Zamienniki dla MOT3140J

MOT3140J (MOT)auto

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: DFN-8
Wymiary: 3.3 × 3.3 × 1 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (35)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`MOT3140J` MOT ↓ Twoj uklad	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	110A	4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	66.3nC	5V	150°C	PDF →
`SE20N110` SINO-IC Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 0.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	110A	3.95mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2nC	0.5V	150°C	PDF →
`AON7544(XBLW)` XBLW Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	5.5mΩ Vgs=10V, 25°C	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`BSC026N02KSGAUMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	20V	100A	2.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	52.7nC	1.2V	150°C	PDF →
`BSZ050N03LS G-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`BSZ0904NSI-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`CSD16340Q3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`CSD17577Q3A-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`DMN3008SFG-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`DMN3009LFVW-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`FDMC8651-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`FDMC8854-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`HXY100N03DF` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`MDV1542-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	4000mΩ Vgs=10V, 25°C	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`MSK100N03DF` MSKSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`NTMFS4C025N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	4000mΩ Vgs=10V, 25°C	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`NTTFS4824N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	4000mΩ Vgs=10V, 25°C	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`NTTFS4937N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	4000mΩ Vgs=10V, 25°C	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`NTTFS4939N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	4000mΩ Vgs=10V, 25°C	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`NTTFS4C06N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	4000mΩ Vgs=10V, 25°C	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`NVTFS4C06N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	4000mΩ Vgs=10V, 25°C	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`BSC009NE2LSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	25V	100A	1.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1V	150°C	PDF →
`BSC010NE2LSIATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	25V	100A	1.05mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	59nC	2V	—	PDF →
`BSC014NE2LSIATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	25V	100A	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	150°C	PDF →
`BSC030N03LSGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	100A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	55nC	1V	150°C	PDF →
`BSC0902NSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 2.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	100A	2.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	26nC	2.2V	150°C	PDF →
`BSZ0502NSI` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	100A	2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9nC	2V	150°C	Szukaj PDF →
`DMT32M5LFG-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	100A	1.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	34nC	1.4V	150°C	PDF →
`IRFH8303TRPBF` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1.7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	100A	1.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	58nC	1.7V	150°C	PDF →
`AP90N03Q` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 90A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	90A	7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	1.5V	150°C	PDF →
`BSC011N03LSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 2.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	100A	1.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	72nC	2.2V	175°C	PDF →
`BSC030N03MSGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	100A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	73nC	2V	150°C	PDF →
`TPN11006NL,LQ` TPN11006NL,LQ Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	—	17mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`AP30H150Q` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 105A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	105A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`BSC020N03MSGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (10) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (124nC vs 66.3nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	100A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	124nC	1V	150°C	PDF →
`BSC014N03LSGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (10) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 2.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (131nC vs 66.3nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	100A	1.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	131nC	2.2V	150°C	PDF →

Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (1)

NVTFS4C02NWFTAG: id-too-low