NTMFS4C05NAT1Gonsemi ↓ Twoj uklad | N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 34.8A | 3.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 14nC | 1.32V | 150°C | PDF → |
NTMFS4C054NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 36A | 2.12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 1.32V | 150°C | PDF → |
NTMFS4C054NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 36A | 2.54mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 1.32V | — | PDF → |
SIRA88DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.32V vs 4.7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 45.5A | 5.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8.3nC | 4.7V | 150°C | PDF → |
NTMFS4C10NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 46A | 6.95mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9.7nC | 1.32V | 150°C | Szukaj PDF → |
NTMFS4C10NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 46A | 6.95mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9.7nC | 2.2V | 150°C | PDF → |
NTMFS4C09NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 52A | 5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10.9nC | 2.1V | 150°C | PDF → |
NTMFS4936NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 35A | 2.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 19nC | 1.21V | 150°C | PDF → |
NTMFS4C10NCT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 | 30V | 46A | 6.95mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 18.6nC | 2.2V | 150°C | PDF → |
NTMFS4935NCT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Qg wyzsze (22nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 2.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 1.21V | 150°C | PDF → |
NTMFS4935NCT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Qg wyzsze (22nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 2.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 1.21V | 150°C | PDF → |
NTMFS4935NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Qg wyzsze (22nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 2.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 1.21V | 150°C | PDF → |
NTMFS4935NBT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Qg wyzsze (22nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 3.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 1.21V | — | PDF → |
NTMFS4C55NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 78A | 2.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 14nC | 1.32V | 150°C | PDF → |
SI7686DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.32V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (35nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 35A | 7.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 35nC | 6V | 150°C | PDF → |
NTMFS4C10Nonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.32V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| N | SO-8 | 30V | 46A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | — | PDF → |
NTMFS4C10NBT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.32V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 46A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | — | PDF → |
SI4126DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.32V vs 6.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (39nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 39A | 2.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 39nC | 6.4V | 150°C | PDF → |
SIR468DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.32V vs 5.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (40nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 4.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 40nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
NTMFS4C09NBT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.32V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| N | SO-8 | 30V | 52A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | — | PDF → |
SIR460DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (54nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 4.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 54nC | 2.4V | 150°C | PDF → |
SIRA36DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (56nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 2.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 56nC | 2.2V | 150°C | PDF → |
NTMFS4897NFT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (40.2nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 47A | 1.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 40.2nC | 1.52V | 150°C | PDF → |
SIR158DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.32V vs 6.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (60nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 5000mΩ Vgs=10V, 55°C | 60nC | 6.6V | 150°C | PDF → |
SIR466DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.32V vs 5.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (65nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 3.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 65nC | 5.4V | 150°C | PDF → |
SIR164ADP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.32V vs 5.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (77nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 35.9A | 2.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 77nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
SI7634BDP-T1-E3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.32V vs 6.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (68nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 68nC | 6.4V | 150°C | PDF → |
SI7634BDP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.32V vs 6.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (68nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 68nC | 6.4V | 150°C | PDF → |
SIRA06DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.32V vs 5.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (77nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 2.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 77nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
NTMFS4933NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (62.1nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 43A | 0.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 62.1nC | 1.21V | 150°C | PDF → |
NTMFS4933NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (62.1nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 43A | 0.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 62.1nC | 1.21V | 150°C | PDF → |
SIR820DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.32V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (95nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 95nC | 5V | 150°C | PDF → |
SI7788DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.32V vs 7.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 50A | 2.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 7.3V | 150°C | PDF → |
SIR818DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.32V vs 5.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 50A | 2.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 5.4V | 150°C | PDF → |
SIRA66DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.32V vs 5.7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 50A | 2.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 5.7V | 150°C | PDF → |
NTMFS0D55N03CGT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (121.117nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 35A | 0.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 121.117nC | 1.32V | 175°C | PDF → |
SI7880ADP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.32V vs 5.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (125nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 125nC | 5.6V | 150°C | PDF → |
SIRC10DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (36nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 60A | 2.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 36nC | 1V | 150°C | PDF → |
SIRA84DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.32V vs 5.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (38nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 60A | 4.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 38nC | 5.3V | 150°C | PDF → |
NTMFS4C020NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (139nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 47A | 0.56mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 139nC | 1.32V | 150°C | PDF → |
SIRA62DP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.32V vs 4.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (93nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 51.4A | 1.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 93nC | 4.3V | 150°C | PDF → |
SIRA02DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (117nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 50A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 117nC | 2.2V | 150°C | PDF → |
SIR164DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.32V vs 5.9V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (123nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 50A | 2.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 123nC | 5.9V | 150°C | PDF → |
SIR164DP-T1-RE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.32V vs 5.9V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (123nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 50A | 2.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 123nC | 5.9V | 150°C | PDF → |
SIRA14DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.32V vs 4.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (58nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 58A | 5.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 58nC | 4.6V | 150°C | PDF → |
SIRC04DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (56nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 60A | 2.45mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 56nC | 2.1V | 150°C | PDF → |
SI7192DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.32V vs 6.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (60nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 60A | 1.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 60nC | 6.1V | 150°C | PDF → |
SI7742DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (60nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 60A | 3.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 60nC | 1.32V | 150°C | PDF → |
SIR158DP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.32V vs 6.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (60nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 60A | 5000mΩ Vgs=10V, 55°C | 60nC | 6.6V | 150°C | PDF → |
SIR812DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.32V vs 5.7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (60nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 60A | 1.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 60nC | 5.7V | 150°C | PDF → |
NTMFS0D6N03CT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (65nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 60A | 0.62mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 65nC | 1.32V | 175°C | PDF → |
SIRA64DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (65nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 60A | 2.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 65nC | 2.2V | 150°C | PDF → |
SIRA64DP-T1-RE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (65nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 60A | 2.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 65nC | 2.2V | 150°C | PDF → |
SIRA60DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.32V vs 6.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (100nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 56A | 0.94mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 100nC | 6.3V | 150°C | PDF → |
SI7658ADP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (110nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 60A | 2.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 110nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
SIRC18DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (111nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 60A | 0.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 111nC | 1V | 150°C | PDF → |
SIRA18DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.32V vs 5.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 33A < 34.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 33A | 7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6.9nC | 5.2V | 150°C | PDF → |
SIRA18DP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.32V vs 5.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 33A < 34.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 33A | 7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6.9nC | 5.2V | 150°C | PDF → |
NTMFS4C250NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 31.6A < 34.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 31.6A | 3.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11.6nC | 1.32V | 150°C | PDF → |
SIRA10BDP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.32V vs 3.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 30A < 34.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11.7nC | 3.8V | 150°C | PDF → |
NTMFS4833NAT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 28A < 34.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 28A | 1.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 7.438nC | 1.51V | 150°C | PDF → |
NTMFS4937NCT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 30A < 34.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 3.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15.9nC | 1.321V | 150°C | PDF → |
NTMFS4937NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 30A < 34.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 3.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15.9nC | 1.321V | 150°C | PDF → |
NTMFS4C03NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 30A < 34.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 2.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20.8nC | 1.32V | 150°C | PDF → |
SIRA04DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.32V vs 5.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 28.7A < 34.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (22.5nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 28.7A | 2.15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22.5nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
SI7336ADP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Id 30A < 34.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 1.03V | 150°C | PDF → |
SI4166DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.32V vs 5.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 30.5A < 34.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (30.5nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30.5A | 3.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30.5nC | 5.4V | 150°C | PDF → |
SI4164DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.32V vs 5.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 30A < 34.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (30nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 2.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 5.6V | 150°C | PDF → |
SI4626ADY-T1-E3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.32V vs 7.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 30A < 34.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (30nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 2.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 7.3V | 150°C | PDF → |
SI4626ADY-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.32V vs 7.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 30A < 34.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (30nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 2.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 7.3V | 150°C | PDF → |
SIR462DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.32V vs 5.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 30A < 34.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (30nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
SI7336ADP-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 30A < 34.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (36nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 36nC | 1.03V | 150°C | PDF → |
SI7880ADP-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.32V vs 5.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 30A < 34.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (40nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 40nC | 5.6V | 150°C | PDF → |
SIR464DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.32V vs 5.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 30A < 34.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 2.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 5.6V | 150°C | PDF → |
SQJ410EP-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 32A < 34.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (73.511nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 32A | 3.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 73.511nC | 1.52V | 175°C | PDF → |
SQ4182EY-T1_BE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 32A < 34.8A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (110nC vs 14nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 32A | 3.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 110nC | 1.52V | 175°C | PDF → |