Zamienniki dla NTMFS5C670NT1G

NTMFS5C670NT1G (onsemi)auto

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: DFN-5x6
Wymiary: 4.9 × 3.9 × 1.5 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (5)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`NTMFS5C670NT1G` onsemi ↓ Twoj uklad	N	DFN-5x6 4.9×3.9mm	60V	17A	7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14.4nC	4V	175°C	PDF →
`NTMFS5C645NLT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (34nC vs 14.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-5x6 4.9×3.9mm	60V	22A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	34nC	2V	175°C	PDF →
`NTMFS6H824NT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (38nC vs 14.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-5x6 4.9×3.9mm	80V	19A	4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	38nC	4V	175°C	PDF →
`NTMFS5H615NLT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (63nC vs 14.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-5x6 4.9×3.9mm	60V	28A	1.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	63nC	2V	150°C	PDF →
`NTMFS5C604NLT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (120nC vs 14.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-5x6 4.9×3.9mm	60V	38A	1.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	120nC	2V	175°C	PDF →
`NTMFS6H800NLT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (112nC vs 14.4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-5x6 4.9×3.9mm	80V	30A	1.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	112nC	2V	175°C	PDF →

Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (4)

FDMS5672: id-too-low
NTMFS016N06CT1G: id-too-low
NTMFS020N06CT1G: id-too-low
NTMFS024N06CT1G: id-too-low