Zamienniki dla NTMFS5C612NLT1G

NTMFS5C612NLT1G (onsemi)auto

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: SO-8
Wymiary: 4.9 × 3.9 × 1.5 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (8)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`NTMFS5C612NLT1G` onsemi ↓ Twoj uklad	N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	235A	1.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	41nC	1.22V	175°C	PDF →
`NVMFS5C612NLWFAFT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	250A	1.13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	41nC	1.22V	175°C	PDF →
`SQJA16EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (84nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	278A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	84nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJ174EP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.22V vs 2.53V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (81nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching	N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	293A	5000mΩ Vgs=10V, 175°C	81nC	2.53V	175°C	PDF →
`SQJ180EP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (117nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	248A	2.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	117nC	2.22V	175°C	PDF →
`SQJ160EP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (119nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	362A	1.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	119nC	2.22V	175°C	PDF →
`SQJA64EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.22V vs 2.53V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	—	25.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	7.612nC	2.53V	—	PDF →
`NVMFS6H800NT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 203A < 235A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (85nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	203A	2.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	85nC	2.04V	175°C	PDF →
`SQJ182EP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 210A < 235A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (96nC vs 41nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	210A	5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	96nC	2.22V	175°C	PDF →

Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (11)

BUK9Y7R0-60ELX: id-too-low
NTMFS5C628NLT1G: id-too-low
NTMFS5C628NLT3G: id-too-low
NTMFS5H630NLT1G: id-too-low
NVMFS5C628NLWFAFT1G: id-too-low
SIDR626LEP-T1-RE3: id-too-low
SIR180ADP-T1-RE3: id-too-low
SIR180DP-T1-RE3: id-too-low
SIR182DP-T1-RE3: id-too-low
SIR626ADP-T1-RE3: id-too-low
SIR626DP-T1-RE3: id-too-low