IRLU3103PBF-VBVBsemi Elec ↓ Twoj uklad | N | TO-251 | 30V | 53A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 5V | 150°C | PDF → |
AP40P03GJ-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 30V | 53A | 70mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 5V | 150°C | PDF → |
CMU40N03-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 30V | 53A | 70mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 5V | 150°C | PDF → |
FDU6682onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 30V | 75A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6.5nC | 7V | 175°C | PDF → |
FDU6682_NLonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 30V | 75A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6.5nC | 7V | 175°C | PDF → |
IRFU3707ZPBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 2.25V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 30V | 56A | 9.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 14nC | 2.25V | 175°C | PDF → |
FDU6688onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 30V | 84A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 5V | 175°C | PDF → |
VBFB1615VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 60V | 55A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5nC | 1V | 175°C | PDF → |
FDU6692onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (18nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 30V | 54A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 18nC | 1.6V | 175°C | PDF → |
G50N03JGOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1.45V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 30V | 65A | 65mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 1.45V | — | PDF → |
AGMH12N10IAGM-Semi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 100V | 65A | 9.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 1nC | 3V | 150°C | PDF → |
FDU6644onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (25nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 30V | 67A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 25nC | 1.5V | 175°C | PDF → |
VBFB1410VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (25nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 40V | 55A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 25nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
NCE4060IWuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (29nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 40V | 60A | 15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 29nC | 1.6V | 175°C | PDF → |
DMT6009LJ3Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 0.7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (15.6nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 60V | 74.5A | 8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15.6nC | 0.7V | 150°C | PDF → |
NCE3080IAWuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (51nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 30V | 80A | 7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 51nC | 1.1V | 175°C | PDF → |
FDU6676ASonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (46nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 30V | 90A | 7.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 46nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
MOT100N03MCMOT Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 30V | 100A | 3.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 1V | 175°C | PDF → |
VBFB1303VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (100nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 30V | 100A | 4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 100nC | 7.5V | 175°C | PDF → |
VBFB1405VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (85nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 40V | 85A | 5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 85nC | 8V | 175°C | PDF → |
VBZFB80N03VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (170nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 30V | 100A | 4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 170nC | 7.5V | 175°C | PDF → |
NCE40H12IWuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (75nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 40V | 120A | 5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 75nC | 1.8V | 175°C | PDF → |
LNH08R085LONTEN Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (127nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 62.5V | 70A | 6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 127nC | 1.6V | 125°C | PDF → |
MOT50N03CMOT Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1.7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 50A < 53A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 30V | 50A | 8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 1.9nC | 1.7V | 150°C | PDF → |
ISL9N312AD3onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 50A < 53A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 30V | 50A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 1V | 175°C | PDF → |
VBZFB50N06VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 50A < 53A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: wymiary
| N | TO-251 | 60V | 50A | 10mΩ Vgs=10V, temperatura nieznana | 5nC | 1V | 175°C | PDF → |
WSC40N06Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 50A < 53A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 60V | 50A | 60mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.8V | 150°C | PDF → |
IPS075N03LGInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 2.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 50A < 53A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (18nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 30V | 50A | 7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 18nC | 2.2V | 175°C | PDF → |
HSD6016HUASHUO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 47A < 53A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 60V | 47A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.2V | 150°C | PDF → |
ISL9N308AD3onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 50A < 53A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (24nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 30V | 50A | 6.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 24nC | 1V | 175°C | PDF → |
ISL9N306AD3onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 50A < 53A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (30nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 30V | 50A | 5.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 1V | 175°C | PDF → |
VBZFB40N03VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Id 50A < 53A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (33nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-251 | 30V | 50A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 33nC | 5V | 150°C | PDF → |
VBZFB50N03VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Id 50A < 53A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (33nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-251 | 30V | 50A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 33nC | 5V | 150°C | PDF → |
CED4204-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Id 50A < 53A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (36nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs(th)
| N | TO-251 | 40V | 50A | 14mΩ Vgs=4.5V, temperatura nieznana | 36nC | — | 150°C | PDF → |
NCE6050IAWuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 50A < 53A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 60V | 50A | 13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 1.8V | 175°C | PDF → |
30N06 TO251-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Id 45A < 53A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (46nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| N | TO-251 | 60V | 45A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 46nC | — | 150°C | PDF → |
IRFU1205PBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Id 44A < 53A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (65nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 55V | 44A | 27mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 65nC | 4V | 175°C | PDF → |
SIHU6N80AE-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (22.5nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
| N | TO-251 | 800V | 100A | 950mΩ Vgs=0V, 125°C | 22.5nC | 2V | 150°C | PDF → |
AUIRFU8401Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 2.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (42nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 150V | 100A | 4.25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 42nC | 2.2V | 175°C | PDF → |
IRFU7740PBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 2.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (84nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 150V | 87A | 6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 84nC | 2.1V | 125°C | PDF → |
AUIRFU8403Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (66nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 150V | 100A | 3.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 66nC | 3V | 175°C | PDF → |
AUIRFU8405Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (103nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 150V | 100A | 1.98mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 103nC | 3V | 175°C | PDF → |
IRFU7440PBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (89nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 150V | 180A | 2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 89nC | 3V | 175°C | PDF → |
SIHU2N80AE-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (710.5nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
| N | TO-251 | 800V | 100A | 2900mΩ Vgs=0V, 125°C | 710.5nC | 2V | 150°C | PDF → |