Zamienniki dla IRF7820TRPBF

IRF7820TRPBF (Infineon Technologies)auto

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: SO-8
Wymiary: 4.9 × 3.9 × 1.5 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (81)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`IRF7820TRPBF` Infineon Technologies ↓ Twoj uklad	N	SO-8 4.9×3.9mm	10V	3.7A	78mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	29nC	3.04V	200°C	PDF →
`IRF7853PBF` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	10V	8.3A	14.418mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	7.8nC	3V	—	PDF →
`IRF8714PBF` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1.351V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	10V	14A	7.18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2nC	1.351V	—	PDF →
`KNE6303A` KIA Semicon Tech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	11.83V	12A	2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	3V	—	PDF →
`IRF8113PBF` Infineon (ex-International Rectifier) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	10V	18A	4.75mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5.6nC	1.5V	—	PDF →
`DMG9926USD-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	6A	21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	1.2V	—	PDF →
`FDS9926A-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	6A	21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	1.2V	—	PDF →
`IRF7311PBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	6A	21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	1.2V	—	PDF →
`PHKD6N02LT-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	6A	21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	1.2V	—	PDF →
`SM9926PRL-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	6A	21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	1.2V	—	PDF →
`ZXMN2A04DN8-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	6A	21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11nC	1.2V	—	PDF →
`HAT2199R-EL-E` RENESAS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	5.5A	13.016mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	7.5nC	—	—	PDF →
`ESP10N10` ElecSuper Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1.85V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	7A	90mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.2nC	1.85V	—	PDF →
`UPA2720GR-E1-A` RENESAS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	7A	5.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	2.5V	—	PDF →
`AO9926B-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 0.45V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	8A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10.5nC	0.45V	—	PDF →
`AO9926C-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 0.45V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	8A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10.5nC	0.45V	—	PDF →
`DMN2029USD-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 0.45V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	8A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10.5nC	0.45V	—	PDF →
`FDS6892A-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 0.45V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	8A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10.5nC	0.45V	—	PDF →
`SI9926CDY-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 0.45V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	8A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10.5nC	0.45V	—	PDF →
`UPA2792AGR-E1-AT` RENESAS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	5A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	42nC	—	—	PDF →
`FW342-TL-E` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6A	33mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	16nC	—	—	Szukaj PDF →
`SI4542DY` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13nC	3V	175°C	PDF →
`UPA1728G-E1-AT` RENESAS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (48nC vs 29nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	4.5A	1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	48nC	2.5V	—	PDF →
`RSH065N06TB1` ROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6.5A	100mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2nC	1V	—	PDF →
`GL6009AS-8` GL Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1.7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	9A	11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	1.7V	175°C	PDF →
`10N06` HL Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	10A	40mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	2.5V	—	PDF →
`UPA1727G-E1-AT` RENESAS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (48nC vs 29nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	5A	1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	48nC	2.5V	—	PDF →
`SQ4532AEY-T1_BE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1.522V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	7.3A	21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5.97nC	1.522V	175°C	PDF →
`SQ4532AEY-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1.522V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	7.3A	21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5.97nC	1.522V	175°C	PDF →
`HY1106S` HUAYI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1.03V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	11A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6.4nC	1.03V	175°C	PDF →
`FDS4488` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	7.9A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9.5nC	1.8V	175°C	PDF →
`UPA2709AGR-E1-AT` RENESAS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	13A	8.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	2.5V	—	PDF →
`DMN3024LSD-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	—	PDF →
`FDS6912A-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	—	PDF →
`FDS6990AS-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	—	PDF →
`FDS8984-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	—	PDF →
`IRF7313TRPBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	—	PDF →
`IRF9956TRPBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	—	PDF →
`NTMD4840NR2G-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	—	PDF →
`SM4818PRL-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	—	PDF →
`SM4842PRL-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	—	PDF →
`TP89R103NL,LQ` TOSHIBA Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 2.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	15A	12.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9.8nC	2.3V	—	PDF →
`SP8M4HZGTB` ROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	9A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	2.5V	—	Szukaj PDF →
`FDS6572A` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 0.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	16A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	0.6V	175°C	PDF →
`45N18` Shenzhen Fuman Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1.01V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	20A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	13.2nC	1.01V	175°C	PDF →
`RJK0366DSP-00#J0` RENESAS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	11A	5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6.8nC	—	—	PDF →
`FDS6692` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	12A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	18nC	1.6V	175°C	PDF →
`4406` HL Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.5V	—	PDF →
`FDS6294` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	13A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	3.5nC	5V	175°C	PDF →
`TPH1R104PB,L1XHQ` TOSHIBA Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	120A	1.96mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	3V	—	PDF →
`NTMFS4H01NFT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1.22V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	54A	0.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1nC	1.22V	—	PDF →
`NTMFS4H01NFT3G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1.22V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	334A	0.56mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1nC	1.22V	—	PDF →
`FDS6930B-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1.21V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6A	42mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1.21V	—	PDF →
`IRF7303PBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1.21V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6A	42mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1.21V	—	PDF →
`IRF7313PBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1.21V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6A	42mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1.21V	—	PDF →
`IRF9956PBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1.21V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6A	42mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1.21V	—	PDF →
`SI4936ADY-T1-E3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1.21V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6A	42mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1.21V	—	PDF →
`SI4936CDY-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1.21V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6A	42mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1.21V	—	PDF →
`SM4800PRL-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1.21V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6A	42mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1.21V	—	PDF →
`SP4606BCP8` Siliup Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	2V	—	PDF →
`STS2DNF30L-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1.21V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6A	42mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1.21V	—	PDF →
`ZXMN3A06DN8-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1.21V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	6A	42mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1.21V	—	PDF →
`CEM3120` CET(Chino-Excel Tech) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	10A	15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1V	—	PDF →
`IRF9910TRPBF-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	10A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`SP3022CP8` Siliup Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	7A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	5V	—	PDF →
`IRF7105TRPBF-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`NTMFS4C10NAT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SO-8	30V	8.2A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	Szukaj PDF →
`CEM3060` CET(Chino-Excel Tech) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	14A	7.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1V	—	PDF →
`SP3011CP8` Siliup Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	9A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	5V	—	PDF →
`SP3012CP8` Siliup Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	9A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	5V	—	PDF →
`CEM4052` CET(Chino-Excel Tech) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	16A	100mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1V	—	PDF →
`PTS2017` PUOLOP Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 0.7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (58nC vs 29nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	17A	5.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	58nC	0.7V	175°C	PDF →
`KIA4603AE` KIA Semicon Tech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	20A	2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	3.84V	—	PDF →
`NTMD4N03R2` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem UWAGA: Vds 8V < 10V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	8V	4A	60mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	16nC	4.2V	—	PDF →
`UPA2791GR-E1-AT` RENESAS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 3A < 3.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	3A	28.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	2.5V	—	PDF →
`IRF9952QPBF` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 3.5A < 3.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	3.5A	2000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14nC	1V	—	PDF →
`UPA1890GR-9JG-E1-A` RENESAS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.04V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 3A < 3.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	3A	1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	24nC	2.5V	—	PDF →
`TPN2R304PL,L1Q(M` TPN2R304PL,L1Q(M Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	—	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`TPH3R70APL,L1Q(M` TOSHIBA Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	90A	6.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	6V	—	PDF →
`TPH3R506PL,LQ(S` TOSHIBA Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	94A	6.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	6V	—	PDF →
`TPH3R70APL` TOSHIBA Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (67nC vs 29nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	90A	6.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	67nC	6V	175°C	PDF →
`TPH1R306PL,L1Q` TOSHIBA Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (91nC vs 29nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	100A	2.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	91nC	6V	—	PDF →

Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (1)

SH8MA2GZETB: tj-max-too-low