Zamienniki dla NTMFS4C06NBT3G

NTMFS4C06NBT3G (onsemi)auto

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: SO-8
Wymiary: 4.9 × 3.9 × 1.5 mm

Brakuje danych: Rds(on), Vgs(th) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (31)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`NTMFS4C06NBT3G` onsemi ↓ Twoj uklad	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	69A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`NTMFS4C800NT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	69A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	150°C	Szukaj PDF →
`NTMFS4931NT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	77A	1.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	61.5nC	1.21V	150°C	PDF →
`NTMFS4C55N` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SO-8	30V	78A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	Szukaj PDF →
`NTMFS4C55NT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8	30V	78A	3.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	2.2V	150°C	PDF →
`NTMFS4C55NT3G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	78A	2.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14nC	1.32V	150°C	PDF →
`IRF7455TRPBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	80A	6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12.6nC	1.2V	—	PDF →
`SIDR392DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	82A	0.62mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	188nC	5.3V	150°C	PDF →
`SIR500DP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	85.9A	0.47mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	180nC	0.42V	150°C	PDF →
`SIRA00DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	100A	1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	100nC	5.8V	150°C	PDF →
`SIRA80DP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	100A	0.62mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	188nC	5.3V	150°C	PDF →
`SIRA90DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	100A	0.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	153nC	2V	150°C	PDF →
`SIRA90DP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	100A	0.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	153nC	2V	150°C	PDF →
`SIRA00DP-T1-RE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	100A	1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	220nC	2.2V	150°C	PDF →
`SIRA60DP-T1-RE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	100A	0.94mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	125nC	2.2V	150°C	PDF →
`NTMFS0D5N03CT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Id 65A < 69A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	65A	0.43mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	80nC	1.32V	175°C	PDF →
`SIRA14BDP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Id 64A < 69A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	64A	5.38mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6.6nC	4.7V	150°C	PDF →
`NTMFS0D6N03CT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Id 60A < 69A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	0.62mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	65nC	1.32V	175°C	PDF →
`SI7192DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Id 60A < 69A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	1.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	6.1V	150°C	PDF →
`SIR812DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Id 60A < 69A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	1.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	5.7V	150°C	PDF →
`SIRA84DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Id 60A < 69A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	4.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	38nC	5.3V	150°C	PDF →
`SIRC04DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Id 60A < 69A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	2.45mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	56nC	2.1V	150°C	PDF →
`SI7658ADP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Id 60A < 69A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	2.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	110nC	2.5V	150°C	PDF →
`SI7742DP-T1-GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Id 60A < 69A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	3.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	1.32V	150°C	PDF →
`SIR158DP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 60A < 69A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	5000mΩ Vgs=10V, 55°C	60nC	6.6V	150°C	PDF →
`SIRA64DP-T1-GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Id 60A < 69A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	2.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	65nC	2.2V	150°C	PDF →
`SIRA64DP-T1-RE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Id 60A < 69A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	2.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	65nC	2.2V	150°C	PDF →
`SIRC10DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Id 60A < 69A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	2.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	36nC	1V	150°C	PDF →
`SIRC18DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Id 60A < 69A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	0.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	111nC	1V	150°C	PDF →
`SIRA14DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Id 58A < 69A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	58A	5.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	58nC	4.6V	150°C	PDF →
`SIRA60DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Id 56A < 69A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	56A	0.94mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	100nC	6.3V	150°C	PDF →
`SIRC16DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 25V < 30V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas UWAGA: Id 60A < 69A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	60A	0.96mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	48nC	2.4V	150°C	PDF →

Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (7)

NTMFS4933NT1G: id-too-low
NTMFS4933NT3G: id-too-low
NTMFS4934NT3G: id-too-low
NTMFS4C020NT3G: id-too-low
NTMFS4H01NFT1G: id-too-low
NTMFS4H01NT1G: id-too-low
SIRA62DP-T1-RE3: id-too-low