Zamienniki dla NTMFS4936NCT1G

NTMFS4936NCT1G (onsemi)auto

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: SO-8
Wymiary: 5 × 6 × 1 mm

Brakuje danych: pinout, Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (8)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`NTMFS4936NCT1G` onsemi ↓ Twoj uklad	N	SO-8 5×6mm	30V	79A	3.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	19nC	1.21V	150°C	Szukaj PDF →
`SI7192DP-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 5×6mm	30V	150A	2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →
`SI7336ADP-T1-E3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 5×6mm	30V	150A	2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →
`SI7336ADP-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 5×6mm	30V	150A	2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →
`SI7880ADP-T1-E3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 5×6mm	30V	150A	2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →
`SIR158DP-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 5×6mm	30V	150A	2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →
`SIR464DP-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 5×6mm	30V	150A	2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →
`NTMFS4C55NT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem UWAGA: Id 78A < 79A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Qg wyzsze (30nC vs 19nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8	30V	78A	3.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	2.2V	150°C	PDF →
`NTMFS4C55N` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (10) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.21V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) UWAGA: Id 78A < 79A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SO-8	30V	78A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	Szukaj PDF →

Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (7)

NTMFS4C09NAT1G: id-too-low
NTMFS4C09NBT1G: id-too-low
NTMFS4C10NBT1G: id-too-low
NTMFS4C50NT1G: id-too-low
NTMFS4C810NAT3G: id-too-low
SIR462DP-T1-GE3-HXY: id-too-low
SIR462DP-T1-GE3-VB: id-too-low