NTMFS4833NAT1Gonsemi ↓ Twoj uklad | N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 28A | 1.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 7.438nC | 1.51V | 150°C | PDF → |
SIRA18DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.51V vs 5.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 33A | 7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6.9nC | 5.2V | 150°C | PDF → |
SIRA18DP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.51V vs 5.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 33A | 7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6.9nC | 5.2V | 150°C | PDF → |
SIRA10BDP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.51V vs 3.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Qg wyzsze (11.7nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11.7nC | 3.8V | 150°C | PDF → |
NTMFS4C250NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Qg wyzsze (11.6nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 31.6A | 3.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11.6nC | 1.32V | 150°C | PDF → |
SIRA88DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.51V vs 4.7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 45.5A | 5.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8.3nC | 4.7V | 150°C | PDF → |
SI7336ADP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 1.03V | 150°C | PDF → |
NTMFS4937NCT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (15.9nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 3.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15.9nC | 1.321V | 150°C | PDF → |
NTMFS4937NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (15.9nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 3.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15.9nC | 1.321V | 150°C | PDF → |
NTMFS4C05NAT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (14nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 34.8A | 3.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 14nC | 1.32V | 150°C | PDF → |
NTMFS4C10NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 46A | 6.95mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9.7nC | 1.32V | 150°C | Szukaj PDF → |
NTMFS4C10NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 46A | 6.95mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9.7nC | 2.2V | 150°C | PDF → |
NTMFS4C054NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (15nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 36A | 2.54mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 1.32V | — | PDF → |
NTMFS4C054NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (15nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 36A | 2.12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 1.32V | 150°C | PDF → |
NTMFS4C03NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (20.8nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 2.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20.8nC | 1.32V | 150°C | PDF → |
SIRA04DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.51V vs 5.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (22.5nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 28.7A | 2.15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22.5nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
NTMFS4936NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (19nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 35A | 2.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 19nC | 1.21V | 150°C | PDF → |
SI4164DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.51V vs 5.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (30nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 2.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 5.6V | 150°C | PDF → |
SI4626ADY-T1-E3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.51V vs 7.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (30nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 2.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 7.3V | 150°C | PDF → |
SI4626ADY-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.51V vs 7.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (30nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 2.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 7.3V | 150°C | PDF → |
SIR462DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.51V vs 5.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (30nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
SI4166DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.51V vs 5.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (30.5nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30.5A | 3.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30.5nC | 5.4V | 150°C | PDF → |
SI7336ADP-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (36nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 36nC | 1.03V | 150°C | PDF → |
NTMFS4C10Nonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.51V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| N | SO-8 | 30V | 46A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | — | PDF → |
NTMFS4C10NBT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.51V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 46A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | — | PDF → |
SI7880ADP-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.51V vs 5.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (40nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 40nC | 5.6V | 150°C | PDF → |
NTMFS4935NBT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (22nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 3.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 1.21V | — | PDF → |
NTMFS4935NCT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (22nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 2.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 1.21V | 150°C | PDF → |
NTMFS4935NCT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (22nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 2.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 1.21V | 150°C | PDF → |
NTMFS4935NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (22nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 2.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 1.21V | 150°C | PDF → |
SIR464DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.51V vs 5.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 2.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 5.6V | 150°C | PDF → |
SI7686DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.51V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (35nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 35A | 7.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 35nC | 6V | 150°C | PDF → |
NTMFS4C10NCT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (18.6nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 | 30V | 46A | 6.95mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 18.6nC | 2.2V | 150°C | PDF → |
SQJ410EP-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (73.511nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 32A | 3.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 73.511nC | 1.52V | 175°C | PDF → |
SQ4182EY-T1_BE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (110nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 32A | 3.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 110nC | 1.52V | 175°C | PDF → |
SI4126DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.51V vs 6.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (39nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 39A | 2.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 39nC | 6.4V | 150°C | PDF → |
SIR468DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.51V vs 5.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (40nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 4.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 40nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
SIR164ADP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.51V vs 5.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (77nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 35.9A | 2.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 77nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
NTMFS0D55N03CGT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (121.117nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 35A | 0.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 121.117nC | 1.32V | 175°C | PDF → |
SIR460DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (54nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 4.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 54nC | 2.4V | 150°C | PDF → |
SIRA36DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (56nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 2.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 56nC | 2.2V | 150°C | PDF → |
SIR158DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.51V vs 6.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (60nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 5000mΩ Vgs=10V, 55°C | 60nC | 6.6V | 150°C | PDF → |
SIR466DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.51V vs 5.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (65nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 3.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 65nC | 5.4V | 150°C | PDF → |
SI7634BDP-T1-E3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.51V vs 6.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (68nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 68nC | 6.4V | 150°C | PDF → |
SI7634BDP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.51V vs 6.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (68nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 68nC | 6.4V | 150°C | PDF → |
SIRA06DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.51V vs 5.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (77nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 2.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 77nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
SIR820DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.51V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (95nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 95nC | 5V | 150°C | PDF → |
SI7880ADP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.51V vs 5.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (125nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 125nC | 5.6V | 150°C | PDF → |
NTMFS4897NFT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (40.2nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 47A | 1.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 40.2nC | 1.52V | 150°C | PDF → |
NTMFS4933NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (62.1nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 43A | 0.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 62.1nC | 1.21V | 150°C | PDF → |
NTMFS4933NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (62.1nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 43A | 0.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 62.1nC | 1.21V | 150°C | PDF → |
SI7788DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.51V vs 7.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 50A | 2.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 7.3V | 150°C | PDF → |
SIR818DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.51V vs 5.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 50A | 2.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 5.4V | 150°C | PDF → |
SIRA66DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.51V vs 5.7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 50A | 2.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 5.7V | 150°C | PDF → |
NTMFS4C020NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (139nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 47A | 0.56mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 139nC | 1.32V | 150°C | PDF → |
SIRA02DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (117nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 50A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 117nC | 2.2V | 150°C | PDF → |
SIR164DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.51V vs 5.9V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (123nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 50A | 2.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 123nC | 5.9V | 150°C | PDF → |
SIR164DP-T1-RE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.51V vs 5.9V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (123nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 50A | 2.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 123nC | 5.9V | 150°C | PDF → |
NTMFS4C027NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 25.3A < 28A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 25.3A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8.4nC | 1.32V | 150°C | PDF → |
NTMFS4926NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 23.4A < 28A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 23.4A | 5.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8.7nC | 1.321V | 150°C | PDF → |
SIRA12BDP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.51V vs 5.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 27A < 28A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 27A | 4.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 5.1V | 150°C | PDF → |
NTMFS4C029NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 22.5A < 28A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 22.5A | 5.88mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9.7nC | 1.32V | 150°C | PDF → |
NTMFS4C290NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 22.5A < 28A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 22.5A | 5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9.7nC | 1.32V | 150°C | PDF → |
NTMFS4C028NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 25.3A < 28A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 25.3A | 3.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10.9nC | 1.32V | 150°C | PDF → |
NTMFS4C59NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 25.3A < 28A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 25.3A | 4.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10.9nC | 1.32V | 150°C | PDF → |
NTMFS4939NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 26A < 28A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (12.8nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 26A | 4.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.8nC | 1.21V | 150°C | PDF → |
NVMFS4C05NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 27.2A < 28A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (14nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 27.2A | 2.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 14nC | 1.32V | 175°C | PDF → |
APM4826KC-TRGAnpec Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 22.5A < 28A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (12nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 22.5A | 13.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12nC | 1.8V | 150°C | PDF → |
SI4336DY-T1-E3-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.51V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- UWAGA: Id 25A < 28A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 25A | 3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | 150°C | PDF → |
SI4160DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.51V vs 5.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 25.4A < 28A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (16.9nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 25.4A | 4.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 16.9nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
SI4101DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.51V vs 5.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 25.7A < 28A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (25.7nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 25.7A | 6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 25.7nC | 5.3V | 150°C | PDF → |
SI4634DY-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.51V vs 6.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 24.5A < 28A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (24.5nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 24.5A | 4.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 24.5nC | 6.4V | 150°C | PDF → |
SI4634DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.51V vs 6.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 24.5A < 28A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (24.5nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 24.5A | 4.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 24.5nC | 6.4V | 150°C | PDF → |
SI7272DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.51V vs 5.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 25A < 28A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (26nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 25A | 9.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 26nC | 5.6V | 150°C | PDF → |
SI4156DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.51V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 24A < 28A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (24nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 24A | 4.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 24nC | 6V | 150°C | PDF → |
SI4168DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.51V vs 5.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 24A < 28A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (24nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 24A | 4.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 24nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
SI7374DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 24A < 28A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (24nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 24A | 4.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 24nC | 1.52V | 150°C | PDF → |
SI7892BDP-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 25A < 28A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (40nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 25A | 3.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 40nC | 1.03V | 150°C | PDF → |
ME4626-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 25A < 28A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (45nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 25A | 3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 45nC | 1V | 150°C | PDF → |
VBA1302VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 25A < 28A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (45nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 25A | 3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 45nC | 1.03V | 150°C | PDF → |
SIRA12DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 25A < 28A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (45nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 25A | 4.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 45nC | 2.2V | 150°C | PDF → |
FDS7088N7onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 23A < 28A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (37nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 23A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 37nC | 1.9V | 150°C | PDF → |
SIRA10DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.51V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 25A < 28A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (60nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 25A | 3.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 60nC | 5V | 150°C | PDF → |
IRF8788TRPBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 24A < 28A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (66nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 24A | 2.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 66nC | 2.35V | 150°C | PDF → |
SI4143DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.51V vs 4.9V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 25.3A < 28A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (167nC vs 7.438nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 25.3A | 5.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 167nC | 4.9V | 150°C | PDF → |