YSFX Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 20A | 21.526mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 14.629nC | 3.3V | 175°C | PDF → |
NVMFS040N10MCLT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 21A | 38mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4nC | 5.9V | 175°C | PDF → |
SI7454DDP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 21A | 33mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 21nC | 5V | 150°C | PDF → |
SQJ476EP-T1_BE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 23A | 38mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SQJ476EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 23A | 38mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SQJ474EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 26A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SQJ474EP-T2_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 26A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SQJ416EP-T1_BE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 27A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20nC | 3.5V | 175°C | PDF → |
SQJ416EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 27A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20nC | 3.5V | 175°C | PDF → |
SI7456CDP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 27.5A | 19.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 27.5nC | 5.4V | 150°C | PDF → |
SI7456DDP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 27.8A | 23mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9.7nC | 5V | 150°C | PDF → |
HSM0056HUASHUO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 30A | 20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 1.8V | 150°C | PDF → |
SIR606DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 37A | 13.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 6.7V | 150°C | PDF → |
SQJA72EP-T1_BE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 37A | 19mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SQJA72EP-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.52V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 37A | 2000mΩ Vgs=10V, 25°C | 30nC | 1.52V | — | PDF → |
SQJ488EP-T1_BE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.52V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 42A | 21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 27nC | 1.52V | 175°C | PDF → |
SQJ488EP-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.52V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 42A | 21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 27nC | 1.52V | 175°C | PDF → |
SQJ488EP-T2_BE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.52V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 42A | 21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 27nC | 1.52V | 175°C | PDF → |
SQJ488EP-T2_GE3SQJ488EP-T2_GE3 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.52V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 42A | 21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 27nC | 1.52V | 175°C | PDF → |
SQJ418EP-T1_BE3SQJ418EP-T1_BE3 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 48A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 35nC | 2.53V | 175°C | PDF → |
SQJ418EP-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 48A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 35nC | 3.5V | 175°C | PDF → |
SQJ418EP-T2_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 48A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 35nC | 3.5V | 175°C | PDF → |
NTMFS015N10MCLT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 54A | 12.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9nC | 5V | 175°C | PDF → |
SIR846ADP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 60A | 7.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 26.7nC | 6V | 150°C | PDF → |
SIR882ADP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 60A | 8.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 19.5nC | 5.8V | 150°C | PDF → |
HUF75631SK8onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (79nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 5.5A | 39mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 79nC | 4V | 150°C | PDF → |
NTMFS005N10MCLT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 105A | 5.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 26nC | 5.6V | 175°C | PDF → |
SIR514DP-T1-RE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 20.8A | 4.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 47nC | 6.9V | 150°C | PDF → |
SP1049CP8Siliup Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.01V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 6A | 100mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 1.01V | — | PDF → |
SIR106ADP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 16.1A | 8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 52nC | 7.3V | 150°C | PDF → |
SIR846BDP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 16.1A | 8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 52nC | 7.3V | 150°C | PDF → |
NCEP0114ASWuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 14A | 9.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 58nC | 1.7V | 150°C | PDF → |
SIR5102DP-T1-RE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 27A | 3.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 51nC | 7V | 150°C | PDF → |
SIR876ADP-T1-GE3VISHAY Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 40A | 10.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 49nC | 2.8V | 150°C | PDF → |
SIDR5102EP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 28.2A | 3.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 51nC | 7V | 150°C | PDF → |
SQJ402EP-T1_BE3SQJ402EP-T1_BE3 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.52V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 32A | 9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 51nC | 1.52V | 175°C | PDF → |
SQJ402EP-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.52V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 32A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 51nC | 1.52V | 175°C | PDF → |
HY0810SHUAYI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (78nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 8A | 24mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 78nC | 2V | 150°C | PDF → |
MCQ15N10B-TPMCC(Micro Commercial Components) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 15A | 7.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 60.7nC | 5V | 150°C | PDF → |
SIR876BDP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (65nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 13.6A | 9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 65nC | 5V | 150°C | PDF → |
SIR106DP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (64nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 16.1A | 8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 64nC | 6.3V | 150°C | PDF → |
DMT10H010LSS-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.9V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 29.5A | 8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 58.4nC | 1.9V | 150°C | PDF → |
NCEP092N10ASWuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (70nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 14A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 70nC | 1.7V | 150°C | PDF → |
SIR512DP-T1-RE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (62nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 25.1A | 3.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 62nC | 6.9V | 150°C | PDF → |
SIR882DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 60A | 8.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 58nC | 2.8V | 150°C | PDF → |
NCE0110ASWuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 1.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (90nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 10A | 15.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 90nC | 1.3V | 150°C | PDF → |
SQJ456EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (63nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 32A | 26mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 63nC | 3.5V | 175°C | PDF → |
SQJ456EP-T2_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (63nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 32A | 21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 63nC | 2.53V | 175°C | PDF → |
SIDR104ADP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (70nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 18.8A | 4.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 70nC | 8V | 150°C | PDF → |
SIR104ADP-T1-RE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (70nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 18.8A | 6.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 70nC | 8V | 150°C | PDF → |
SIR846DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 60A | 6.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 60nC | 6V | 150°C | PDF → |
SIR870ADP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 60A | 6.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 60nC | 6V | 150°C | PDF → |
SIR870ADP-T1-RE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 60A | 6.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 60nC | 6V | 150°C | PDF → |
SIR870DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 60A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 60nC | 6V | 150°C | PDF → |
SIDR104AEP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (70nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 21.1A | 4.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 70nC | 8V | 150°C | PDF → |
SIR882BDP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (81nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 16.5A | 8.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 81nC | 5V | 150°C | PDF → |
SI4190BDY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (95nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 12A | 9.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 95nC | 5.1V | 150°C | PDF → |
SIR846ADP-T1-RE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (66nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 60A | 7.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 66nC | 6V | 150°C | PDF → |
NTMFS7D8N10GTWGonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2.04V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (92nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 14A | 7.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 92nC | 2.04V | 175°C | PDF → |
SIR104DP-T1-RE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (84nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 18.3A | 6.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 84nC | 7.7V | 150°C | PDF → |
SIR510DP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (81nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 31A | 3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 81nC | 7.2V | 150°C | PDF → |
NTMFS002N10MCLT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (97nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 22A | 2.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 97nC | 3V | 175°C | PDF → |
SIDR870ADP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (80nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 95A | 5.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 80nC | 6V | 150°C | PDF → |
SIR104LDP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (110nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 18.8A | 4.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 110nC | 5.1V | 150°C | PDF → |
SIR870BDP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (110nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 18.8A | 6.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 110nC | 5.1V | 150°C | PDF → |
SIR668DP-T1-RE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (83nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 95A | 4.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 83nC | 7.2V | 150°C | PDF → |
SIRS5100DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (102nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 39A | 2.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 102nC | 4V | 150°C | PDF → |
SIDR170DP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (140nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 23.2A | 4.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 140nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
SIRS700DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (130nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 30A | 2.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 130nC | 2V | 150°C | PDF → |
SIRS700DP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (130nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 30A | 2.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 130nC | 2V | 150°C | PDF → |
SQJ110EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 100V < 120V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (113nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 100V | 170A | 6.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 113nC | 3.5V | 175°C | PDF → |