Zamienniki dla IRLU3105PBF

IRLU3105PBF (Infineon Technologies)

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: TO-251
Wymiary: —

Brakuje danych: wymiary, Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (4)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`IRLU3105PBF` Infineon Technologies ↓ Twoj uklad	N	TO-251	250V	25A	4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	1V	—	PDF →
`AUIRFU540Z` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (39nC vs 20nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-251	250V	35A	22.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	39nC	2V	175°C	PDF →
`SIHU6N80AE-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary	N	TO-251	800V	100A	950mΩ Vgs=0V, 125°C	22.5nC	2V	150°C	PDF →
`VBFB1208N` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Vds 200V < 250V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (40nC vs 20nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-251	200V	25A	56mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	40nC	2V	175°C	PDF →
`SIHU2N80AE-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (710.5nC vs 20nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary	N	TO-251	800V	100A	2900mΩ Vgs=0V, 125°C	710.5nC	2V	150°C	PDF →

Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (16)

5N20A: id-too-low
AOI8N25-VB: id-too-low
AOY66923: vds-too-low, id-too-low
FQU10N20CTU: id-too-low
FQU10N20TU: id-too-low
IRFU13N20DPBF: id-too-low
IRLU024NPBF: vds-too-low, id-too-low
IRLU120NPBF: vds-too-low, id-too-low
IRLU3410PBF: vds-too-low, id-too-low
JCS3910V: vds-too-low, id-too-low
JCS630VA: id-too-low
NCE0117I: vds-too-low, id-too-low
NCE0125AI: vds-too-low
NCE6020AI: vds-too-low
VBFB1203M: id-too-low
VBZFB10N20: id-too-low