Zamienniki dla NTMFS4H01NT1G

NTMFS4H01NT1G (onsemi)auto

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: SO-8
Wymiary: 4.9 × 3.9 × 1.5 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (67)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`NTMFS4H01NT1G` onsemi ↓ Twoj uklad	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	54A	0.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	0.97nC	1.22V	150°C	PDF →
`NTMFS4H01NFT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	54A	0.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1nC	1.22V	—	PDF →
`NTMFS4C06NBT3G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.22V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	69A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`NTMFS4C800NT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.22V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	69A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	150°C	Szukaj PDF →
`NTMFS4H01NFT3G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	334A	0.56mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1nC	1.22V	—	PDF →
`NTMFS4C55N` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.22V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SO-8	30V	78A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	Szukaj PDF →
`SIRA14BDP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.22V vs 4.7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (6.6nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	64A	5.38mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6.6nC	4.7V	150°C	PDF →
`SIRC16DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (48nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	60A	0.96mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	48nC	2.4V	150°C	PDF →
`SIR438DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.22V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (60nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	60A	1.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	6V	150°C	PDF →
`NTMFS4H01NT3G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (85nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	54A	0.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	85nC	2.1V	150°C	PDF →
`SIRA32DP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.22V vs 4.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (83nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	60A	1.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	83nC	4.4V	150°C	PDF →
`SIRA22DP-T1-RE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (155nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	60A	0.76mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	155nC	2.2V	150°C	PDF →
`SIRC10DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (36nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	2.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	36nC	1V	150°C	PDF →
`SIRA84DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.22V vs 5.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (38nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	4.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	38nC	5.3V	150°C	PDF →
`SIRA14DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.22V vs 4.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (58nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	58A	5.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	58nC	4.6V	150°C	PDF →
`SIRC04DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (56nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	2.45mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	56nC	2.1V	150°C	PDF →
`NTMFS0D6N03CT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (65nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	0.62mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	65nC	1.32V	175°C	PDF →
`SIJA22DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.22V vs 5.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (125nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	64A	0.74mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	125nC	5.1V	150°C	PDF →
`SI7192DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.22V vs 6.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (60nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	1.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	6.1V	150°C	PDF →
`SI7742DP-T1-GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (60nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	3.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	1.32V	150°C	PDF →
`SIR158DP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.22V vs 6.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (60nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	5000mΩ Vgs=10V, 55°C	60nC	6.6V	150°C	PDF →
`SIR812DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.22V vs 5.7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (60nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	1.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	5.7V	150°C	PDF →
`SIRA64DP-T1-GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (65nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	2.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	65nC	2.2V	150°C	PDF →
`SIRA64DP-T1-RE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (65nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	2.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	65nC	2.2V	150°C	PDF →
`SIRA60DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.22V vs 6.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (100nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	56A	0.94mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	100nC	6.3V	150°C	PDF →
`SI7658ADP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (110nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	2.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	110nC	2.5V	150°C	PDF →
`SIRC18DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (111nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	0.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	111nC	1V	150°C	PDF →
`NTMFS0D5N03CT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (80nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	65A	0.43mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	80nC	1.32V	175°C	PDF →
`NTMFS4C55NT3G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (14nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	78A	2.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14nC	1.32V	150°C	PDF →
`IRF7455TRPBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (12.6nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	80A	6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12.6nC	1.2V	—	PDF →
`NTMFS4C55NT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8	30V	78A	3.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	2.2V	150°C	PDF →
`NTMFS4931NT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (61.5nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	77A	1.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	61.5nC	1.21V	150°C	PDF →
`SIRA20BDP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.22V vs 5.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (186nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	82A	0.58mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	186nC	5.4V	150°C	PDF →
`SIDR220DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.22V vs 4.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (200nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	87.7A	5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	200nC	4.8V	150°C	PDF →
`SIDR392DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.22V vs 5.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (188nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	82A	0.62mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	188nC	5.3V	150°C	PDF →
`SIDR220EP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.22V vs 4.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (200nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	92.8A	0.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	200nC	4.8V	150°C	PDF →
`SIR500DP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (180nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	85.9A	0.47mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	180nC	0.42V	150°C	PDF →
`SIR140DP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.22V vs 5.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (52.8nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	100A	0.67mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	52.8nC	5.2V	150°C	PDF →
`SIRA20DP-T1-RE3` SIRA20DP-T1-RE3 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (61nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	100A	0.58mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	61nC	2.1V	150°C	Szukaj PDF →
`SIRA58DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.22V vs 4.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (75nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	185A	1.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	75nC	4.4V	150°C	PDF →
`NTMFS4C09NBT3G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (10) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.22V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) UWAGA: Id 52A < 54A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SO-8	30V	52A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`NTMFS4C10N` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (10) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.22V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) UWAGA: Id 46A < 54A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SO-8	30V	46A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`NTMFS4C10NBT3G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.22V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) UWAGA: Id 46A < 54A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	46A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`TPH3R70APL,L1Q(M` TOSHIBA Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.22V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	90A	6.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	6V	—	PDF →
`NTMFS4C09NT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 52A < 54A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10.9nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	52A	5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10.9nC	2.1V	150°C	PDF →
`TPH3R506PL,LQ(S` TOSHIBA Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.22V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	94A	6.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	6V	—	PDF →
`SIR862DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.22V vs 5.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 50A < 54A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (90nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	50A	2.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	90nC	5.8V	150°C	PDF →
`SIRA88DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.22V vs 4.7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 45.5A < 54A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (8.3nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	45.5A	5.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8.3nC	4.7V	150°C	PDF →
`NTMFS4C10NT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 46A < 54A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (9.7nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	46A	6.95mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9.7nC	1.32V	150°C	Szukaj PDF →
`NTMFS4C10NT3G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 46A < 54A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (9.7nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	46A	6.95mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9.7nC	2.2V	150°C	PDF →
`SIRA62DP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.22V vs 4.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 51.4A < 54A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (93nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	51.4A	1.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	93nC	4.3V	150°C	PDF →
`SI7788DP-T1-GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.22V vs 7.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 50A < 54A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (50nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	50A	2.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	50nC	7.3V	150°C	PDF →
`SIR818DP-T1-GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.22V vs 5.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 50A < 54A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (50nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	50A	2.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	50nC	5.4V	150°C	PDF →
`SIRA66DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.22V vs 5.7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 50A < 54A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (50nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	50A	2.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	50nC	5.7V	150°C	PDF →
`SIRA24DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.22V vs 4.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 44.5A < 54A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (26nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	44.5A	1.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	26nC	4.8V	150°C	PDF →
`SIR164DP-T1-GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.22V vs 5.9V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 50A < 54A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (123nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	50A	2.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	123nC	5.9V	150°C	PDF →
`SIR164DP-T1-RE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.22V vs 5.9V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 50A < 54A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (123nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	50A	2.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	123nC	5.9V	150°C	PDF →
`SIRA02DP-T1-GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 50A < 54A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (117nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	50A	2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	117nC	2.2V	150°C	PDF →
`NTMFS4C10NCT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 46A < 54A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (18.6nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8	30V	46A	6.95mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	18.6nC	2.2V	150°C	PDF →
`NTMFS4897NFT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 47A < 54A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (40.2nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	47A	1.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	40.2nC	1.52V	150°C	PDF →
`SIR440DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.22V vs 6.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (60nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	60A	1.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	6.3V	150°C	PDF →
`NTMFS4C020NT3G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 47A < 54A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (139nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	47A	0.56mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	139nC	1.32V	150°C	PDF →
`SIR800ADP-T1-RE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.22V vs 3.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas UWAGA: Id 50.2A < 54A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (53nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	50.2A	1.35mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	53nC	3.6V	150°C	PDF →
`SIR800DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.22V vs 4.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas UWAGA: Id 50A < 54A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (50nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	50A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	50nC	4.1V	150°C	PDF →
`KNE7306A` KIA Semicon Tech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas UWAGA: Id 50A < 54A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (75nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	50A	5.56mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	75nC	2.5V	150°C	PDF →
`SIR800DP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas UWAGA: Id 50A < 54A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (133nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	50A	2.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	133nC	1.5V	150°C	PDF →
`SI4136DY-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.22V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas UWAGA: Id 46A < 54A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (46nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	46A	1.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	46nC	6V	150°C	PDF →
`TPH3R70APL` TOSHIBA Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.22V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 20V < 25V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (67nC vs 0.97nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	90A	6.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	67nC	6V	175°C	PDF →

Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (9)

CJQ9926: id-too-low
NTMFS4H013NFT3G: id-too-low
NTMFS4H02NFT3G: id-too-low
NTMFS4H02NT3G: id-too-low
SI4630DY-T1-E3: id-too-low
SI4630DY-T1-GE3: id-too-low
SI7868ADP-T1-GE3: id-too-low
UPA1727G-E1-AT: id-too-low
UPA1728G-E1-AT: id-too-low