IRF7807VPBFInfineon (ex-International Rectifier) ↓ Twoj uklad | N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.3A | 17mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 14nC | 1V | 150°C | PDF → |
DMC3021LSD-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 7.8nC | 1.45V | 150°C | PDF → |
NTMS4816NR2Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 9A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9.2nC | 1.53V | 150°C | PDF → |
SI4800BDY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 9A | 15.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 0.81V | 150°C | PDF → |
SI4894BDY-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.9A | 9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13.22nC | 1.03V | 150°C | PDF → |
DMN4800LSS-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.3A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8.7nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
IRF7807VTRPBFInfineon (ex-International Rectifier) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.3A | 1725mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9.5nC | 1V | 150°C | PDF → |
FDS6612Aonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.4A | 22mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5.4nC | 1.9V | 150°C | PDF → |
BSO110N03MS G-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
DMC3021LSDQ-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 7.8nC | 1.45V | 150°C | PDF → |
DMG4466SSS-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
DMG4496SSS-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
DMN3018SSD-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
DMN3018SSS-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
DMN3024LSD-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | — | PDF → |
FDS6612A-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
FDS6630A-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
FDS6912A-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | — | PDF → |
FDS6990AS-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | — | PDF → |
FDS8884onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 23mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9.213nC | 1.21V | 150°C | PDF → |
FDS8884-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
FDS8984-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | — | PDF → |
IRF7201-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
IRF7201PBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
IRF7313TRPBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | — | PDF → |
IRF7403PBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
IRF7413TRPBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
IRF7805ZTRPBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
IRF7807PBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
IRF7807TRPBFInfineon (ex-International Rectifier) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12nC | 1.01V | 150°C | PDF → |
IRF7807ZPBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
IRF7807ZTRPBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
IRF9410PBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
IRF9956TRPBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | — | PDF → |
NTMD4820NR2G-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
NTMD4840NR2G-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | — | PDF → |
SI4128DY-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
SI4134DY-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
SI4178DY-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
SI4178DY-T1-GE3-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
SI4346DY-T1-E3-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
SI4800BDY-T1-GE3-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
SM4496PRL-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
SM4818PRL-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | — | PDF → |
SM4842PRL-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | — | PDF → |
DMN4800LSSQ-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.6A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8.7nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
NTMFS4941NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 9A | 4.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11.3nC | 1.21V | 150°C | PDF → |
NTMFS4C09NCT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 | 30V | 9A | 5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10.9nC | 2.1V | 150°C | PDF → |
NTMFS4C09NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 9A | 5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10.9nC | 2.1V | 150°C | PDF → |
VBZA4606VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 9A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 4.1V | 150°C | PDF → |
AP3010ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 1.6V | 150°C | PDF → |
CJQ4406Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 1116mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5.5nC | 5V | 150°C | PDF → |
DMG4466SSS-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 23mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5nC | 1.45V | 150°C | PDF → |
DMG4496SSS-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 21.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.7nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
FDS4410onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 13.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5nC | 4.5V | 150°C | PDF → |
FDS6690onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 13.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 4.5V | 150°C | PDF → |
FDS6690Sonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5nC | 6V | 150°C | PDF → |
NCE3010SWuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 1.6V | 150°C | PDF → |
SM4496PRLSPS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 28.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.6nC | 1.31V | 156°C | PDF → |
SM4616PRLSPS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3.75nC | 1.21V | 168°C | PDF → |
YFW6G03SYFW Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.7V | 150°C | PDF → |
FDS6692Aonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 9A | 8.211mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
SH8MA4TB1ROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 9A | 16.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 1V | 150°C | PDF → |
SP8M4HZGTBROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 9A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 2.5V | — | Szukaj PDF → |
DMN3016LSS-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10.3A | 8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11.3nC | 1.3V | 150°C | PDF → |
NTMS4939NR2Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10.3A | 8.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.4nC | 1.02V | 150°C | PDF → |
NDS8410Aonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.9V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10.8A | 17mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.8nC | 4.9V | 150°C | PDF → |
SI4128DY-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10.9A | 20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10.9nC | 4.5V | 150°C | PDF → |
SI4128DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10.9A | 20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10.9nC | 4.5V | 150°C | PDF → |
IRF7403TRPBF-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
IRF7807TRPBF-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
RJK0366DSP-00#J0RENESAS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6.8nC | — | — | PDF → |
SM4410PRLSPS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 24mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3.1nC | 1V | 150°C | PDF → |
VBA5311VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13.3nC | 0.9V | 150°C | PDF → |
CJQ4824Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 14.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 1.7V | 150°C | PDF → |
FDS8878onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10.2A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
FDS6680onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11.5A | 8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 7nC | 5V | 150°C | PDF → |
FDS6680Sonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11.5A | 17mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6.2nC | 3.3V | 150°C | PDF → |
NTMFS4C05NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11.9A | 3.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 14nC | 2.2V | 150°C | PDF → |
NTMFS4C05NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11.9A | 3.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 14nC | 2.2V | 150°C | PDF → |
SI4776DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11.9A | 16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11.9nC | 2.3V | 150°C | PDF → |
FDS6670AS-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
HSM4410HUASHUO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
IRF7811AVTRPBF-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
RSS100N03TB-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
SI4178DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 17mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12nC | 6V | 150°C | PDF → |
SI4884DY-T1-E3-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
SI4894BDY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13.22nC | 1.03V | 150°C | PDF → |
SI9426DY-T1-E3-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
VBA3310VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 6V | 150°C | PDF → |
WSP4406Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.9V | 150°C | PDF → |
FDS4410Aonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 13.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 16nC | 3V | 150°C | PDF → |
FDS6690ASonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 16nC | 1.6V | 150°C | PDF → |
NCE3009SWuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 9A | 11.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 17.5nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
FDS8880onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11.6A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
AP4616ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 9.8A | 23mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 17nC | 1V | 150°C | PDF → |
NTMFS4837NHT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11.5A | 3.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15.923nC | 1.52V | 150°C | PDF → |
SI4822DYonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12.5A | 9.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 7nC | 4.5V | 150°C | PDF → |
ME4174MATSUKI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12.7A | 8.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8nC | 1V | 150°C | PDF → |
4406HL Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 2.5V | — | PDF → |
AFN4172WSS8RG-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
AM4424N-T1-PF-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
AP4410M-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
APM4820KC-TRL-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
APM4826KC-TRG-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
APM4828KC-TRL-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
BSO072N03S-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
BSO200N03S-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6.8nC | 6.2V | 150°C | PDF → |
CEM3252-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
DMN4468LSS-13-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
DMS3016SSSA-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.4V | 150°C | PDF → |
FDS6294onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3.5nC | 5V | 175°C | PDF → |
FDS6294-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.4V | 150°C | PDF → |
FDS6612A-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
FDS6630A-NL-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
FDS6670Aonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 5.3V | 150°C | PDF → |
FDS6690AS-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.4V | 150°C | PDF → |
FDS6694-NL-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
HM4410-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
HSM3006HUASHUO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
IRF7413TRPBF-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
IRF7455TRPBF-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
IRF7463TRPBF-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
IRF7805PBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.4V | 150°C | PDF → |
IRF8707GPBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.4V | 150°C | PDF → |
IRF8707PBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.4V | 150°C | PDF → |
IRF8707TRPBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.4V | 150°C | PDF → |
IRF8721TR-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
MDS1525URH-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
MDS1653URH-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
ME4410-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
ME4410AD-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
MT6680-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
MTB11N03Q8-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6.8nC | 6V | 150°C | PDF → |
NCE3010S-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
NDS8425-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
P0603BVG-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6.8nC | 3V | 150°C | PDF → |
PHK12NQ03LT-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
PV600BA-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
SI4688DY-T1-GE3-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
SI4800BDY-T1-E3-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
SI4890BDY-T1-E3-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
SM4306PRLSPS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 17.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6.6nC | 1.31V | 150°C | PDF → |
SPN4346S8RGB-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
STN4402-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.4V | 150°C | PDF → |
STS10N3LH5-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
STS11NF3LL-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
VBA1210VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
VBA1311VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 6V | 150°C | PDF → |
IRF7821TRPBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13.6A | 9.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 14nC | 1V | 155°C | PDF → |
AP3020ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11.8A | 14.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 16.8nC | 3V | 150°C | PDF → |
FDS6682onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 14A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6.4nC | 5.6V | 150°C | PDF → |
SI4134DY-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 14A | 11.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 14nC | 5V | 150°C | PDF → |
SI4134DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 14A | 11.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 14nC | 5V | 150°C | PDF → |
SI4386DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 18nC | 1.52V | 150°C | PDF → |
RSS100N03HZGTBROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 13.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
AP4410ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13.3nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
DMN3016LSS-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 1.5V | — | PDF → |
FDS6298-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 1.5V | — | PDF → |
FDS6670AS-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 1.5V | — | PDF → |
FDS6680A-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 1.5V | — | PDF → |
FDS6680AS-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.4V | 150°C | PDF → |
FDS7296N3onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.718nC | 3V | 150°C | PDF → |
FDS8817NZonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 125mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 6V | 150°C | PDF → |
FDS8880-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 1.5V | — | PDF → |
HXY4410SHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 1.5V | — | PDF → |
IRF7413PBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.4V | 150°C | PDF → |
IRF7413ZPBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 1.5V | — | PDF → |
IRF7809AVPBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 1.5V | — | PDF → |
IRF7821PBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 1.5V | — | PDF → |
IRF8714PBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 1.5V | — | PDF → |
IRF8721PBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 1.5V | — | PDF → |
NTMS4816N-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 1.5V | — | PDF → |
SI4174DY-T1-GE3-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 1.5V | — | PDF → |
TP86R203NL-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 1.5V | — | PDF → |
NTMD4840NR2G-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Qg wyzsze (22nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 5.2V | 150°C | PDF → |
SQ4920EY-T1-GE3-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Qg wyzsze (22nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 5.2V | 150°C | PDF → |
VBA3316VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Qg wyzsze (22nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 5.2V | 150°C | PDF → |
AP83T03GMAPEC(Advanced Power Elec) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 16A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3.6nC | 1V | 150°C | PDF → |
FDS6688onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 16A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 6V | 175°C | PDF → |
FDS8874onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 16A | 4.95mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
RJK0354DSP-00#J0RENESAS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 16A | 7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12nC | — | — | PDF → |
FDS6692onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 18nC | 1.6V | 175°C | PDF → |
SI7386DP-T1-E3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 18nC | 1.52V | 150°C | PDF → |
SI7386DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 18nC | 1.52V | 150°C | PDF → |
FDS6680Aonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12.5A | 13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 16nC | 2V | 150°C | PDF → |
BSO033N03MSGXUMA1Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 17A | 3.03mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 1V | 150°C | PDF → |
NVMFS4C310NWFT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 17A | 5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9.7nC | 1.32V | 175°C | PDF → |
VBZA4430VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 17A | 5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 6V | 150°C | PDF → |
4410KUU Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
AO4752Alpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 8.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
FDS8896onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
AP9410GM-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 6V | 150°C | PDF → |
APM4330KC-TRL-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 6V | 150°C | PDF → |
DMN3007LSS-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 1.2V | — | PDF → |
DMN3009SSS-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 1.2V | — | PDF → |
FDS6574A-NL-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 6V | 150°C | PDF → |
FDS6670A-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 1.2V | — | PDF → |
FDS6676AS-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 1.2V | — | PDF → |
FDS6682-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 1.2V | — | PDF → |
FDS6699S-NL-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 6V | 150°C | PDF → |
FDS7788onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 5.4V | 150°C | PDF → |
FDS8690-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 1.2V | — | PDF → |
FDS8812NZ-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 6V | 150°C | PDF → |
FDS8817NZ-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 1.2V | — | PDF → |
FDS8896-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 1.2V | — | PDF → |
FDS8896-NL-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 6V | 150°C | PDF → |
HAT2064R-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 6V | 150°C | PDF → |
HAT2064RJ-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 6V | 150°C | PDF → |
HXY4430SHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 1.2V | — | PDF → |
IRF7455PBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 1.2V | — | PDF → |
IRF7458PBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 1.2V | — | PDF → |
IRF7805ZPBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 1.2V | — | PDF → |
IRF7822TRPBF-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 6V | 150°C | PDF → |
IRF7834TRPBF-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 6V | 150°C | PDF → |
IRF8113PBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 1.2V | — | PDF → |
IRF8736TR-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 6V | 150°C | PDF → |
IRF8736TRPBF-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 6V | 150°C | PDF → |
NTMS4920NR2G-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 6V | 150°C | PDF → |
PJL9418_R2_00001PANJIT International Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3nC | 1.6V | 150°C | PDF → |
QM3006S-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 6V | 150°C | PDF → |
SI4168DY-T1-GE3-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 1.2V | — | PDF → |
SI4386DY-T1-E3-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 1.2V | — | PDF → |
SI4856ADY-T1-E3-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 6V | 150°C | PDF → |
SIRA28BDP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 14nC | 2.4V | 150°C | PDF → |
TPC8018-H-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 6V | 150°C | PDF → |
TPC8028-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 6V | 150°C | PDF → |
TPC8040-H-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 1.2V | — | PDF → |
VBA1303VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 6V | 150°C | PDF → |
FDS8813NZonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18.5A | 3.84mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 6V | 150°C | PDF → |
FDS7096N3onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 14A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 16nC | 1.9V | 150°C | PDF → |
FDS7098N3onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 14A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 16nC | 1.9V | 150°C | PDF → |
SIRA96DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 16A | 8.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 4.7V | 150°C | PDF → |
NTMFS4C032NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 19.1A | 6.11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 7.8nC | 1.32V | 150°C | PDF → |
NTMFS4C13NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 19.1A | 7.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 7.8nC | 1.32V | 150°C | PDF → |
ASDM4406S-RASDsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 17nC | 1.01V | 150°C | PDF → |
G10N03SGOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 17nC | 1.01V | 150°C | PDF → |
HSM3056HUASHUO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 20A | 3.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.7V | 150°C | PDF → |
WSP4410Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 20A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.8V | 150°C | PDF → |
NTMFS4927NCT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 20.4A | 7.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8nC | 1.321V | — | PDF → |
NTMFS4927NCT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 20.4A | 5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8nC | 1.321V | 150°C | PDF → |
ME4626MATSUKI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 21A | 2.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1V | 150°C | PDF → |
NTMFS4834NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 21A | 3.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 1.52V | 150°C | PDF → |
SP3011CP8Siliup Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 9A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 5V | — | PDF → |
SP3012CP8Siliup Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 9A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 5V | — | PDF → |
FDS8870onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 3.54mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
APM4826KC-TRGAnpec Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 22.5A | 13.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12nC | 1.8V | 150°C | PDF → |
NTMFS4C029NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 22.5A | 5.88mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9.7nC | 1.32V | 150°C | PDF → |
NTMFS4C290NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 22.5A | 5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9.7nC | 1.32V | 150°C | PDF → |
SIRA16DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 16A | 6.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 16nC | 5V | 150°C | PDF → |
NTMFS4939NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (28.5nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 9.3A | 5.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 28.5nC | 2.2V | 150°C | PDF → |
NTMFS4926NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 23.4A | 5.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8.7nC | 1.321V | 150°C | PDF → |
NTMFS4899NFT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (25nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10.4A | 5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 25nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
DMS3016SSSA-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 18.5nC | 1V | 150°C | PDF → |
NTMFS4C027NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 25.3A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8.4nC | 1.32V | 150°C | PDF → |
NTMFS4C028NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 25.3A | 3.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10.9nC | 1.32V | 150°C | PDF → |
NTMFS4C59NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 25.3A | 4.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10.9nC | 1.32V | 150°C | PDF → |
NTMFS4939NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 26A | 4.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.8nC | 1.21V | 150°C | PDF → |
FDS6699Sonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 21A | 4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 3.2V | 150°C | PDF → |
SM4404BPRLSPS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 1.21V | 168°C | PDF → |
RJK0352DSP-00#J0RENESAS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 4.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 16nC | — | — | PDF → |
SIRA12BDP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 27A | 4.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 5.1V | 150°C | PDF → |
NVMFS4C05NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 27.2A | 2.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 14nC | 1.32V | 175°C | PDF → |
NTMFS4833NAT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 28A | 1.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 7.438nC | 1.51V | 150°C | PDF → |
YJS12N03AYangzhou Yangjie Elec Tech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (23.6nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 23.6nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
SIRA10BDP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11.7nC | 3.8V | 150°C | PDF → |
STN4402STANSON Tech. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (24nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 24nC | 1.03V | 150°C | PDF → |
FDS8690onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 14A | 6.37mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 18.827nC | 4.5V | 150°C | PDF → |
SI4174DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 17A | 7.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 17nC | 4.7V | 150°C | PDF → |
NTMFS4C250NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 31.6A | 3.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11.6nC | 1.32V | 150°C | PDF → |
NTMS4807NR2Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (24nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12.2A | 6.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 24nC | 1.53V | 150°C | PDF → |
SIRA18DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 33A | 7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6.9nC | 5.2V | 150°C | PDF → |
SIRA18DP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 33A | 7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6.9nC | 5.2V | 150°C | PDF → |
NTMFS4C05NAT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 34.8A | 3.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 14nC | 1.32V | 150°C | PDF → |
ME4502-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 0.91V | 150°C | PDF → |
NTMFS4C06NAT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | 150°C | Szukaj PDF → |
UPA2792GR-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 0.91V | 150°C | PDF → |
NTMFS4C08NAT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 16.4A | 5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 18.2nC | 2.1V | 175°C | PDF → |
HY1103SHUAYI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (29nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 11A | 9.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 29nC | 1.4V | 150°C | PDF → |
AUIRF7805QInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (22nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 1V | 150°C | PDF → |
IRF7805PBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (22nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 1V | 150°C | PDF → |
IRF7805TRPBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (22nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 1V | 150°C | PDF → |
SIR472ADP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 18nC | 4.6V | 150°C | PDF → |
RU3020HShenzhen ruichips Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 1.02V | 150°C | PDF → |
SI4686DY-T1-E3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18.2A | 7.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 18.2nC | 6V | 150°C | PDF → |
NTMFS4C054NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 36A | 2.54mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 1.32V | — | PDF → |
NTMFS4C054NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 36A | 2.12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 1.32V | 150°C | PDF → |
NTMFS4937NCT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 3.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15.9nC | 1.321V | 150°C | PDF → |
NTMFS4937NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 3.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15.9nC | 1.321V | 150°C | PDF → |
SI4160DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 25.4A | 4.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 16.9nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
SIRA18BDP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 19A | 6.83mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 19nC | 4.4V | 150°C | PDF → |
SIRA88BDP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 19A | 6.83mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 19nC | 4.4V | 150°C | PDF → |
FDMS6679onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (28nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 14A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 28nC | 1.7V | 175°C | PDF → |
FDS6670Sonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (24nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13.5A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 24nC | 2.2V | 150°C | PDF → |
SI4162DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 19.3A | 6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 19.3nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
SI4410DYTRPBFVishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (45nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10A | 13.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 45nC | 1V | 150°C | PDF → |
FDS7764Sonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (25nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13.5A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 25nC | 1.4V | 150°C | PDF → |
IRF7403TRPBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (57nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.5A | 22mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 57nC | 1V | 150°C | PDF → |
VBA1310SVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (36nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12A | 1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 36nC | 0.52V | 150°C | PDF → |
SI7370DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (57nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 9.6A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 57nC | 2V | 150°C | PDF → |
SI4155DY-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 10.2A | 12.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 4.8V | 150°C | PDF → |
VBZA8858VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 4.1V | 150°C | PDF → |
FDS6670ASonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (27nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13.5A | 9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 27nC | 1.7V | 150°C | PDF → |
SIR172ADP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (24nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 16.1A | 8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 24nC | 4.5V | 150°C | PDF → |
FDS6672Aonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (33nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 12.5A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 33nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
SI4386DY-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (23.5nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 20A | 5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 23.5nC | 1.52V | 150°C | PDF → |
FDS7764Aonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (29nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 29nC | 1.1V | 150°C | PDF → |
NTMFS4936NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 35A | 2.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 19nC | 1.21V | 150°C | PDF → |
SIRA18ADP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (30.6nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 14.5A | 8.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30.6nC | 5.2V | 150°C | PDF → |
RSS130N03HZGTBROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (35nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 8.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 35nC | 2.5V | — | Szukaj PDF → |
NTMFS4C03NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 2.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20.8nC | 1.32V | 150°C | PDF → |
FDS7064N7onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (30nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 16.5A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
G050N03SGOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.4V | — | PDF → |
SI4156DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (24nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 24A | 4.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 24nC | 6V | 150°C | PDF → |
SI4168DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (24nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 24A | 4.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 24nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
SI7374DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (24nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 24A | 4.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 24nC | 1.52V | 150°C | PDF → |
SIRA04DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (22.5nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 28.7A | 2.15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22.5nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
SIR474DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (27nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 20A | 9.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 27nC | 2.2V | 150°C | PDF → |
SIR474DP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (27nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 20A | 9.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 27nC | 2.2V | 150°C | PDF → |
SI4634DY-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (24.5nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 24.5A | 4.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 24.5nC | 6.4V | 150°C | PDF → |
SI4634DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (24.5nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 24.5A | 4.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 24.5nC | 6.4V | 150°C | PDF → |
SI4164DY-T1-E3-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 20A | 3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | 150°C | PDF → |
SL4410Slkor(SLKORMICRO Elec.) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (28.3nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 20A | 5.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 28.3nC | 1.8V | 150°C | PDF → |
SI7272DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (26nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 25A | 9.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 26nC | 5.6V | 150°C | PDF → |
NTMFS4934NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (34nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 17.1A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 34nC | 2.2V | 150°C | PDF → |
SI4101DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (25.7nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 25.7A | 6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 25.7nC | 5.3V | 150°C | PDF → |
NTMFS4935NBT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (22nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 3.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 1.21V | — | PDF → |
NTMFS4935NCT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (22nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 2.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 1.21V | 150°C | PDF → |
NTMFS4935NCT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (22nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 2.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 1.21V | 150°C | PDF → |
NTMFS4935NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (22nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 2.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 1.21V | 150°C | PDF → |
SI7892BDP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (40nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 3.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 40nC | 1.03V | 150°C | PDF → |
FDS6676Sonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (43nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 14.5A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 43nC | 1.4V | 150°C | PDF → |
DMN3007LSS-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (31.2nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 20A | 7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 31.2nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
FDS6676onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (45nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 14.5A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 45nC | 1.5V | 175°C | PDF → |
FDS6676ASonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (45nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 14.5A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 45nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
FDS6688ASonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (45nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 14.5A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 45nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
SI4336DY-T1-E3-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 25A | 3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | 150°C | PDF → |
FDS7060N7onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (35nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 19A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 35nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
AP3004SALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (33.7nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 20A | 6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 33.7nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
SIRA84BDP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (32nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 22A | 4.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 32nC | 2.4V | 150°C | PDF → |
FDS7766Sonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (41nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 17A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 41nC | 1.3V | 150°C | PDF → |
IRF7809AVTRPBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (62nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13.3A | 9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 62nC | 1V | 150°C | PDF → |
SI4396DY-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 2.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (45nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 16A | 9.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 45nC | 2.6V | 150°C | PDF → |
SI7336ADP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 1.03V | 150°C | PDF → |
FDS7766onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (43nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 17A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 43nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
RJK0348DSP-00#J0RENESAS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (34nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 22A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 34nC | — | — | PDF → |
IRF7458PBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (59nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 14A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 59nC | 2V | 150°C | PDF → |
IRF7458TRPBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (59nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 14A | 8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 59nC | 4V | 150°C | PDF → |
NCE3018ASWuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (41nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 41nC | 1.1V | 150°C | PDF → |
SQ4410EY-T1_BE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (53nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 53nC | 1.52V | 175°C | PDF → |
SQ4410EY-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (53nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 53nC | 1.52V | 175°C | PDF → |
FDS7064Nonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (48nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 16A | 7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 48nC | 2V | 150°C | PDF → |
FDS7082N3onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (43nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 17.5A | 8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 43nC | 2V | 150°C | PDF → |
IRF7413TRPBFInfineon (ex-International Rectifier) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (79nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 13A | 11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 79nC | 3V | 150°C | PDF → |
SI4164DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (30nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 2.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 5.6V | 150°C | PDF → |
SI4626ADY-T1-E3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 7.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (30nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 2.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 7.3V | 150°C | PDF → |
SI4626ADY-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 7.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (30nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 2.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 7.3V | 150°C | PDF → |
SIR462DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (30nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
SI4166DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (30.5nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30.5A | 3.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30.5nC | 5.4V | 150°C | PDF → |
SI7636DP-T1-E3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 17A | 3.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 1.03V | 150°C | PDF → |
SI7636DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 17A | 3.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 1.03V | 150°C | PDF → |
YJS18N03AYangzhou Yangjie Elec Tech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (46.3nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 46.3nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
FDS7066ASN3onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (44nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 19A | 6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 44nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
FDS7088N7onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (37nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 23A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 37nC | 1.9V | 150°C | PDF → |
FDS6688Sonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (56nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 16A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 56nC | 1.4V | 125°C | PDF → |
AOSP32368HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (60nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 16A | 5.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 60nC | 2.4V | 150°C | Szukaj PDF → |
IRF7862TRPBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (45nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 21A | 3.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 45nC | 2.35V | 150°C | PDF → |
SI7892BDP-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (40nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 25A | 3.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 40nC | 1.03V | 150°C | PDF → |
SI7336ADP-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (36nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 36nC | 1.03V | 150°C | PDF → |
STN4488LSTANSON Tech. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (84nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 15A | 3.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 84nC | 1V | 150°C | PDF → |
SI7686DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (35nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 35A | 7.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 35nC | 6V | 150°C | PDF → |
ME4626-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (45nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 25A | 3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 45nC | 1V | 150°C | PDF → |
SIRA12DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (45nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 25A | 4.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 45nC | 2.2V | 150°C | PDF → |
VBA1302VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (45nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 25A | 3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 45nC | 1.03V | 150°C | PDF → |
SI7880ADP-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (40nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 40nC | 5.6V | 150°C | PDF → |
SI4368DY-T1-E3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (80nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 17A | 3.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 80nC | 0.61V | 150°C | PDF → |
SI4368DY-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (80nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 17A | 3.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 80nC | 0.61V | 150°C | PDF → |
FDS6299Sonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (58nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 21A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 58nC | 1.7V | 150°C | PDF → |
FDS8670onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (58.5nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 21A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 58.5nC | 1.4V | 150°C | PDF → |
IRF7831TRPBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (60nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 21A | 3.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 60nC | 2.35V | 150°C | PDF → |
AO4410JSMSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (85nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 5.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 85nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
SI4126DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (39nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 39A | 2.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 39nC | 6.4V | 150°C | PDF → |
SIR468DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (40nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 4.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 40nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
FS4430FOSAN Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (82nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 20A | 6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 82nC | 1V | 150°C | PDF → |
SIR464DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 2.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 5.6V | 150°C | PDF → |
SIRA10DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (60nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 25A | 3.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 60nC | 5V | 150°C | PDF → |
IRF8788TRPBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (66nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 24A | 2.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 66nC | 2.35V | 150°C | PDF → |
AO4430TECH PUBLIC Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (124nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 18A | 5.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 124nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
SIR460DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (54nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 4.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 54nC | 2.4V | 150°C | PDF → |
SQJ410EP-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (73.511nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 32A | 3.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 73.511nC | 1.52V | 175°C | PDF → |
SIR158DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (60nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 5000mΩ Vgs=10V, 55°C | 60nC | 6.6V | 150°C | PDF → |
SIR466DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (65nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 3.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 65nC | 5.4V | 150°C | PDF → |
SI7634BDP-T1-E3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (68nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 68nC | 6.4V | 150°C | PDF → |
SI7634BDP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (68nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 68nC | 6.4V | 150°C | PDF → |
SIR164ADP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (77nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 35.9A | 2.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 77nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
SIRA06DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (77nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 2.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 77nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
SI4143DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.9V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (167nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 25.3A | 5.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 167nC | 4.9V | 150°C | PDF → |
SQ4182EY-T1_BE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (110nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 32A | 3.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 110nC | 1.52V | 175°C | PDF → |
SIR820DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (95nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 95nC | 5V | 150°C | PDF → |
NTMFS0D55N03CGT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (121.117nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 35A | 0.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 121.117nC | 1.32V | 175°C | PDF → |
SI7880ADP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (125nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 125nC | 5.6V | 150°C | PDF → |
DMC3016LSD-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 8.2A < 8.3A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.2A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11.3nC | 1V | 150°C | PDF → |
DMC3032LSD-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 8.1A < 8.3A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.1A | 23mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 1.45V | 150°C | PDF → |
ASDM4606S-RASDsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 8A < 8.3A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8A | 24mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5.2nC | 1.6V | 150°C | PDF → |
DMN4800LSSL-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 8A < 8.3A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8.7nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
HYG170C03LR1SHUAYI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 8A < 8.3A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8A | 12.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13.7nC | 1.8V | 150°C | PDF → |
FDS4488onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 7.9A < 8.3A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 7.9A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9.5nC | 1.8V | 175°C | PDF → |
CJQ4410Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 7.5A < 8.3A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 7.5A | 20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5.5nC | 3V | 150°C | PDF → |
DMN3018SSS-13Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 7.3A < 8.3A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 7.3A | 15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.7V | 150°C | PDF → |
SQ4532AEY-T1_BE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 7.3A < 8.3A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 7.3A | 21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5.97nC | 1.522V | 175°C | PDF → |
SQ4532AEY-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 7.3A < 8.3A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 7.3A | 21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5.97nC | 1.522V | 175°C | PDF → |
ZXMC3F31DN8TADiodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 7.3A < 8.3A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 7.3A | 24mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.9nC | 1V | 150°C | PDF → |
AP4606BALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 7A < 8.3A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 7A | 70mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6.8nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
HSM3002HUASHUO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 7A < 8.3A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 7A | 14.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
NCE30ND07ASWuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 7A < 8.3A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 7A | 26.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9.4nC | 0.9V | 150°C | PDF → |
NCE30NP07SWuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 7A < 8.3A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 7A | 26mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 1.6V | 150°C | PDF → |
NCE4606Wuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 7A < 8.3A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 7A | 20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 1.6V | 150°C | PDF → |
SM4606PRLSPS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 7A < 8.3A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 7A | 33mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9.2nC | 1.6V | 150°C | PDF → |
BRCS4606SCFoshan Blue Rocket Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 6.9A < 8.3A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 6.9A | 24mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 0.65V | 150°C | PDF → |
BRCS4800SCFoshan Blue Rocket Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 6.9A < 8.3A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 6.9A | 24mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9.6nC | 1.1V | 150°C | PDF → |
JSM4606JSMSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 6.9A < 8.3A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 6.9A | 19mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 7.5nC | 1.6V | 150°C | PDF → |
NCE4606AWuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 7A < 8.3A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 7A | 26mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 14.2nC | 1.6V | 150°C | PDF → |
FDS6900AS-NL-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 6.8A < 8.3A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 6.8A | 5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8nC | 5V | 150°C | PDF → |
IRF9389TRPBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 6.8A < 8.3A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 6.8A | 27mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6.88nC | 1.31V | 150°C | PDF → |
NTMD4N03R2G-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 6.8A < 8.3A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 6.8A | 5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 5V | 150°C | PDF → |
VBA1328VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 6.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 6.8A < 8.3A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 6.8A | 16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6.8nC | 6.2V | 150°C | PDF → |
VBA5325VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 6.8A < 8.3A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 6.8A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5.8nC | 4.1V | 150°C | PDF → |
SH8MA3TB1ROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 7A < 8.3A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 7A | 23mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 1V | 150°C | PDF → |
ME4548-GMATSUKI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 7.1A < 8.3A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 7.1A | 20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 19nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
NDS9410Aonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 7.3A < 8.3A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (22nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 7.3A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 3V | 150°C | PDF → |
ZXMN3B04N8TADiodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 7.2A < 8.3A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (23.1nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 7.2A | 25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 23.1nC | 0.7V | 150°C | PDF → |
IRF7105TRPBF-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- oryginal to logic-level (Vgs(th) 1V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- UWAGA: Id 8A < 8.3A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 8A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | — | PDF → |
FDS8962Consemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 7A < 8.3A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (26nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 7A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 26nC | 3V | 150°C | PDF → |
IRF7201PBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 7.3A < 8.3A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (28nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 7.3A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 28nC | 1V | 150°C | PDF → |
IRF7201TRPBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 7.3A < 8.3A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (28nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 7.3A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 28nC | 1V | 150°C | PDF → |
SP3022CP8Siliup Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 7A < 8.3A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 7A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 5V | — | PDF → |
CJQ4800Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 6.9A < 8.3A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 6.9A | 19mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 1V | 150°C | PDF → |