Zamienniki dla NTMFS4C50NT1G

NTMFS4C50NT1G (onsemi)auto

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: SO-8
Wymiary: 5 × 6 × 1 mm

Brakuje danych: pinout, Rds(on), Vgs(th) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (13)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`NTMFS4C50NT1G` onsemi ↓ Twoj uklad	N	SO-8 5×6mm	30V	46A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	150°C	PDF →
`NTMFS4C10N` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SO-8	30V	46A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`NTMFS4C10NBT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 5×6mm	30V	46A	6.95mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	18.6nC	2.2V	150°C	PDF →
`NTMFS4C810NAT3G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 5×6mm	30V	46A	5.88mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9.7nC	1.32V	150°C	PDF →
`SIR462DP-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 5×6mm	30V	50A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5.9nC	2.5V	150°C	PDF →
`NTMFS4C10NCT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8	30V	46A	6.95mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	18.6nC	2.2V	150°C	PDF →
`NTMFS4C760NT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 5×6mm	30V	46A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11.6nC	1.32V	—	PDF →
`NTMFS4C09NBT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 5×6mm	30V	52A	5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10.9nC	1.32V	150°C	PDF →
`NTMFS4C09NBT3G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SO-8	30V	52A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`SIR462DP-T1-GE3-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 5×6mm	30V	60A	7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	7.5V	150°C	PDF →
`NTMFS4C55N` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SO-8	30V	78A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	Szukaj PDF →
`NTMFS4C55NT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8	30V	78A	3.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	2.2V	150°C	PDF →
`NTMFS4936NCT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 5×6mm	30V	79A	3.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	19nC	1.21V	150°C	Szukaj PDF →
`NTMFS4C302NT3G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem UWAGA: Id 41A < 46A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 5×6mm	30V	41A	1.15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	37nC	1.32V	150°C	PDF →

Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (3)

NTMFS4C09NAT1G: id-too-low
NTMFS4C10NAT1G: id-too-low
SIR802DP-T1-GE3-VB: id-too-low